SI-GaNとは 意味・読み方・使い方

To suppress reduction of a resistance value of an Si substrate when growing AlN and GaN on the Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に、ＡｌＮ及びＧａＮを成長させるにあたり、Ｓｉ基板の抵抗値の低下を抑制する。 - 特許庁

Si^29 ions are then implanted in the GaN layer 2 under conditions where the GaN layer 2 does not take amorphous state easily.例文帳に追加

そして、ＧａＮ層２のアモルファス化の起こりにくい条件で、ＧａＮ層２にＳｉ^２９のイオン注入を行なう。 - 特許庁

The inorganic mask 3 is formed by implanting Si and O or N ions into the GaN layer 2 and then heating it, by implanting Si ions into the GaN layer 2 and then heating it in an atmosphere containing O or N ions, or by selectively forming an Si film on the GaN layer and then oxidizing or nitrifying the Si film.例文帳に追加

無機マスク３はＧａＮ層２にＳｉとＯまたはＮをイオン注入後加熱するか、ＧａＮ層２にＳｉをイオン注入後、ＯまたはＮを含む雰囲気中で加熱するか、ＧａＮ層上にＳｉ膜を選択的に形成後Ｓｉ膜を酸化または窒化することにより形成される。 - 特許庁

Since Si has an effect to prevent the crystal growth of GaN, the growth of the GaN crystal stops at the stage where Si is introduced into the mixed melt 14.例文帳に追加

ＳｉはＧａＮの結晶成長を阻害する効果があるため、混合融液１４にＳｉが導入された段階でＧａＮ結晶の成長が停止する。 - 特許庁

The substrate 1 is composed of Si-doped GaN, Ga_2O_3 or ZnO.例文帳に追加

前記基板１としては、ＳｉドープしたＧａＮ、Ｇａ_２Ｏ_３またはＺｎＯから成る。 - 特許庁

To suppress braking of GaN crystal or warping of a substrate when the GaN crystal is epitaxial-grown on an Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させた場合の基板の反り、またはＧａＮ結晶の割れを抑制する。 - 特許庁

A thin film 5D containing Si is formed on the irregular surface of a first GaN layer 5C.例文帳に追加

第１のＧａＮ層５Ｃの凸凹表面に、Ｓｉを含む薄膜５Ｄを設ける。 - 特許庁

Receiving light at the interface between the Si substrate 1 and the GaN layer 2 generates a photocurrent which flows along the interface between the Si substrate 1 and the GaN layer 2 as a two-dimensional carrier.例文帳に追加

また、Ｓｉ基板１とＧａＮ層２との界面で光を受光すると、光電流が発生するが、光電流は、ＧａＮとＳｉの界面を２次元性キャリアとして流れる。 - 特許庁