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impurity atomsとは 意味・読み方・使い方
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「impurity atoms」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 70件
DIFFUSION METHOD AND DIFFUSION DEVICE OF IMPURITY ATOMS例文帳に追加
不純物原子の拡散方法および拡散装置 - 特許庁
The laminated wafer is thermally treated for 120 minutes at 700°C and hydrogen atoms combined with impurity atoms during crystal growth the separated therefrom.例文帳に追加
この積層体ウェハを700℃で120分間熱処理して、結晶成長時に不純物原子と結合した水素を分離する。 - 特許庁
Wherein, the concentration of surface impurity in the layer 12 is 1.0×10^18 atoms/cm^3 or more and 8.0×10^18 atoms/cm^3 or less.例文帳に追加
ここで、拡散層12の表面不純物濃度は1.0×10^18atoms/cm^3以上8.0×10^18atoms/cm^3以下となっている。 - 特許庁
In addition, the concentration of surface impurity in the region 13 is 1.0×10^19 atoms/cm^3 or more and 5.0×10^19 atoms/cm^3 or less.例文帳に追加
また、抵抗素子領域13の表面不純物濃度が1.0×10^19atoms/cm^3以上5.0×10^19atoms/cm^3以下となっている。 - 特許庁
(b) Impurity atoms are then doped into the silicon thin film by an ion implanting method.例文帳に追加
(b)次にイオン注入法で不純物原子をシリコン薄膜に注入する。 - 特許庁
this causes the amount of impurity atoms in the p-type clad layer 25 to be increased, making the carrier concentration high.例文帳に追加
こうして、p型クラッド層25の不純物原子のドープ量を多くしてキャリア濃度を高くする。 - 特許庁
Impurity density of the surface of the wafer may be 1×10^11 atoms/cm^2 or less.例文帳に追加
また、当該ウェハの表面の不純物密度を1×10^11atoms/cm^2以下とすればよい。 - 特許庁
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「impurity atoms」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 70件
In one embodiment, the majority carrier in the second semiconductor is electrons, and the second-impurity atoms lower the Fermi level of the second semiconductor which has the first-impurity atoms.例文帳に追加
一例として、当該第2半導体の多数キャリアは電子であり、第2不純物原子は、第1不純物原子を有する第2半導体のフェルミ準位を下降させる。 - 特許庁
The Si layer 14 comprises an n-type Si layer with the concentration of an n-type impurity of about 7×10^18 atoms cm^-3, and a p-type Si layer with the concentration of a p-type impurity of about 2×10^17 atoms cm^-3 which is formed on the n-type Si layer.例文帳に追加
Si層14は、n型不純物濃度が7x10^18atoms・cm^-3程度のn型Si層と、n型Si層の上に形成され、p型不純物濃度が2x10^17atoms・cm^-3程度のp型Si層とからなる。 - 特許庁
A semiconductor substrate is equipped with a first semiconductor and a second semiconductor formed over the first semiconductor, the second semiconductor having either an impurity which exhibits P-type conductivity or first-impurity atoms which exhibit N-type conductivity and further having second-impurity atoms which bring the Fermi level of the second semiconductor having the first-impurity atoms near to the Fermi level of the second semiconductor having no first-impurity atoms.例文帳に追加
第1半導体と、第1半導体の上方に形成された第2半導体とを備え、第2半導体は、P型の伝導型を示す不純物またはN型の伝導型を示す第1不純物原子と、第2半導体が第1不純物原子を有する場合のフェルミ準位を、第2半導体が第1不純物原子を有しない場合のフェルミ準位に近づける第2不純物原子とを有する半導体基板を提供する。 - 特許庁
An n^+-type semiconductor region 16 is charged positive because electrons of atoms of the high-concentration n-type impurity are drawn to a collector electrode 33.例文帳に追加
また、高濃度のn型不純物原子の電子がコレクタ電極33に引きつけられるため、n^+型半導体領域16は正に帯電する。 - 特許庁
In this state, the impurity atoms are integrated at an interface between the recrystallized layer 4 and the amorphous ion implantation layer 2 and form the concentration peak.例文帳に追加
このとき、再結晶化層4と非晶質のイオン注入層2との界面に不純物原子が集積し濃度ピークを形成する。 - 特許庁
The doped diamond layer 2 has a diamond composition doped with impurity atoms having concentration of 5×10^19 cm^-3 or more.例文帳に追加
ドープダイヤモンド層2は、ダイヤモンドに5×10^19cm^−3以上の濃度で不純物原子が導入されることにより構成されている。 - 特許庁
To provide a diffusion method and a diffusion device of impurity atoms with small variations in depth of diffusion between lots.例文帳に追加
ロット間における拡散深さのばらつきが小さい不純物原子の拡散方法および拡散装置を提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing the silicon carbide semiconductor element comprise the steps of generating silicon(Si) holes near an impurity ion implanted region, and reducing Si interstitial atoms.例文帳に追加
不純物イオン注入領域近傍にシリコン(Si)空孔を生成させ、Si格子間原子を減少させる。 - 特許庁
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