「impurity elements」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Thus, a tungsten film of low resistance free from pollution of impurity elements is efficiently formed.例文帳に追加

これにより、不純物元素の汚染がない低抵抗のタングステン膜を効率的に形成する。 - 特許庁

A resistor row is composed of a plurality of resistor elements 5 formed of an impurity diffusion layer, and resistor elements 5a having the same element shape with the resistor element 5 are arranged on both sides of the resistor row composed of the resistor elements 5.例文帳に追加

不純物拡散層により形成された複数の抵抗素子５の列の両側に、抵抗素子５と素子形状が同じ抵抗素子５ａを配置する。 - 特許庁

Relating to the high-concentration impurity regions 112, 122, 132, and 142, one end contacts to the end of the low-concentration impurity regions 121, 131, and 141, while the other end contacts the impurity region of other elements (field effect transistor, other resistive elements, or the like).例文帳に追加

高濃度不純物領域１１２，１２２，１３２，１４２は、一方の端部が低濃度不純物領域１２１，１３１，１４１の端部に接し、且つ、他方の端部が他の素子（電界効果トランジスタ、他の抵抗素子等）の不純物領域と接する。 - 特許庁

To provide a refining method where, from the raw material of metal antimony including arsenic, selenium and iron as impurity elements, metal antimony in which the content of each impurity element is low can be efficiently obtained.例文帳に追加

砒素、セレン、鉄の不純物元素を含有する金属アンチモン原料からこれらの不純物元素含有量の低い金属アンチモンを効率的に得る。 - 特許庁

To abolish the use of halogen elements which generate dioxins, etc., upon refining molten metal of aluminum and aluminum alloys and removing impurity elements.例文帳に追加

アルミニウムおよびアルミニウム合金溶湯の脱不純物元素精錬において、ダイオキシン等の発生源となるハロゲン系元素の不使用化を図る。 - 特許庁

By reducing these impurity elements, reduction of sulfate ion with sulfate-reducing bacteria is attained.例文帳に追加

これらの夾雑元素の量を低減することで、硫酸還元菌による硫酸イオンの削減が行える。 - 特許庁

It has been found that impurity elements such as heavy metals segregate on the ridge of a polycrystalline semiconductor layer.例文帳に追加

多結晶質半導体層におけるリッジに重金属等の不純物元素が偏析することが分かった。 - 特許庁

To provide a silicon refining method and device capable of removing both impurity elements of phosphorus, antimony or the like and impurity elements of boron, carbon or the like by using only an electron beam in the same chamber.例文帳に追加

同一の真空チャンバ内で、電子ビームのみを用いて、リン、アンチモン等の不純物元素と、ボロン、炭素等の不純物元素の両方を除去できるシリコンの精錬方法及び装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Injecting ions of impurity elements through the reflection preventing film 12 form N type and P type impurity diffusion layers 32, 33 in the light receiving region.例文帳に追加

前記受光領域のＮ型およびＰ型不純物拡散層３２，３３は、反射防止膜１２を通して不純物元素をイオン注入することによって形成される。 - 特許庁

A writing impurity region is arranged adjacent to the impurity region, and a diode is formed in series to the thin film transistor or not formed, so that the storage elements also can be formed independently.例文帳に追加

また、不純物領域に隣接して書き込み不純物領域を設け、薄膜トランジスタと直列にダイオードを形成するか否かによって作り分けることもできる。 - 特許庁

This chromium steel contains C, Si, Mn, P, Cr, Al and Nb, and the balance Fe with inevitable impurity elements.例文帳に追加

Ｃ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｐ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｂ、を含有し、残部Ｆｅ並びに不可避的不純物元素からなるクロム鋼。 - 特許庁

Then, a heat treatment is performed for activation of the above impurity elements and crystallization of the semiconductor layer.例文帳に追加

そして、加熱処理を行なって、前記不純物元素の活性化および半導体層の結晶化を行なう。 - 特許庁

Subsequently, the second metal film that lies in a wiring formation region to which the impurity elements should be added is left, while the second metal film that lies in a wiring formation region to which no impurity elements need to be added is partially removed (step S3).例文帳に追加

次いで、不純物元素を添加すべき配線の形成領域にある第２の金属膜は残し、不純物元素の添加が不要な配線の形成領域にある第２の金属膜を部分的に除去する（ステップＳ３）。 - 特許庁

Among the impurity elements, preferably, the content of Fe is controlled to ≤0.1%, Cr to≤0.04% and Mn to ≤0.04%, and furthermore, the total of the impurity elements other than Fe, Cr and Mn is preferably controlled to ≤0.1%.例文帳に追加

不純物元素の内、Ｆｅ：０．１％以下、Ｃｒ：０．０４％以下、Ｍｎ：０．０４％以下とすることが好ましく、さらにはＦｅ、Ｃｒ、Ｍｎ以外の不純物元素の総和を０．１％以下に止めることが好ましい。 - 特許庁

In this manufacturing method, an impurity region, where dilute gas elements are added is made in a semiconductor film, and gettering for segregating the metallic elements contained in the semiconductor film is performed for the above impurity region by laser annealing.例文帳に追加

本発明は半導体膜に、希ガス元素を添加した不純物領域を形成し、レーザアニールにより前記不純物領域に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行なうことを特徴としている。 - 特許庁

To provide a method of analyzing rhodium and/or indium-containing materials for impurity elements by which the materials can be analyzed easily for impurity elements by causing little environmental pollution with reagents, utensils, etc.例文帳に追加

ロジウムやイリジウム含有物中に含まれる不純物元素の分析方法に係り、上記の不純物元素を試薬や器具による環境汚染等が少なく且つ簡便に分析することのできる汎用的な分析方法を提供する。 - 特許庁

To provide an alumina sintered compact having a low content of <100 ppm impurity elements except aluminum and extremely few pores.例文帳に追加

アルミニウム以外の不純物元素量が100ppm未満と少なく、またポアが極めて少ないアルミナ焼結体を提供する。 - 特許庁

After the impurity elements are activated, the resist mask 12 is removed, and thus a diffusion wiring 13 is formed.例文帳に追加

活性化させた後、先に形成させたマスクを除去することによって拡散配線１３の形成は終了する。 - 特許庁

To provide a method of obtaining a refined iridium aqueous solution efficiently from an aqueous solution containing iridium and impurity elements.例文帳に追加

イリジウムと不純物元素を含む水溶液から効率的にイリジウム精製水溶液を得る方法を提供する。 - 特許庁

The contents of the impurity metal elements are compared as to Ca, Mn, Fe, Ni, Cr, Cu, Zn, etc., (except metal elements constituting the metal oxides in powder form).例文帳に追加

不純物金属元素の含有率はＣａ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｚｎなど（粉体状金属酸化物の構成金属元素を除く）について比較する。 - 特許庁

Piezo resistance elements Rx1-Rx4, Rp1, Rp2 are formed by dispersing an impurity on the upper surface of a flexible substrate 100 made of silicon.例文帳に追加

シリコンからなる可撓性基板１００の上面に、不純物を拡散して、ピエゾ抵抗素子Ｒｘ１〜Ｒｘ４，Ｒｐ１，Ｒｐ２を形成する。 - 特許庁

Thereafter, the impurity elements added on the remaining second metal film are diffused over the first metal film at the underside through the thermal treatment (step S4).例文帳に追加

その後、熱処理により、残る第２の金属膜の不純物元素を下の第１の金属膜に拡散させる（ステップＳ４）。 - 特許庁

The TiW layer 7 prevents diffusion of elements between the impurity diffused layers 4 and 5 and between the Au layer 8 and the AuSn layer 9.例文帳に追加

ＴｉＷ層７は、不純物拡散層４，５とＡｕ層８、ＡｕＳｎ層９との間の元素の拡散を防止する。 - 特許庁

The organic phase after the extraction is washed with water or hydrochloric acid, and impurity metal elements other than the platinum are separated into a water phase.例文帳に追加

抽出後の有機相は水又は塩酸で洗浄し、白金族以外の不純物金属元素を水相に分離する。 - 特許庁

The nickel-based heat-resistant superalloy contains as main elements, chromium, cobalt, titanium, aluminum and nickel, is permitted to contain additional elements and inevitable impurity elements and has a stacking fault energy of ≤35 mJ/m^2.例文帳に追加

クロム、コバルト、チタン、アルミニウムおよびニッケルを主要元素として含み、添加成分元素と不可避的不純物元素の含有を許容し、積層欠陥エネルギーが３５ｍＪ/ｍ^2以下であることを特徴とするニッケル基耐熱超合金に関する。 - 特許庁

To provide a method for effectively separating impurity elements and mutually separating palladium, platinum, iridium, ruthenium and rhodium with purity to commercially produce them by preventing the increase of the content ratios of the impurity elements to the platinum group elements in a mother liquid by using highly safe compounds and processes in the method for mutually separating the platinum group elements.例文帳に追加

白金族元素を相互分離する方法において、安全性の高い化合物と工程を用い、母液中の白金族元素に対する不純物元素の含有比率の上昇とクロロ錯体の分解を防止して、不純物元素を効果的に分離し、かつパラジウム、白金、イリジウム、ルテニウム及びロジウムを製品化できる純度で相互分離する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for purifying slag, which reduces impurity elements such as zinc, lead and arsenic contained in slag in a smelting furnace for smelting copper.例文帳に追加

銅製錬熔錬炉スラグ中に含まれる亜鉛、鉛、ヒ素等の不純物元素を低減させるスラグの浄化方法を提供する。 - 特許庁

The film formation composition which is formed on a silicon wafer to constitute a diffusion film for diffusing impurity elements into the silicon wafer contains (A) a high molecular silicon compound, (B) an oxide of the impurity elements or a salt containing the element, and (C) a porogen.例文帳に追加

シリコンウエハ上に形成され、当該シリコンウエハへの不純物元素の拡散を行うための拡散膜を構成する膜形成組成物であって、（Ａ）高分子ケイ素化合物と、（Ｂ）前記不純物元素の酸化物又は当該元素を含む塩と、（Ｃ）ポロージェンと、を含有する膜形成組成物。 - 特許庁

Because the particles of a film material composed essentially of ZnO and containing compounds of group III elements, such as Al2O3, are ionized with high efficiency and implanted in a film by optimum kinetic energy, the surface migration of the group III impurity elements, such as Al, can be accelerated and the dispersion of the impurity elements can be performed more uniformly as compared with that by the other methods.例文帳に追加

ＺｎＯを主成分としＡｌ_２Ｏ_３等の３族元素を含有する膜材料粒子が高効率でイオン化し、膜中に最適な運動エネルギーで打ち込まれるので、Ａｌ等の３族不純物元素の表面マイグレーションが促進され、他の方法に比べてより均一に不純物元素を分散させることできる。 - 特許庁

Further, oxygen atom and elements lighter than oxygen are contained at least a location where the impurity concentration of the N^- drift layer 1 is maximum.例文帳に追加

さらに、少なくともＮ^-ドリフト層１の不純物濃度が極大となる箇所には、酸素原子と酸素よりも軽い元素が含まれている。 - 特許庁

To produce an extra-low oxygen metallic titanium and an extra-low oxygen titanium alloy without generating the contamination due to impurity elements.例文帳に追加

不純物元素による汚染を生ずることなく、極低酸素金属チタンおよび極低酸素チタン合金を安価に製造することができる。 - 特許庁

To provide a method of separating and recovering platinum group elements by which the platinum group elements in the form of chlorides such as chloro-complexes are selectively adsorbed and eluted regardless of their kinds from a chloride solution containing ch platinum group elements in a relatively low concentration and coexiting impurity elements in a high concentration by using an ion exchange resin.例文帳に追加

比較的低濃度に白金族元素を含む一方、高濃度に不純物元素を共存する塩化物溶液から、クロロ錯体等の塩化物の形態である白金族元素をその種類を問わず、イオン交換樹脂を用いて選択的に吸着し、溶離する白金族元素を分離回収する方法を提供する。 - 特許庁

To reduce cost while ensuring sensitivity in an inductively coupled plasma mass spectrometer for identifying and determining trace impurity elements in a sample solution.例文帳に追加

試料溶液中の微量不純物元素の同定・定量を行う誘導結合プラズマ質量分析装置において、感度を確保しつつ低価格化する。 - 特許庁

To obtain clean molten iron in which impurity elements of Mn, Al, Ti, Pb, Zn, B in the molten cast iron, are removed and the wear of useful C and Si are restrained.例文帳に追加

鋳鉄溶湯中のＭｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｂの不純物元素を除去し、かつ有用なＣ、Ｓｉの減耗を抑制した清浄な溶湯を得る。 - 特許庁

The non-doped diamond layer 3 has such an extremely low impurity content that the atom concentration of elements except carbon is 5×10^17 cm^-3 or less.例文帳に追加

ノンドープダイヤモンド層３の不純物含有量は極めて小さく、炭素以外の元素の原子濃度は、５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

Of raw materials containing elements composing a phosphor, at least one having an impurity content of ≤100 ppm is used to manufacture the phosphor.例文帳に追加

蛍光体を組成する元素を含む原料のうち、不純物含有量が１００ｐｐｍ以下のものを少なくとも１種類用いて蛍光体を製造する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently recovering high purity ruthenium from low concentrated ruthenium containing impurity elements such as niobium, molybdenum tungsten.例文帳に追加

ニオブ、モリブデン、タングステンなどの不純物元素を含んだ低濃度ルテニウム含有物から、高純度のルテニウムを効率よく回収できる方法を提供する。 - 特許庁

The high-purity aluminum alloy material is characterized by having a composition in which the content of yttrium ranges from 0.5 to 9 mass% and the content of inevitable impurity elements is not higher than 0.01 mass%.例文帳に追加

本発明の高純度アルミニウム合金材は、イットリウム０．５〜９質量％、不可避不純元素０．０１質量％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, including a plurality of polysilicon layers having an equal impurity amount, and a plurality of resistive elements having different resistance values.例文帳に追加

同一の不純物量の複数のポリシリコン層からなるが、異なる抵抗値を持つ複数の抵抗素子を有する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

When providing the floating gate by the material whose work function is higher than the semiconductor film, n-type impurity elements are introduced to the channel forming region.例文帳に追加

浮遊ゲートとして半導体膜より仕事関数が高い材料で設ける場合には、チャネル形成領域にｎ型の不純物元素を導入する。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon carbide single crystal which is reduced in the content of inclusions, impurity elements and crystal defects, by using a sublimation-recrystallization method of silicon carbide.例文帳に追加

炭化珪素の昇華再結晶法によりインクルージョン、不純物元素、結晶欠陥の少ない炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The apparatus is adopted to an impurity removing apparatus arranged in optical equipment structured by a light source emitting ultraviolet light and a plurality of the optical elements.例文帳に追加

本発明は紫外光を出射する光源と複数の光学素子から構成される光学機器に配置される不純物除去装置に適用できる。 - 特許庁

The electron emission part 1 is doped with one or more kinds of elements selected from a group composed of boron, nitrogen, phosphorus, sulfur, lithium, and silicon as an impurity.例文帳に追加

電子放出部１には、ホウ素、窒素、リン、イオウ、リチウム及びシリコンからなる群より選ばれる１種以上の元素が不純物としてドーピングされている。 - 特許庁

To provide a nitride based semiconductor laser element wherein manufacturing yield can be improved by restraining impurity elements from being introduced deeply.例文帳に追加

不純物元素が深く導入されるのを抑制することにより製造歩留まりを向上することが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

Thus, the apparatus selectively activates the reducing gas, inhibits the contamination due to the impurity elements, and efficiently forms the tungsten film with low resistance.例文帳に追加

これにより、還元ガスを選択的に活性化することにより、不純物元素の混入が抑制された低抵抗のタングステン膜を効率的に形成する。 - 特許庁