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impurity amountとは 意味・読み方・使い方
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「impurity amount」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 180件
To provide an impurity amount prediction method, capable of predicting a metal impurity amount in a transistor size of a product wafer.例文帳に追加
製品ウェハにおけるトランジスタ寸法での、金属不純物量を予測可能とする不純物量予測方法を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR ANALYZING AMOUNT OF IMPURITY ELUTED FROM ION EXCHANGE RESIN例文帳に追加
イオン交換樹脂から溶出する不純物量の分析方法 - 特許庁
Further, an ion plantation of a different second impurity having the same type of conductivity as the first impurity is carried out by a dose amount selected between the dose amount of the first impurity and that of the second impurity.例文帳に追加
さらに、第1不純物領域内に、第1不純物と同じ導電型を有する別の第2不純物を、第1不純物のドーズ量と第2のドーズ量の間で選択されたドーズ量でイオン注入する。 - 特許庁
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「impurity amount」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 180件
To cause sufficient impurity amount to diffuse at the lower-part electrode of a capacity element.例文帳に追加
容量素子の下部電極に充分な不純物を拡散させる。 - 特許庁
SILICON COMPONENT AND METHOD OF MEASURING AMOUNT OF METAL IMPURITY ON ITS SURFACE例文帳に追加
シリコン製部品およびその表面金属不純物量の測定方法 - 特許庁
APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING IMPURITY IMPLANTING AMOUNT例文帳に追加
不純物注入量計測装置および不純物注入量計測方法 - 特許庁
The impurity amount in an (n) drift region 12a is in the range of 100-150% or of 110-150% of the impurity amount in a (p) partitioning region.例文帳に追加
nドリフト領域12aの不純物量がp仕切り領域12bの不純物量の100〜150%の範囲内または110〜150%の範囲内とする。 - 特許庁
The amount of the first conductive type impurity compensating the second conductive type impurity in the first semiconductor region is larger than the amount of the first conductive type impurity compensating the second conductive type impurity in the third semiconductor region.例文帳に追加
そして、前記第1半導体領域の第2導電形不純物を補償する第1導電形不純物の量は、前記第3半導体領域の第2導電形不純物を補償する第1導電形不純物の量よりも多いことを特徴とする。 - 特許庁
In this method of producing the conductive impurity-doped GaAs semiconductive single crystal, arsenic is doped in a doping amount (the weight ratio of an amount of arsenic to an amount of crystal) of >7×10-5<3×10-4.例文帳に追加
ドープ量(結晶の重量に対する硼素の重量比)が7×10^-5より大きく3×10^-4より小さくなるように硼素をドープする。 - 特許庁
A predetermined amount of predetermined impurity is doped into one wafer, and thereby a wafer 5a for a blocking layer is formed.例文帳に追加
一方のウェハーに所定の不純物を所定量ドープし、ブロッキング層用ウェハー5aを形成する。 - 特許庁
To provide a method for producing a hydroxyalkylamine, by which a mixing amount of impurity aluminum is little.例文帳に追加
不純物アルミニウム混入量の少ないヒドロキシアルキルアミン類を製造する方法を提供する。 - 特許庁
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