SI-GaNとは 意味・読み方・使い方

The inorganic mask 3 is formed by implanting Si and O or N ions into the GaN layer 2 and then heating it, by implanting Si ions into the GaN layer 2 and then heating it in an atmosphere containing O or N ions, or by selectively forming an Si film on the GaN layer and then oxidizing or nitrifying the Si film.例文帳に追加

無機マスク３はＧａＮ層２にＳｉとＯまたはＮをイオン注入後加熱するか、ＧａＮ層２にＳｉをイオン注入後、ＯまたはＮを含む雰囲気中で加熱するか、ＧａＮ層上にＳｉ膜を選択的に形成後Ｓｉ膜を酸化または窒化することにより形成される。 - 特許庁

Si^29 ions are then implanted in the GaN layer 2 under conditions where the GaN layer 2 does not take amorphous state easily.例文帳に追加

そして、ＧａＮ層２のアモルファス化の起こりにくい条件で、ＧａＮ層２にＳｉ^２９のイオン注入を行なう。 - 特許庁

To suppress braking of GaN crystal or warping of a substrate when the GaN crystal is epitaxial-grown on an Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させた場合の基板の反り、またはＧａＮ結晶の割れを抑制する。 - 特許庁

The substrate 1 is composed of Si-doped GaN, Ga_2O_3 or ZnO.例文帳に追加

前記基板１としては、ＳｉドープしたＧａＮ、Ｇａ_２Ｏ_３またはＺｎＯから成る。 - 特許庁

A thin film 5D containing Si is formed on the irregular surface of a first GaN layer 5C.例文帳に追加

第１のＧａＮ層５Ｃの凸凹表面に、Ｓｉを含む薄膜５Ｄを設ける。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device of high reliability by fabricating a GaN layer 11 on an Si substrate 10 without applying a physical force to the Si substrate 10.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０に物理的力を加えることなく、Ｓｉ基板１０上のＧａＮ層１１作製し、信頼性の高い半導体素子得ること。 - 特許庁

To suppress reduction of a resistance value of an Si substrate when growing AlN and GaN on the Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に、ＡｌＮ及びＧａＮを成長させるにあたり、Ｓｉ基板の抵抗値の低下を抑制する。 - 特許庁

Receiving light at the interface between the Si substrate 1 and the GaN layer 2 generates a photocurrent which flows along the interface between the Si substrate 1 and the GaN layer 2 as a two-dimensional carrier.例文帳に追加

また、Ｓｉ基板１とＧａＮ層２との界面で光を受光すると、光電流が発生するが、光電流は、ＧａＮとＳｉの界面を２次元性キャリアとして流れる。 - 特許庁