「impurity effect」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device that can eliminate the adverse effect due to impurity diffusion from a buffer layer to a carrier layer.例文帳に追加

バッファ層からキャリア層への不純物拡散による悪影響を排除することができる。 - 特許庁

This impurity region 104 suppresses the spread of a drain side depletion layer, and causes a narrow channel effect to prevent the short channel effect.例文帳に追加

この不純物領域１０４がドレイン側空乏層の広がりを抑え、かつ、狭チャネル効果を起こして短チャネル効果を防止する。 - 特許庁

The impurity concentration of a low impurity concentration transistor (M4) in the second pair field effect transistor is set to 1.1 E19/cm^3 to 1.6 E19/cm^3.例文帳に追加

第２のペア電界効果トランジスタにおける低不純物濃度トランジスタ（Ｍ４）の不純物濃度を、１．１Ｅ１９／ｃｍ^３〜１．６Ｅ１９／ｃｍ^３とする。 - 特許庁

To provide a microscopic transistor and its manufacturing method that uniformly distributes impurity ion across an impurity region, and effectively prevents a short channel effect.例文帳に追加

不純物領域に不純物イオンを均一に分布させ、効果的にショートチャネル効果を防止する微細なトランジスター及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a heat treatment apparatus and a heat treatment method, with which the effect of impurity is hardly exerted upon a material to execute the heat treatment even in the case impurity source in a furnace which can exert adverse effect upon the material to execute the heat treatment.例文帳に追加

被熱処理物に悪影響を及ぼし得る不純物源が炉内に存在する場合でも、その不純物の影響が被熱処理物に及びにくい熱処理装置および熱処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing narrow channel effect due to diffusion of an impurity.例文帳に追加

不純物の拡散によるナローチャネル効果の発生を抑制することを可能にする半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for extraction which enhances recovering property, effect of removing impurity and operationality of metal catalyst from a process for producing carboxylic acid.例文帳に追加

カルボン酸製造プロセスからの金属触媒の回収性、不純物除去効果及び操作性を高める - 特許庁

The substrate is made of a high resistance silicon in low impurity concentration in order to avoid the effect of free carrier absorption.例文帳に追加

基板は、自由キャリア吸収の影響をさけるため不純物濃度の低い高抵抗シリコンからなっている。 - 特許庁

In this case, the metal impurity is removed from the relevant substrate because the surface area of the substrate is etched and thereby the metal impurity is captured with the chelate effect of the CyDTA.例文帳に追加

この場合、基板の表面部がエッチングされることにより金属不純物が当該基板から除去され、そして金属不純物はＣｙＤＴＡのキレート作用により捕獲される。 - 特許庁

To obtain a junction field-effect transistor(JFET) formed so that the diffusion depth of the impurity in a gate region does not vary.例文帳に追加

ゲート領域での不純物の拡散深さがばらつかないようにした接合型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

Thus, by the optimization of the impurity profile at the emitter-base joint, emitter crowding effect is suppressed.例文帳に追加

こうして、エミッタ・ベース接合部の不純物プロファイルの最適化により、エミッタ・クラウディング効果を抑制する構成となっている。 - 特許庁

To provide a purification method which is excellent in effect of separating impurities such as boron, does not cause the problem of contamination with an impurity removing agent, and is excellent in purification effect.例文帳に追加

ホウ素等の不純物の分離効果に優れ、かつ不純物除去剤による汚染の問題を生じる虞もなく、精製効果に優れた精製方法を提供する。 - 特許庁

Relating to the high-concentration impurity regions 112, 122, 132, and 142, one end contacts to the end of the low-concentration impurity regions 121, 131, and 141, while the other end contacts the impurity region of other elements (field effect transistor, other resistive elements, or the like).例文帳に追加

高濃度不純物領域１１２，１２２，１３２，１４２は、一方の端部が低濃度不純物領域１２１，１３１，１４１の端部に接し、且つ、他方の端部が他の素子（電界効果トランジスタ、他の抵抗素子等）の不純物領域と接する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having reduced a bit line resistance and also reduced a short channel effect by diffusion of impurity.例文帳に追加

ビット線抵抗を低減すると共に、不純物の拡散による短チャネル効果が低減された半導体装置を提供する。 - 特許庁

Thereby, adverse effect by the impurity gas on aging can be avoided and the aging time can be shortened.例文帳に追加

これにより、不純物ガスによってエージングに悪影響が及ぶのを回避することができ、エージング時間を短縮することができる。 - 特許庁

After a field effect transistor 31 is formed, impurity ions are implanted diagonally to a substrate surface so that a peak Dp in concentration of the impurity ion is at a position deeper than that of a channel region.例文帳に追加

電界効果トランジスタ３１を形成したのち、不純物イオンの濃度のピークＤ_P がチャネル領域３３よりも深い位置にくるように、基板面に対して斜め方向から不純物イオンを注入する。 - 特許庁

To provide a unified model such that a low impurity concentration region to a high impurity concentration region are widely handled by deriving a general minimum scatter angle in a system taking screening effect into consideration, with respect to an impurity scatter evaluating method and a device simulator.例文帳に追加

不純物散乱評価方法及びデバイスシミュレータに関し、スクリーニング効果も考慮した系において、汎用的な最小散乱角を導出することで、低不純物濃度領域から高不純物濃度領域まで幅広く扱える統一モデルを構築する。 - 特許庁

Subsequently, the effect of reduction of the impurity concentration within the channel due to a channel length is evaluated using an analytic model formula and the ratio (r) of a residual impurity concentration within the channel in the proposed gate length to the impurity concentration within the channel on the side of a long channel is found (step 102).例文帳に追加

続いて、チャネル長によりチャネル不純物濃度が減少する効果を、解析的モデル式を用いて評価し、目的とするゲート長における残留チャネル不純物濃度と長チャネル側でのチャネル不純物濃度の比ｒを求める（ステップ１０２）。 - 特許庁

The gate electrode of the first high-voltage insulated-gate field effect transistor and the gate electrode of the second high-voltage insulated-gate field effect transistor are connected in common over the first element isolation insulating film, and the impurity concentration of the second impurity diffusion layer is higher than that of the first impurity diffusion layer.例文帳に追加

第１の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極と第２の高耐圧絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極とは、第１の素子分離絶縁膜上に跨って共通に接続されており、第２の不純物拡散層の不純物濃度は、第１の不純物拡散層の不純物濃度よりも高い。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor which suppresses the short channel effect by forming a shallow impurity diffusion layer.例文帳に追加

深さの浅い不純物拡散層を形成することにより短チャネル効果を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The impurity regions 104 suppress the expansion of the drain side depletion layer to the channel formation region 103 for preventing the short channel effect.例文帳に追加

この不純物領域１０４がドレイン側空乏層のチャネル形成領域１０３への広がりを抑え、短チャネル効果を防止する。 - 特許庁

The field effect transistor includes: a first impurity introduction region 110 which is formed on a first barrier layer 102 and is introduced with an impurity that is an shallow acceptor with respect to AlGaSb; and a second impurity introduction region 111 which is formed on a second barrier layer 104 and is introduced with an impurity that is an shallow acceptor with respect to AlGaSb.例文帳に追加

第１障壁層１０２に形成されてＡｌＧａＳｂに対して浅いアクセプタとなる不純物が導入された第１不純物導入領域１１０と、第２障壁層１０４に形成されてＡｌＧａＳｂに対して浅いアクセプタとなる不純物が導入された第２不純物導入領域１１１とを備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a sample for measuring the impurity distribution of a semiconductor capable of reducing the effect of the damage applied to a semiconductor sample and capable of acquiring the sharper data related to the impurity distribution, and a measuring method of the impurity distribution.例文帳に追加

半導体試料に加えられるダメージの影響の低減が可能で、より鮮明な不純物濃度分布に関する情報を取得することが可能な半導体の不純物分布測定用試料の製造方法および不純物分布測定方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the diffusion of impurity in an impurity area and a gate electrode is suppressed to prevent the variance of short channel effect and threshold voltage.例文帳に追加

不純物領域およびゲート電極中の不純物の拡散を抑制することによって、短チャネル効果および閾値電圧の変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the channel width W is substantially fractionized by the impurity regions 104, so that the decline in the threshold voltage value due to the short channel effect may be relaxed by the resultant narrow channel effect of the fractionization.例文帳に追加

また、不純物領域１０４によってチャネル幅Ｗを実質的に細分化し、それに伴って生じる狭チャネル効果によって短チャネル効果によるしきい値電圧の低下を緩和する。 - 特許庁

Hence, conductivity modulation effect is enhanced, and as a result, forward voltage VF can be reduced, even in a configuration in which impurity concentration of a p-type impurity region is reduced for the purpose of shortening the time of reverse recovery ttr.例文帳に追加

従って伝導度変調効果が高まるので、逆回復時間ｔｒｒ短縮のためにｐ型不純物領域の不純物濃度を低減した構造であっても、順方向電圧ＶＦを低減することができる。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor which has improved characteristics by reducing an influence of depletion from a buffer layer doped with a p-type impurity.例文帳に追加

ｐ型不純物がドーピングされたバッファ層からの空乏化による影響を低減することで、特性が改善された電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide impurity clarifier that can achieve improved fluid flow and clarification effect, a simplified structure, and a reduced cost by miniaturization.例文帳に追加

流体の流れを良くし、浄化作用を向上し、構造を簡素化すると共に、小型化によるコストを低減することが可能な不純物浄化器を提供する。 - 特許庁

A field effect transistor includes a conductive film containing a high-concentration impurity above parts constituting a source region and a drain region.例文帳に追加

本発明の電界効果型トランジスタは、ソース領域およびドレイン領域を構成する部分の上部に高濃度不純物を含有する導電性膜を設ける。 - 特許庁

An impurity having an effect on carrier concentration in the oxide semiconductor layer, such as a hydrogen atom or a compound containing a hydrogen atom such as H_2O, may be eliminated.例文帳に追加

酸化物半導体層に含まれるキャリア濃度に影響する不純物、例えば、水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物を排除すればよい。 - 特許庁

Since the hydrogen radicals can be efficiently generated with no emission of gases, the cleaning effect of the substrate 21 and the impurity eliminating effect of the film formation material can be remarkably improved.例文帳に追加

これにより、水素ラジカルを放出ガスの発生なしに効率的に発生させることができ、基板２１のクリーニング効果、および、成膜材料中の不純物を除去する効果を顕著に高めることができる。 - 特許庁

To provide a method, for treating a catalyst carrier material, which can remove an impurity component contained in the catalyst carrier material to a maximum possible extent and thereby, prevent an electrode performance from becoming deteriorated by the adverse effect of the impurity component, as well as an electrode catalyst.例文帳に追加

触媒用担体材料に含まれる不純物成分を極力除去し、不純物成分の影響による電極性能の低下を防止することのできる触媒用担体材料の処理方法及び電極用触媒を提供する。 - 特許庁

By setting the impurity concentration in the surface of this region 10 into a concentration of 1×1018 cm-3 to 5×1020 cm-3, a gettering effect is made to effectively work in a semiconductor device.例文帳に追加

この高濃度の不純物拡散領域１０の表面濃度を１×１０^18ｃｍ^-3から５×１０^20ｃｍ^-3とすることで、ゲッタリング効果を有効に働かせる。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device having a field effect transistor in which a desired impurity region can be formed.例文帳に追加

電界効果型トランジスタを有する半導体装置の製造方法であって、所望の不純物領域の形成をすることができる、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of manufacturing a high dense semiconductor superior in short channel effect or back bias effect by easily and accurately forming the impurity profile of a transistor channel part and stably holding it.例文帳に追加

トランジスタチャネル部の不純物プロファイルが容易且つ正確に形成でき、しかも安定に保持できるようにして、ショートチャネル効果或いはバックバイアス効果が良好な高密度の半導体を製造できる製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To eliminate an effect of a scattered light caused by an impurity in a prism, and to enable measurement at a high S/N ratio in measurement using a measurement chip with a minute flow path and utilizing an electric field enhancement effect caused by surface plasmon.例文帳に追加

微小な流路を備える測定チップを用い、表面プラズモンによる電場増強効果を利用する測定において、プリズム内の不純物に起因する散乱光の影響を排除して、Ｓ／Ｎ比の高い測定を可能とする。 - 特許庁

Therefore, when the impurity region 132 is subjected to heat treatment process after ion implantation, the occurrence of potential decline in the readout gate section 140 is suppressed, and the blooming of the section 140 can be prevented so that the thermal diffusion in the impurity region 132 does not effect the gate section 140.例文帳に追加

したがって、Ｎ^- 型不純物領域１３２をイオン注入して熱工程にかける際に、熱拡散の影響が読み出しゲート部１４０に及ばないようにし、読み出しゲート部１４０のポテンシャル低下を抑制し、この部分のブルーミングを防止する。 - 特許庁

Since it becomes possible to form a window area at a lower temperature than the conventional example by utilizing a 'blocking effect' and an 'extruding effect' by laminating a semiconductor layer doped with Si, etc., on another semiconductor layer containing an impurity for forming a window structure, the diffusion and intrusion of an impurity from a p-type clad layer to an active layer can be prevented.例文帳に追加

窓構造を形成するための不純物を含有した半導体層の上にＳｉなどをドープした半導体層を積層することにより、「ブロック効果」と「押し出し効果」とを利用して、従来よりも低温で窓領域を形成することが可能となり、ｐ型クラッド層から活性層への不純物の拡散・侵入を防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that prevents characteristics, such as impurity concentration of a channel layer and impurity concentration, from varying, when forming a semiconductor layer of a conductive type which is opposite to that of the channel layer as a junction FET, and has a junction field effect transistor that can be manufactured easily.例文帳に追加

チャネル層と反対導電型の半導体層を形成して接合型ＦＥＴとする場合に、チャネル層の不純物濃度などの特性変動を生じさせることなく、かつ、簡単に製造することができる構造の接合型電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a new impurity in which an impurity diffusion region is formed on a semiconductor substrate, while reducing the effect disturbing a crystal structure, without locally supplying energy more than is required, and which is injected into the semiconductor substrate to be used as a function region.例文帳に追加

局所的に必要以上にエネルギーが供給されることなく結晶構造を乱す効果を低減させながら半導体基板に不純物拡散領域を形成すると共に、半導体基板に注入して機能領域として用いられる新規な不純物を提供する。 - 特許庁

In order to eliminate the above effect, n-type impurities are doped partially additionally into the n-type impurity zone of the vertical charge transfer, to thereby partially increase the additional amount of n-type impurity in the vertical charge transfer and to correct a potential under the transfer.例文帳に追加

そこで、この影響を除去するために、垂直電荷転送部のｎ型不純物領域に部分的な追加のｎ型不純物注入を行うことにより、垂直電荷転送部のｎ型不純物の添加量を部分的に増大させ、転送部下のポテンシャルを矯正したものである。 - 特許庁

To provide a hetero-junction field effect transistor which is not easily affected by deep impurity levels or the like by forming a hetero-junction FET structure using a two-dimensional electron gas, and preventing an oxygen from being mixed for forming an impurity levels while using a semiconductor having a large Schottky barrier.例文帳に追加

２次元電子ガスを用いるヘテロ接合ＦＥＴ構造とし、ショットキ障壁の大きい半導体を用いながら、不純物準位を作る酸素の混入を防止し、深い不純物準位などの影響を受けにくいヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide new impurity in which an impurity diffusion region is formed on a semiconductor substrate, while the effect of disturbing crystal structure is reduced without having to locally supply energy more than is needed and is used as a function region by injecting it to the semiconductor substrate.例文帳に追加

局所的に必要以上にエネルギーが供給されることなく結晶構造を乱す効果を低減させながら半導体基板に不純物拡散領域を形成すると共に、半導体基板に注入して機能領域として用いられる新規な不純物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a diaphragm for an IC microphone that can suppress reduction in the etch stop effect caused by heat treatment after forming a high concentration impurity layer (etch stop layer) so as to prevent the occurrence of buckling caused by the heat treatment after forming the high concentration impurity layer and to provide the IC microphone.例文帳に追加

高濃度不純物層（エッチストップ層）形成後の熱処理によって生じるエッチストップの効果の低下を抑制し、高濃度不純物層形成後の熱処理が原因の座屈を防ぐことができるＩＣマイクの振動板形成方法およびＩＣマイクを提供すること。 - 特許庁

With use of the substrate accommodating apparatus having adequately fed back gas flow rate and the impurity controlling method provided within the same substrate accommodating apparatus, adverse effect, for example, corrosion of wires and formation of naturally oxidized film or the like of impurity to semiconductor substrate can be prevented during the semiconductor manufacturing processes.例文帳に追加

ガス流量を適切にフィードバックした基板収納装置及び基板収納装置内の不純物制御方法を用いることにより、半導体製造工程間における不純物による半導体基板への悪影響、例えば配線の腐食、自然酸化膜の形成等を防止する。 - 特許庁