impurity bandとは 意味・読み方・使い方

The impurity implanted photoabsorbing layer 104 in the composition reducing the band gap energy per payer from n type layer clad layer side to p type clad layer side to be formed in semiconductor laminated structure of multiple layers 104A, B, C reducing the impurity concentration.例文帳に追加

不純物注入光吸収層は、ｎ型クラッド層側からｐ型クラッド層側に向かって、層毎にバンドギャップ・エネルギーが小さくなる組成を有し、かつ不純物濃度が低くなる複数層１０４Ａ、Ｂ、Ｃの半導体積層構造として形成されている。 - 特許庁

The lower layer resistor 7 is formed by introducing impurity ions in stripe and band shapes into one layer of nondoped polysilicon film 5 while being self-aligned with and defined by the upper layer resistor 11.例文帳に追加

下層抵抗体７は上層抵抗体１１に対して自己整合的に１層のノンドープポリシリコン膜５に帯状かつ縞状に不純物イオンが導入されて形成されたものであり、上層抵抗体１１により画定されている。 - 特許庁

The gate is composed of an intermetallic compound semiconductor having a semiconductor band structure and an electric conductivity in the range of 10^2 and 10^5 S.m^-1 under a state added with no impurity.例文帳に追加

不純物を加えない状態で１０^2Ｓ・ｍ^-1以上１０^5Ｓ・ｍ^-1以下の電気伝導率を持つとともに半導体バンド構造をも持つ金属間化合物半導体からなる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting device having a band gap structure for efficiently accelerating production of a carrier by suppressing an amount of doping impurity such as Si.例文帳に追加

Ｓｉ等の不純物をドープする量を抑えるとともに、効率よくキャリアの発生を促すことができるバンドギャップ構造を有する窒化物半導体発光素子を提案することを目的とする。 - 特許庁

To enhance conductivity by preventing impurity levels from being formed in the band gap of a metal oxide semiconductor which constitutes a photoelectric converter so that characteristic deterioration or carrier mobility reduction does not occur caused by trapping.例文帳に追加

光電変換装置を構成する金属酸化物半導体のバンドギャップ内に不純物準位を形成せず、トラップによる特性劣化やキャリア移動度の低下が無く、導電性の向上を図ること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a high-k material is used for a gate insulating film, and the occurrence of an impurity state in a band gap is suppressed.例文帳に追加

Ｈｉｇｈ−ｋ材料を用いたゲート絶縁膜において、バンドギャップ中の準位の発生を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

For each analytic node being set on the analytic region, contribution of an auxiliary band within a specified distance from the analytic node to the impurity concentration is calculated using an analytic function (Figs. (c), (d)).例文帳に追加

解析領域上に設定される解析節点ごとに、その解析節点から所定距離内にある補助バンドからの不純物濃度についての寄与を、解析関数を用いて算出し（図１（ｃ），（ｄ））、それらを重ね合わせる。 - 特許庁

To provide a method by which the impurity band light-emission of a crystal can be reduced, the crystal having good transparency can be obtained, and the flatness of the crystal can be improved when a GaN single crystal is grown by a flux method using a Ga-Na-based melt.例文帳に追加

Ｇａ−Ｎａ系融液を用いてＧａＮ単結晶をフラックス法で育成するのに際して、結晶の不純物帯発光を低減し、透明度の良好な結晶を得、結晶の平坦性も向上させる方法を提供する。 - 特許庁