impurity centerとは 意味・読み方・使い方

To provide a continuous casting method and apparatus, wherein a cast slab having excellent inner quality with less center porosity is obtained by preventing segregation of impurity elements such as sulfur, phosphorus, and manganese existing at the center of the thickness of a cast slab.例文帳に追加

鋳片厚み中心部に見られる不純物元素、硫黄、リン、マンガンなどの偏析を防止し、センターポロシティの少ない内部品質の良好な鋳片を得ることのできる連続鋳造方法及び装置を提供する - 特許庁

The gate electrode is formed as a split gate electrode split by a slit and a first p-type impurity region is provided on a surface of an n-type semiconductor layer almost at the center of the slit.例文帳に追加

ゲート電極はスリットで分離された分離ゲート電極とし、スリットの略中央のｎ−型半導体層表面に第１ｐ型不純物領域を設ける。 - 特許庁

Impurity ions incident toward the center of the openings OP of the filter FL can keep going straight and pass through the openings OP, while impurity ions incident toward the regions other than the center of the openings OP of the filter FL cannot pass through the openings OP because the travelling direction is changed by an electric field of the filter FL.例文帳に追加

フィルタＦＬの開口部ＯＰの中央部に向かって入射した不純物イオンは、そのまま直進して開口部ＯＰを通過することができるが、フィルタＦＬの開口部ＯＰの中央部以外の領域に向かって入射する不純物イオンは、フィルタＦＬによる電場によって進行方向が曲げられて、開口部ＯＰを通過することができない。 - 特許庁

A channel region has a first halo region extended from the center of the channel region toward the surfaces of source and drain extension regions and having a first conductivity-type impurity concentration higher than that of the center part thereof and also has a second halo region, located at a position deeper than the lower part of the first halo region and having a first conductivity-type impurity concentration higher therethan.例文帳に追加

チャネル領域においては、チャネル領域中央からソースおよびドレインのエクステンション領域の表面側に向けては中央部よりも濃い第１導電型不純物濃度を持つ第１ハロー領域と、第１ハロー領域下部の深い位置には、さらに濃い第１導電型不純物濃度を持つ第２ハロー領域を有する。 - 特許庁

To prevent the thickness or impurity density of each semiconductor layer except for the semiconductor layer positioned at the center of a trench in a bottom direction thereof from being thinner than the thickness or the impurity density in a side direction, when a semiconductor device including two or more semiconductor layers embedded in the trench is manufactured.例文帳に追加

トレンチ内に二層以上の半導体層を埋め込む半導体デバイスを製造するとき、トレンチの中央に位置する半導体層を除く各半導体層における底面方向での厚さや不純物濃度が、側面方向での厚さや不純物濃度よりも薄くなるのを抑制する。 - 特許庁

In a semiconductor device 1A, which comprises an MIS transistor, a highly-doped impurity region 20, whose impurity concentration is higher than that at the center of the channel-forming section 4 is formed in an end part 4a on the field edge side of the channel formation section 4, which is immediately below a gate electrode 6.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタからなる半導体装置１Ａにおいて、ゲート電極６の直下のチャネル形成部４のフィールドエッジ側端部４ａに、不純物濃度がチャネル形成部４の中央部の不純物濃度よりも高い高濃度不純物領域２０を形成する。 - 特許庁

The wafer is bisected along a center line 21 of a nondiffusing layer 20, and a diffusion wafer 22a having a double-layer structure of the high concentration impurity diffusion layer 19 and the nondiffusing layer 20 is formed as two wafers.例文帳に追加

そして、非拡散層２０の中央線２１に沿って二分割し、高濃度不純物拡散層１９と非拡散層２０の２層構造の拡散ウェーハ２２ａを２枚に形成する。 - 特許庁

Thus, a structure can be readily formed using the FZ wafer, wherein a peak impurity concentration resides proximate to a center of a substrate and is decreasingly graded toward both of the principal planes of the substrate.例文帳に追加

これにより、ＦＺウエーハを用いて容易に基板の中央付近に不純物濃度のピークを有し、基板の両主面に緩やかに不純物濃度が減少する構造を形成することができる。 - 特許庁