impurity atomとは 意味・読み方・使い方

A substance firmly bonding to an impurity containing a hydrogen atom in a film is introduced into a film-deposition chamber to bring it into reaction with the hydrogen-atom-containing impurity remained in the film deposition chamber to denature it to a hydrogen-atom-containing stable substance, thereby forming a highly purified oxide semiconductor layer.例文帳に追加

成膜中に水素原子を含む不純物と強く結合する物質を成膜室に導入して、成膜室に残留する水素原子を含む不純物と反応せしめ、水素原子を含む安定な物質に変性することで、高純度化された酸化物半導体層を形成する。 - 特許庁

It has been confirmed that carbon atom cluster ions (particularly C20) in uniform size are generated efficiently and the generation of impurity ions other than carbon atom is restrained.例文帳に追加

これまでに、サイズの揃った炭素原子クラスターイオン（特にＣ_20）を効率よく生成し、炭素原子以外の不純物イオンの生成が抑えられることが確認されている。 - 特許庁

Further, oxygen atom and elements lighter than oxygen are contained at least a location where the impurity concentration of the N^- drift layer 1 is maximum.例文帳に追加

さらに、少なくともＮ^-ドリフト層１の不純物濃度が極大となる箇所には、酸素原子と酸素よりも軽い元素が含まれている。 - 特許庁

An ion implantation layer 2 having impurity atoms which have peaks of impurity atom concentrations at a depth of 5-10 nm from the surface of a substrate 1 is formed, and the ion implantation layer 2 is recrystallized by recrystallization annealing.例文帳に追加

基板１表面から５〜１０ｎｍの深さに不純物原子濃度のピークを有する不純物原子のイオン注入層２を形成し、再結晶化熱処理によりイオン注入層２を再結晶化させる。 - 特許庁

The non-doped diamond layer 3 has such an extremely low impurity content that the atom concentration of elements except carbon is 5×10^17 cm^-3 or less.例文帳に追加

ノンドープダイヤモンド層３の不純物含有量は極めて小さく、炭素以外の元素の原子濃度は、５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

To obtain a polyarylene sulfide in which the content of an impurity comprising a nitrogen atom-containing compound is remarkably reduced, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

窒素原子を含有する化合物からなる不純物の含有量が著しく低減されたポリアリーレンスルフィドとその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Based on this fact, the characteristics of the Ba-containing oxide superconductor are improved by allowing the superconductor to have such a constitution that the content of the impurity carbon is controlled to be not more than 2.0 atom.%.例文帳に追加

これに基づき、Ba含有酸化物超電導体を不純物炭素の含有量が 2.0原子％以下に規制された構成として特性向上を図る。 - 特許庁

The impurity concentration in an oxide semiconductor layer is reduced in such a way that a silicon oxide layer including many defects typified by dangling bonds is formed in contact with the oxide semiconductor layer, and an impurity such as hydrogen or moisture (a hydrogen atom or a compound including a hydrogen atom such as H_2O) included in the oxide semiconductor layer is diffused into the silicon oxide layer.例文帳に追加

未結合手に代表される欠陥を多く含む酸化シリコン層を、酸化物半導体層に接して形成し、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、上記酸化シリコン層に拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。 - 特許庁