impurity bandとは 意味・読み方・使い方

Excitation light is radiated to the measured object 100, thereby exciting the carriers existing from it to the impurity level (makes them transit to the valence band).例文帳に追加

測定対象物１００に励起光が照射されることで、そこから不純物準位に存在するキャリアを励起する（価電子帯に遷移させる）ことができる。 - 特許庁

The impurity implanted photoabsorbing layer 104 in the composition reducing the band gap energy per payer from n type layer clad layer side to p type clad layer side to be formed in semiconductor laminated structure of multiple layers 104A, B, C reducing the impurity concentration.例文帳に追加

不純物注入光吸収層は、ｎ型クラッド層側からｐ型クラッド層側に向かって、層毎にバンドギャップ・エネルギーが小さくなる組成を有し、かつ不純物濃度が低くなる複数層１０４Ａ、Ｂ、Ｃの半導体積層構造として形成されている。 - 特許庁

In a solar battery comprising p-type and n-type semiconductors jointed, the p-type semiconductor is a wide-band compound having a wide band of 1.5 eV or more, in a band gap width and having a chalcopyrite structure forming an intermediate level different from the impurity level in a gap.例文帳に追加

本発明の太陽電池は、ｐ型及びｎ型の半導体を接合してなる太陽電池において、ｐ型半導体は、バンドギャップ幅において1.5eV以上のワイドバンドを有し、ギャップ中に不純物準位とは異なる中間準位を形成したカルコパイライト構造を持つワイドバンド化合物であることを特徴とするものである。 - 特許庁

A material with a wider band gap than an (i) layer is used for an (n) layer, and phosphor is added to the (i) layer so that average impurity concentration is within a range of 3×1016 to 4×1017 atom/cm3.例文帳に追加

ｎ層にｉ層よりもバンドギャップの広い材料を用い、かつｉ層に、平均不純物濃度が３×１０^16〜４×１０^17原子/cm^3の範囲となるような燐添加をおこなう。 - 特許庁

The gate is composed of an intermetallic compound semiconductor having a semiconductor band structure and an electric conductivity in the range of 10^2 and 10^5 S.m^-1 under a state added with no impurity.例文帳に追加

不純物を加えない状態で１０^2Ｓ・ｍ^-1以上１０^5Ｓ・ｍ^-1以下の電気伝導率を持つとともに半導体バンド構造をも持つ金属間化合物半導体からなる。 - 特許庁

In the impurity diffusion layer 110, impurities which show acceptor properties to the AlGaN layer 104 are diffused, and an impurity level obtained through coupling nitrogen holes of the AlGaN layer 104 with the impurities is formed nearby a conduction band end of the AlGaN layer 104.例文帳に追加

不純物拡散層１１０は、ＡｌＧａＮ層１０４に対しアクセプタ性を示す不純物が拡散し、且つ、ＡｌＧａＮ層１０４における窒素空孔と不純物とが結合してなる不純物準位が、ＡｌＧａＮ層１０４の伝導帯端の近傍に形成される。 - 特許庁

To enhance conductivity by preventing impurity levels from being formed in the band gap of a metal oxide semiconductor which constitutes a photoelectric converter so that characteristic deterioration or carrier mobility reduction does not occur caused by trapping.例文帳に追加

光電変換装置を構成する金属酸化物半導体のバンドギャップ内に不純物準位を形成せず、トラップによる特性劣化やキャリア移動度の低下が無く、導電性の向上を図ること。 - 特許庁

A p/i interfacial layer 5 such as amorphous silicon (a-Si) of p-type and low impurity concentration whose band gap is wider than that of a p-layer 6 is held between the μc-Si p-layer 6 and an amorphous silicon germanium (a-SiGe) i-layer 4.例文帳に追加

μc-Siのｐ層６と非晶質シリコンゲルマニウム（a-SiGe）のｉ層４との間に、ｐ層６よりバンドギャップが広く、ｐ型で低不純物濃度の例えば非晶質シリコン（a-Si）のｐ／ｉ界面層５を挟む。 - 特許庁