「impurity effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Antimony is contained in an InP layer 23 grown on the light receiving layer 21 as an impurity by memory effect of antimony supplied when a GaAsSb layer of the light receiving layer grows.例文帳に追加

受光層２１のＧａＡｓＳｂ層の成長の際に供給されたアンチモンのメモリ効果により、受光層２３上に成長されるＩｎＰ層２３に、不純物としてアンチモンが含まれる。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming a gate insulating film 3 and a gate electrode 4a on a semiconductor substrate 1S, and then implanting an impurity to form a channel region 6 of the field effect transistor.例文帳に追加

半導体基板１Ｓ上にゲート絶縁膜３およびゲート電極４ａを形成した後に、電界効果トランジスタのチャネル領域６を形成するための不純物を導入する。 - 特許庁

To provide a semiconductor material having strong light emission and strong absorption at the equivalent level of that of a direct transistion semiconductor based on a bonding elongation effect by impurity doping.例文帳に追加

不純物ドーピングによる結合伸長効果に立脚した、直接遷移型半導体と同等レベルの強発光や強吸収を有する半導体材料を提供する。 - 特許庁

To solve the problem, where a means for precisely evaluating an impurity profile by a secondary ion mass spectrometry (SIMS) does not exist essentially since a spherical semiconductor causes a shape effect problem.例文帳に追加

球状半導体は形状効果が問題となる為、二次イオン質量分析法（Secondary ion mass spectrometry；ＳＩＭＳ）により不純物プロファイルを精度よく評価する手段は実質的に存在していない。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrooptical device capable of forming a field effect transistor by controlling an impurity distribution in a semiconductor layer with new parameters.例文帳に追加

新たなパラメーターによって半導体層内における不純物分布を制御して電界効果型トランジスターを形成することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the heterojunction field effect transistor having a gate recess structure, empty regions give much effect on an element breakdown voltage of the heterojunction field effect transistor between from an end of a gate electrode to an end of a source or drain electrode, are composed of at least two layers having different impurity concentrations, thereby reducing series resistance of the heterojunction field effect transistor and enabling the heterojunction field effect transistor to realize a high element breakdown voltage.例文帳に追加

ゲートリセス構造を有しているヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極端からソース、ドレイン電極端の間のヘテロ接合電界効果トランジスタの素子耐圧に大きな影響を与える目空き領域に、少なくとも２層以上の不純物濃度の異なる層で構成することでヘテロ接合電界効果トランジスタの直列抵抗を小さくしつつ、高い素子耐圧を実現したヘテロ接合電界効果トランジスタが得られる。 - 特許庁

In metal, oxide, and semiconductor field effect transistors as well as an insulated gate bipolar transistor; a location having an interface with a high-concentration impurity layer tends to be subjected to reduction of the withstand voltage of the insulating film.例文帳に追加

金属・酸化物・半導体電界効果トランジスタ、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタにおいて、絶縁膜の絶縁耐圧が低下しやすい箇所は高濃度不純物層と界面をもつ箇所である。 - 特許庁

To provide an organic field-effect transistor (FET) that sufficiently operates even when the FET does not use an impurity-doped organic semiconductor film, has a wide material selection even when the FET uses an ordinary vapor-deposited film or an applied film, and can be manufactured easily.例文帳に追加

不純物がドープされた有機半導体膜を用いなくても十分に動作する有機ＦＥＴを作製することで、薄膜の状態が安定な有機ＦＥＴを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which improves reverse short channel effect by terminating Frenkel crystal defects formed during impurity ion implantation, and suppressing enhanced diffusion of boron.例文帳に追加

不純物イオン注入時に形成されたフレンケル型結晶欠陥を終端させ、ボロンの増速拡散を抑制することで、逆短チャンネル効果を改善した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, which keep a channel impurity concentration of a MOS transistor low in a CMOS transistor having a micronized gate and control the short channel effect.例文帳に追加

微細化されたゲートを有するＣＭＯＳトランジスタにおいて、ＭＯＳトランジスタのチャネル不純物濃度を低く維持し、かつ短チャネル効果を抑制する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The aqueous solution containing one or two kinds or more among the ions of iron, chromium, nickel, manganese, copper, and cobalt, as the impurity ions is more desirable as the effect of separating and removing these ions is high.例文帳に追加

前記水溶液が不純物金属イオンとして、鉄、クロム、ニッケル、マンガン、銅およびコバルトのイオンのうちの１種または２種以上を含むものであれば、それらの分離・除去効果が大きいので望ましい。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage and high output power field- effect transistor in which the carrier concentration in a channel layer can be increased without increasing the n-type impurity concentration in the channel layer, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

チャネル層のｎ型不純物濃度を高くすることなく、チャネル層内のキャリア濃度を高めることができる高耐圧・高出力電界効果トランジスタおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

A conductive type impurity concentration same to a well area is concentrated in each channel forming area in the vicinity of a boundary, respectively in the well area and a source area, and the well area and a drain area, by patterning favorably the area not introduced with the impurity, so as to induce a reverse short channel effect.例文帳に追加

上記不純物導入されない領域をうまくパターニングすることによって、ウェル領域とソース領域、及び、ウェル領域とドレイン領域それぞれの、境界近傍のチャネル形成領域における、ウェル領域と同じ導電型の不純物濃度を濃くし、逆短チャネル効果を誘起させることができる。 - 特許庁

To enhance the removal effect of gas impurities in air by efficiently using pure water, in a gas impurity removal apparatus wherein the pure water for gas impurity removing is dripped and supplied to gas/liquid contact units, and the pure water is circulated and used, and new pure water is replenished, while discarding a part of the pure water.例文帳に追加

気液接触ユニットにガス不純物除去用の純水を滴下供給し、それを循環使用すると同時に一部を廃棄しつつ新たな純水を補給するガス不純物除去装置において、純水を効率よく使用して空気中のガス不純物除去効果を高めることにある。 - 特許庁

Using ion implantation N for forming the source/drain of an N channel field effect transistor, an over impurity introduction layer 10 is formed in a polysilicon gate 5 and N type impurities contained in the over impurity introduction layer 10 are diffused in the direction of an active region 7 in the polysilicon gate 5.例文帳に追加

Ｎチャネル電界効果型トランジスタのソース／ドレインを形成するためのイオン注入Ｎを用いて、多結晶シリコンゲート５にオーバー不純物導入層１０を形成し、オーバー不純物導入層１０に含まれるＮ型不純物を多結晶シリコンゲート５内でアクティブ領域７の方向に拡散させる。 - 特許庁

In addition, when a semiconductor laser is formed by leaving the semiconductor layer containing the impurity for forming window structure and the semiconductor layer doped with Si, etc., as they are, a reliable current non-injecting effect can be obtained in addition to the above-mentioned effect.例文帳に追加

また、窓領域を形成するための不純物を含有する半導体層とその上に積層させたＳｉなどをドープした半導体層とをそのまま残して半導体レーザを形成することにより、上述した効果に加えて、確実な電流非注入効果も得ることができる。 - 特許庁

The capacity lower electrode 109 is connected directly to an impurity diffused layer 105 of a first field-effect type transistor by a first contact plug 107 formed on the first protection insulating film 106, and the capacity upper electrode 111 is connected directly to the impurity layer 105 of a second field-effect type transistor by a second contact plug 108 formed on the first protection insulating film 106.例文帳に追加

容量下部電極１０９と第１の電界効果型トランジスタの不純物拡散層１０５とは第１の保護絶縁膜１０６に形成された第１のコンタクトプラグ１０７により直接に接続され、容量上部電極１１１と第２の電界効果型トランジスタの不純物拡散層１０５とは第１の保護絶縁膜１０６に形成された第２のコンタクトプラグ１０８により直接に接続されている。 - 特許庁

To provide a fuel cell device in which effect of impurity gas accumulated in a fuel supply space can be reduced even in a usage to repeat outputting and stopping and a usage with a small output current and a large load fluctuation.例文帳に追加

出力と停止とを繰り返す用途、小さな出力電流、負荷変動の大きな用途においても、燃料供給空間に蓄積した不純物ガスの影響を軽減できる燃料電池装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an effect of a metal impurity film for changing a work function of which a gate insulating film made of a high dielectric is not being damaged without significantly increasing a number of man-hours.例文帳に追加

工数を大幅に増加せず且つ高誘電体からなるゲート絶縁膜にダメージを与えることがない、仕事関数変更用金属不純物膜の効果を有する半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

In a process for forming a field-effect transistor on a single-crystal semiconductor substrate, impurity is introduced to form an extension region and a single crystal lattice is broken to make the extension region amorphous.例文帳に追加

単結晶半導体基板上に形成された電界効果トランジスタの作成過程において、エクステンション領域を形成するために不純物を導入するとともに、単結晶格子を崩してアモルファス化させる。 - 特許庁

Source and drain regions of the Fin structure field effect transistor are formed by solid phase diffusion positively using impurity injection after the formation of a contact hole 13 and the ooz-out of impurities from a polysilicon contact plug 14.例文帳に追加

Ｆｉｎ構造電界効果トランジスタのソース及びドレイン領域を、コンタクトホール１３形成後の不純物注入とポリシリコンコンタクトプラグ１４からの不純物染み出しを積極的に利用し、固相拡散により形成する。 - 特許庁

To provide a cure accelerator for epoxy resin having high cure acceleration effect on epoxy resin, imparting an epoxy resin with excellent moldability and giving a cured epoxy resin having low ionic impurity content and good electrical properties.例文帳に追加

エポキシ樹脂に対して硬化促進効果が高く、エポキシ樹脂の成形性に優れ、しかも、イオン性不純物が少なく電気特性の良好なエポキシ樹脂硬化物が得られるエポキシ樹脂用硬化促進剤を提供する。 - 特許庁

As explained above, the manufacturing process of a semiconductor can be simulated more accurately by considering the effect on the phenomenon of making amorphous silicon crystals at the time of implanting high concentration ions when the impurity diffusion is calculated.例文帳に追加

このように、高濃度イオン注入のシリコン結晶のアモルファス化現象による影響を不純物拡散計算中に考慮することにより、半導体の製造プロセスをより正確にシミュレーションすることができる。 - 特許庁

In a method for manufacturing an insulated gate field effect transistor, two source-drain regions 10 are formed in a P well 3 by performing impurity ion implantation and activation annealing while using a gate stack 7 and a spacer of a sidewall insulating film 9 having a predetermined width as a mask.例文帳に追加

ゲートスタック７と側壁絶縁膜９からなる所定の幅のスペーサをマスクとする不純物のイオン注入と活性化アニールにより、２つのソース・ドレイン領域１０をＰウェル３に形成する。 - 特許庁

A reference voltage source circuit comprises a first pair field effect transistor circuit having conductive gates with different polarities, a second pair field effect transistor circuit having gates with the same conductivity and different impurity concentrations, and a compound circuit for composing differences in work functions of the gate electrodes of the first and second pair field effect transistors at an arbitrary ratio.例文帳に追加

基準電圧源回路は、導電型の極性が異なるゲートを有する第１のペア電界効果トランジスタ回路と、同一の導電型で不純物の濃度が異なるゲートを有する第２のペア電界効果トランジスタ回路と、第１及び第２のペア電界効果トランジスタのゲート電極の仕事関数差を任意の比で合成するための合成回路から構成される。 - 特許庁

The reference voltage source circuit of this invention comprises: a first pair field effect transistor circuit having gates with different conduction polarities; a second pair field effect transistor circuit having gates of the same conduction type with different impurity concentrations; and a synthesizing circuit for composing differences between work functions of the gate electrodes of the first and second pair field effect transistor circuits at an optional ratio.例文帳に追加

基準電圧源回路は、導電型の極性が異なるゲートを有する第１のペア電界効果トランジスタ回路と、同一の導電型で不純物の濃度が異なるゲートを有する第２のペア電界効果トランジスタ回路と、第１及び第２のペア電界効果トランジスタのゲート電極の仕事関数差を任意の比で合成するための合成回路から構成される。 - 特許庁

The opening area 7b is formed in such a way that the impurity made incident to the substrate 1 obliquely to the main surface of the substrate 1 is not introduced to the substrate 1 by a shadowing effect and the impurity made incident to the substrate 1 perpendicularly or nearly perpendicularly to the main surface of the substrate 1 can be introduced to the substrate 1.例文帳に追加

この開口領域７ｂは、半導体基板１の主面に対して斜めに入射される不純物がシャドウィング効果により半導体基板１に導入されないように形成され、半導体基板１の主面に対して垂直またはその近傍の角度で入射する不純物が半導体基板１に導入されるように形成されている。 - 特許庁

To enhance the removal effect of gas impurities in air by efficiently using absorbing liquid, in a gas impurity removal apparatus wherein the absorbing liquid for gas impurity removing is dripped and supplied to gas/liquid contact units, and the absorbing liquid is circulated and used, and new absorbing liquid is replenished while discarding a part of the absorbing liquid.例文帳に追加

気液接触ユニットにガス不純物除去用の吸収液を滴下供給し、その吸収液を循環して再使用すると同時に一部を廃棄しながら新たな吸収液を補給するガス不純物除去装置において、吸収液を効率よく使用して空気中のガス不純物の除去効果を高めることにある。 - 特許庁

Particularly, the Mg group alloy obtains satisfactory molding ability and corrosionproof characteristic by setting the element to be added and impurity element to a prescribed value and thereby distinctive effect can be obtained also for reduction in noise and reduction in weight of the dynamo-electric machine.例文帳に追加

特に、Ｍｇ基合金は、その添加元素および不純物元素を所定の値にすることにより、成形性や耐食性が良好となり、かつ上記回転電機の低騒音化および軽量化にも顕著な効果が得られる。 - 特許庁

To obtain a releasing effect identical or superior to a condition possessed by a high concentration amine compound having high permeability even to a deteriorated and hardened part of a resist film formed in an impurity doping step, in a dry-etching step, etc.例文帳に追加

不純物注入工程やドライエッチング工程等によって生じたレジスト膜の変質硬化部位に対しても浸透性が高く、高濃度アミン化合物と有する条件と同等以上の剥離効果を得ることを可能とする。 - 特許庁

To provide a method of designing a MOS transistor, which can raise the accuracy of the design of the transistor in consideration of the effect of reduction of impurity concentration within a channel.例文帳に追加

従来はゲート長が０．１μｍを切るとチャネル内不純物濃度が、ほぼゲート長のべき乗で減少するという現象を全く考慮していないため、実際のＭＯＳトランジスタのしきい値電圧が設計値よりも低くなってしまう。 - 特許庁

To provide an insulated-gate field-effect semiconductor device, in which impurity for applying one conductivity is prevented from going through a gate electrode constituted of a semiconductor and from spreading to a channel formation area.例文帳に追加

半導体で構成されたゲート電極中から、一導電型を付与する不純物がゲート電極を突き抜け、チャネル形成領域に拡散してしまうことを防ぐ絶縁ゲート型電界効果半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

To allow the shapes of diffused source and drain layers to be made shallow in the depth direction and small in the lateral direction, and to allow redistribution of the impurity in a diffused extension layer to be suppressed, while suppressing manifestation of short channel effect accompanied with miniaturization.例文帳に追加

微細化に伴う短チャネル効果の顕在化を抑制しながら、ソース・ドレイン拡散層の形状を深さ方向で浅く且つ横方向で小さくできるようにし、エクステンション拡散層の再分布をも抑制できるようにする。 - 特許庁

To provide a method of purifying a trichlorosilane which is to be a raw material for polycrystalline silicon, superior in purifying effect by effectively separating and removing impurities such as boron, and also causing no fear to generate a pollution problem due to a impurity removing agent.例文帳に追加

多結晶シリコンの原料となる三塩化シランについて、ホウ素等の不純物を効果的に分離除去し、かつ不純物除去剤による汚染の問題を生じる虞もない精製効果に優れた精製方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device including complementary field effect transistors, a p-type impurity diffusion region 5a to become an emitter electrode of a parasitically formed bipolar transistor and an n-type impurity diffusion region 3 electrically connected to a power supply line 14 are connected by connection wiring 40 formed of a high-melting point metal silicide having n-type impurities.例文帳に追加

相補型電界効果型トランジスタを含む半導体装置において、寄生的に形成されるバイポーラトランジスタのエミッタ電極となるｐ型不純物拡散領域５ａと、電源供給線１４と電気的に接続されているｎ型不純物拡散領域３とを、ｎ型不純物を有する高融点金属シリサイドからなる接続配線４０により接続する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display panel which prevents an effect of static electricity on a color filter substrate side and the elution of impurity into a liquid crystal layer from a color filter substrate, and hardly causes display irregularity with respect to an in-plane switching (IPS) type liquid crystal display panel.例文帳に追加

横電界方式の液晶表示パネルであって、カラーフィルタ基板側の静電気の影響およびカラーフィルタ基板から液晶層への不純物の溶出を防止すると共に、表示むらが生じにくい液晶表示パネルを提供する。 - 特許庁

Since the cleaning solution is an acidic solution containing organic acid and has a pH value of 4 or less, the fine particles 13 are charged negatively similar to the surface of the substrate 11, and at the same time, the metallic impurity ions in the solution become negative complex ions due to the complexing effect of the organic acid.例文帳に追加

洗浄液が有機酸を含むｐＨ４以下の酸性溶液であるため微粒子は基板表面と同じマイナスに荷電されるとともに有機酸の錯化効果により液中の金属不純物イオンはマイナスの錯イオンとなる。 - 特許庁

To manufacture a crystalline thin film semiconductor device having good characteristics by improving the p-n junction, p-i-n junction or crystallinity of a semiconductor film in a channel forming region and minimizing an impurity concentration having an adverse effect on the characteristics.例文帳に追加

ｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合またはチャネル形成領域の半導体膜の結晶性を良好にし、特性に悪影響を及ぼす不純物濃度を極力低減して、良好な特性の結晶性薄膜半導体装置を作製する。 - 特許庁

An impurity introduction step is performed to introduce impurities into a semiconductor layer 1a on one surface 10s side of a substrate body 10w when a pixel transistor composed of an electric field effect transistor of LDD structure is formed on the one surface 10s.例文帳に追加

ＬＤＤ構造の電界効果型トランジスターからなる画素トランジスターを基板本体１０ｗの一方面１０ｓに形成するにあたって、一方面１０ｓ側の半導体層１ａに不純物を導入する不純物導入工程を行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor device suppressing channeling in ion implantation for forming source region/drain region, forming low resitant and shallow impurity diffusion region, and having micro MOS transistor advantageous to short channel effect.例文帳に追加

ソース領域／ドレイン領域を形成するためのイオン注入時のチャネリングを抑止し、低抵抗で浅い不純物拡散領域が形成され、短チャネル効果に対して有利な微細ＭＯＳトランジスタを有す半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device with reduced narrow-channel width effect (fluctuation in threshold voltage, caused by an impurity implanted for adjusting the threshold voltage).例文帳に追加

しきい値電圧調整のために素子形成領域に注入した不純物が、素子分離領域を構成するシリコン酸化膜によって拡散され、不純物の偏析が生じ、これが要因となってしきい値電圧が変動する狭チャネル幅効果が生じる。 - 特許庁

Since a length L2 of a silicide layer 20a1 in the structure 4 is as long as to cause a thin wire effect, most (or all) of the current flows not through the silicide layer 20a1 but from an n+ type impurity zone 26a to a p type zone 15a.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ構造体４のシリサイド層２０ａ１の長さＬ２は、細線効果を生じる大きさなので、電流の大部分（または全部）は、シリサイド層２０ａ１を経由することなく、ｎ^+型不純物領域２６ａからｐ型領域１５ａへと流れる。 - 特許庁

A protective insulating film 14 is deposited on a field effect transistor provided on a semiconductor substrate 10, and a contact plug 15 whose lower end is connected to the impurity diffused layer 13 is formed in the protective insulating film 14.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成された電界効果型トランジスタの上には保護絶縁膜１４が堆積されており、該保護絶縁膜１４中には、下端部が電界効果型トランジスタの不純物拡散層１３と接続するコンタクトプラグ１５が形成されている。 - 特許庁

The field-effect transistor can have a semiconductor substrate surface prevented from being made amorphous in a region where a heavily-doped impurity is ion-implanted even in such a case by providing a buffer film 41 over parts constituting the source region and drain region.例文帳に追加

本発明の電界効果型トランジスタは、ソース領域およびドレイン領域を構成する部分の上部に緩衝膜を設けることで、高濃度不純物のイオン注入を行っても、この領域の半導体基板表面がアモルファス化することを防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device including MOS field effect transistors or the like capable of performing manufacturing by avoiding an inverting layer from being produced beneath a dummy gate even in the case of ion implantation of a conductive impurity with positive electric charges to thereby prevent accelerated diffusion.例文帳に追加

プラスの電荷を有する導電性不純物をイオン注入してもダミーゲート直下に反転層を生成させず、これにより増速拡散を防止して製造できるＭＯＳ型電界効果トランジスタなどを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁