「impurity band」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In order to enlarge the frequency band, the buried layer 502 of a photodiode is buried deep or impurity concentration of the buried layer is reduced.例文帳に追加

周波数帯域を拡大するために、ホトダイオードの埋め込み層５０２を深く埋め込むこと、あるいは埋め込み層の不純物濃度を減少させる。 - 特許庁

In the impurity diffusion layer 110, impurities which show acceptor properties to the AlGaN layer 104 are diffused, and an impurity level obtained through coupling nitrogen holes of the AlGaN layer 104 with the impurities is formed nearby a conduction band end of the AlGaN layer 104.例文帳に追加

不純物拡散層１１０は、ＡｌＧａＮ層１０４に対しアクセプタ性を示す不純物が拡散し、且つ、ＡｌＧａＮ層１０４における窒素空孔と不純物とが結合してなる不純物準位が、ＡｌＧａＮ層１０４の伝導帯端の近傍に形成される。 - 特許庁

The impurity implanted photoabsorbing layer 104 in the composition reducing the band gap energy per payer from n type layer clad layer side to p type clad layer side to be formed in semiconductor laminated structure of multiple layers 104A, B, C reducing the impurity concentration.例文帳に追加

不純物注入光吸収層は、ｎ型クラッド層側からｐ型クラッド層側に向かって、層毎にバンドギャップ・エネルギーが小さくなる組成を有し、かつ不純物濃度が低くなる複数層１０４Ａ、Ｂ、Ｃの半導体積層構造として形成されている。 - 特許庁

The lower layer resistor 7 is formed by introducing impurity ions in stripe and band shapes into one layer of nondoped polysilicon film 5 while being self-aligned with and defined by the upper layer resistor 11.例文帳に追加

下層抵抗体７は上層抵抗体１１に対して自己整合的に１層のノンドープポリシリコン膜５に帯状かつ縞状に不純物イオンが導入されて形成されたものであり、上層抵抗体１１により画定されている。 - 特許庁

The gate is composed of an intermetallic compound semiconductor having a semiconductor band structure and an electric conductivity in the range of 10^2 and 10^5 S.m^-1 under a state added with no impurity.例文帳に追加

不純物を加えない状態で１０^2Ｓ・ｍ^-1以上１０^5Ｓ・ｍ^-1以下の電気伝導率を持つとともに半導体バンド構造をも持つ金属間化合物半導体からなる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting device having a band gap structure for efficiently accelerating production of a carrier by suppressing an amount of doping impurity such as Si.例文帳に追加

Ｓｉ等の不純物をドープする量を抑えるとともに、効率よくキャリアの発生を促すことができるバンドギャップ構造を有する窒化物半導体発光素子を提案することを目的とする。 - 特許庁

To enhance conductivity by preventing impurity levels from being formed in the band gap of a metal oxide semiconductor which constitutes a photoelectric converter so that characteristic deterioration or carrier mobility reduction does not occur caused by trapping.例文帳に追加

光電変換装置を構成する金属酸化物半導体のバンドギャップ内に不純物準位を形成せず、トラップによる特性劣化やキャリア移動度の低下が無く、導電性の向上を図ること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a high-k material is used for a gate insulating film, and the occurrence of an impurity state in a band gap is suppressed.例文帳に追加

Ｈｉｇｈ−ｋ材料を用いたゲート絶縁膜において、バンドギャップ中の準位の発生を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

For each analytic node being set on the analytic region, contribution of an auxiliary band within a specified distance from the analytic node to the impurity concentration is calculated using an analytic function (Figs. (c), (d)).例文帳に追加

解析領域上に設定される解析節点ごとに、その解析節点から所定距離内にある補助バンドからの不純物濃度についての寄与を、解析関数を用いて算出し（図１（ｃ），（ｄ））、それらを重ね合わせる。 - 特許庁

To provide a method by which the impurity band light-emission of a crystal can be reduced, the crystal having good transparency can be obtained, and the flatness of the crystal can be improved when a GaN single crystal is grown by a flux method using a Ga-Na-based melt.例文帳に追加

Ｇａ−Ｎａ系融液を用いてＧａＮ単結晶をフラックス法で育成するのに際して、結晶の不純物帯発光を低減し、透明度の良好な結晶を得、結晶の平坦性も向上させる方法を提供する。 - 特許庁

By introducing a body area having a larger band gap than the SiGe layer 24 and higher impurity under the SiGe layer 24, a threshold voltage is kept small to expand the operation range.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層２４の下方に、ＳｉＧｅ層２４よりもバンドギャップが大きく、かつ、より不純物濃度が高いボディ領域を導入することにより、しきい値電圧を小さく維持しつつ、動作範囲を拡大する。 - 特許庁

Excitation light is radiated to the measured object 100, thereby exciting the carriers existing from it to the impurity level (makes them transit to the valence band).例文帳に追加

測定対象物１００に励起光が照射されることで、そこから不純物準位に存在するキャリアを励起する（価電子帯に遷移させる）ことができる。 - 特許庁

To provide a light-receiving element having wavelength pass-band characteristics in which a high sensitivity rate is obtained, even in a thin filter layer, and the depth of impurity diffusion in a light-receiving part is equivalent to that of conventional pin photodiodes.例文帳に追加

薄いフィルタ層でも高い感度比が得られ、受光部における不純物拡散の深さは従来のｐｉｎフォトダイオードと同等である長波長パスバンド特性を有する受光素子を提供する。 - 特許庁

A material with a wider band gap than an (i) layer is used for an (n) layer, and phosphor is added to the (i) layer so that average impurity concentration is within a range of 3×1016 to 4×1017 atom/cm3.例文帳に追加

ｎ層にｉ層よりもバンドギャップの広い材料を用い、かつｉ層に、平均不純物濃度が３×１０^16〜４×１０^17原子/cm^3の範囲となるような燐添加をおこなう。 - 特許庁

Electron-hole pairs are efficiently gathered in the narrowest band gap area, and electromagnetic wave radiation via the impurity potential is carried out only in the area, and other areas are made high in resistance so as to suppress absorbing of the radiation electromagnetic wave.例文帳に追加

効率よく電子・正孔対を最狭バンドギャップ領域に集め、この領域でのみ不純物準位を介した電磁波放射を行わせ、他の領域は高抵抗にして、放射電磁波の吸収を抑えるようにする。 - 特許庁

A p/i interfacial layer 5 such as amorphous silicon (a-Si) of p-type and low impurity concentration whose band gap is wider than that of a p-layer 6 is held between the μc-Si p-layer 6 and an amorphous silicon germanium (a-SiGe) i-layer 4.例文帳に追加

μc-Siのｐ層６と非晶質シリコンゲルマニウム（a-SiGe）のｉ層４との間に、ｐ層６よりバンドギャップが広く、ｐ型で低不純物濃度の例えば非晶質シリコン（a-Si）のｐ／ｉ界面層５を挟む。 - 特許庁

A band gap of the AlGaN layer 34 is larger than those of the p-GaN layer 32 and SI-GaN layer 62, which has an impurity concentration of ≤1×10^17 cm^-3 as a character.例文帳に追加

ｐ−ＧａＮ層３２とＳＩ−ＧａＮ層６２よりもＡｌＧａＮ層３４のバンドギャップの方が大きく、さらに、ＳＩ−ＧａＮ層６２は、その不純物濃度が1×10^17cm^-3以下であることを特徴としている。 - 特許庁

In a solar battery comprising p-type and n-type semiconductors jointed, the p-type semiconductor is a wide-band compound having a wide band of 1.5 eV or more, in a band gap width and having a chalcopyrite structure forming an intermediate level different from the impurity level in a gap.例文帳に追加

本発明の太陽電池は、ｐ型及びｎ型の半導体を接合してなる太陽電池において、ｐ型半導体は、バンドギャップ幅において1.5eV以上のワイドバンドを有し、ギャップ中に不純物準位とは異なる中間準位を形成したカルコパイライト構造を持つワイドバンド化合物であることを特徴とするものである。 - 特許庁

At least in the high concentration impurity layer, a plurality of low refraction index regions 6 of which refraction indices of light are smaller than that of the high impurity concentration layer are arranged at constant intervals, a photonic crystal 21 is constituted which transmits the light of the predetermined wavelength band by having a periodic refraction index distribution in the main plane direction of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

少なくとも高濃度不純物層中に、高濃度不純物層よりも光に関する屈折率が小さい複数の低屈折率領域６が一定の間隔をもって配列され、半導体基板１の主面方向に周期的な屈折率分布を有することにより所定の波長帯の光を透過させるフォトニック結晶部２１が構成されている。 - 特許庁

The ESD protector 114 includes first and second semiconductor layers 109 and 113 containing an impurity of a first conductivity type, and a third semiconductor layer 111 formed between the first and second semiconductor layers 109 and 113, and having a wider forbidden band width than the first and second semiconductor layers 109 and 113 and an impurity concentration of ≤1×10^17 cm^-3.例文帳に追加

ＥＳＤ保護部１１４は、第１導電型の不純物を含有する第１及び第２の半導体層１０９、１１３と、第１及び第２の半導体層１０９、１１３の間に形成され、第１及び第２の半導体層１０９、１１３の禁制帯幅よりも禁制帯幅が広く、かつ、不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下である第３の半導体層１１１と、を備える。 - 特許庁

A semiconductor material whose band gap is larger than that of a silicon semiconductor is used for a semiconductor material for forming the transistor, and preferably, the concentration of an impurity which serves as a carrier donor of the semiconductor material is reduced, thereby reducing the off-current.例文帳に追加

トランジスタを形成するための半導体材料としてシリコン半導体よりも禁制帯幅（バンドギャップ）の広い半導体材料を用い、好ましくは、かかる半導体材料のキャリア供与体となる不純物の濃度を低減することでオフ電流の低減を図る。 - 特許庁

Then, the gate electrode 106 composed of a high-concentration n-type Ga_aIn_1-aN gate electrode 106a which has a smaller band gap than the second nitride semiconductor has and in which an n-type impurity is positively implanted, and an electrode 106b for gate voltage transmission.例文帳に追加

そして、ゲート電極１０６を、第２の窒化物半導体よりも小さなバンドギャップを有するｎ型不純物が積極的に注入された高濃度ｎ型Ｇａ_aＩｎ_1-aＮゲート電極１０６ａ、ゲート電圧伝送用電極１０６ｂによって構成する。 - 特許庁

A method for manufacturing a compound semiconductor device comprises a step of forming a delta-doped layer 112, having impurity concentration higher than that of a collector layer 103 on a region of about 10 nm or smaller, from a heterojunction interface to a set-back layer 104 of a collector layer 103, having a band gap larger than that of a base layer 105.例文帳に追加

ベース層１０５よりもバンドギャップが大きいコレクタ層１０３におけるセットバック層１０４とのヘテロ接合界面から１０ｎｍ程度以内の領域に、コレクタ層１０３よりも不純物濃度が高いデルタドープ層１１２が形成されている。 - 特許庁

Under a channel region, a body region which includes a region smaller in band gap than the channel region and is higher in impurity concentration than the channel region is formed, thereby keeping the threshold voltage low and further widening the operating range.例文帳に追加

チャネル領域の下方に、チャネル領域よりもバンドギャップが小さい領域を含み、かつ、チャネル領域よりも不純物濃度が高いボディ領域を導入することにより、しきい値電圧を小さく維持しつつ、動作範囲を拡大する。 - 特許庁

To provide a window structure which is effective in COD prevention without diffusing an impurity or irradiating a resonator end surface with laser light so as to expand a band gap nearby the resonator end surface in a process of manufacturing a semiconductor laser device.例文帳に追加

半導体レーザ装置の製造工程の中で、共振器端面近傍のバンドギャップを拡大するために、不純物の拡散を行なったり、共振器端面にレーザ光を照射したりしなくても、ＣＯＤ防止に有効な窓構造を実現する。 - 特許庁

An impurity concentration of the heavily doped DBR 112A is higher than that of the DBR 112B, and the band gap energy of the high refractive index layer in the heavily-doped DBR 112A is higher than energy at the wavelength of a resonator formed of the DBR 106, the active region, the current constriction layer, and the DBRs 112A and 112B.例文帳に追加

高濃度ＤＢＲ１１２Ａの不純物濃度は、ＤＢＲ１１２Ｂの不純物濃度よりも高く、高濃度ＤＢＲ１１２Ａの高屈折率層のバンドギャップエネルギーは、ＤＢＲ１０６、活性領域、電流狭窄層、ＤＢＲ１１２Ａ、１１２Ｂから形成される共振器波長のエネルギーよりも大きい。 - 特許庁

In the semiconductor electronic device including at least a nitride chemical compound semiconductor layer and an electrode in an area including a part of at least a surface of the nitride semiconductor layer, an impurity is added and band gap energy is smaller than that of the nitride semiconductor layer other than the area, and the electrode is configured in contact with the area.例文帳に追加

少なくとも窒化物系化合物半導体層と電極を有する半導体電子デバイスにおいて、前記窒化物系半導体層の少なくとも表面の一部を含む領域は不純物が添加されバンドギャップエネルギーが前記領域以外の該窒化物系半導体層のバンドギャップエネルギーよりも小さくなっており、かつ前記電極は該領域に接する状態であることを特徴とする半導体電子デバイス。 - 特許庁

To suppress an overflow carrier being leaked, as a minor carrier, from a first semiconductor layer to a second semiconductor layer over a junction barrier having lower impurity doping concentration in a semiconductor device, where a first semiconductor layer with a prescribed band gap and a second semiconductor layer having a band gap that is the same or larger than the first semiconductor layer are joined with each other.例文帳に追加

本発明は、所定のバンドギャップを有する第１の半導体層と、これと同一又はこれより大きなバンドギャップを有する第２の半導体層とを互いに接合してなる半導体素子において、第１の半導体層から第２の半導体層へ、接合障壁を越えて少数キャリアとして漏れて行くオーバーフローキャリアを、少ない不純物添加濃度において抑圧することが可能な半導体素子および半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The method for producing the fine complex particle contains one or more processes to grow a II-VI group compound different from band gap with the first II-VI group compound on the surface of the fine particle and one or more processes to grow the II-VI group compound at least different from impurity concentration.例文帳に追加

第一のII−VI族系化合物の微細粒子の表面に、前記第一のII−VI族系化合物とバンドギャップが異なるII−VI族系化合物を成長させる成長工程を１以上含むことを特徴とする複合微細粒子の製造方法および第一のII−VI族系化合物の微細粒子の表面に、前記第一のII−VI族系化合物と少なくとも不純物濃度が異なるII−VI族系化合物を成長させる成長工程を１以上含むことを特徴とする複合微細粒子の製造方法である。 - 特許庁