「impurity amount」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR ANALYZING AMOUNT OF IMPURITY ELUTED FROM ION EXCHANGE RESIN例文帳に追加

イオン交換樹脂から溶出する不純物量の分析方法 - 特許庁

Further, an ion plantation of a different second impurity having the same type of conductivity as the first impurity is carried out by a dose amount selected between the dose amount of the first impurity and that of the second impurity.例文帳に追加

さらに、第１不純物領域内に、第１不純物と同じ導電型を有する別の第２不純物を、第１不純物のドーズ量と第２のドーズ量の間で選択されたドーズ量でイオン注入する。 - 特許庁

To cause sufficient impurity amount to diffuse at the lower-part electrode of a capacity element.例文帳に追加

容量素子の下部電極に充分な不純物を拡散させる。 - 特許庁

SILICON COMPONENT AND METHOD OF MEASURING AMOUNT OF METAL IMPURITY ON ITS SURFACE例文帳に追加

シリコン製部品およびその表面金属不純物量の測定方法 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING IMPURITY IMPLANTING AMOUNT例文帳に追加

不純物注入量計測装置および不純物注入量計測方法 - 特許庁

The impurity amount in an (n) drift region 12a is in the range of 100-150% or of 110-150% of the impurity amount in a (p) partitioning region.例文帳に追加

ｎドリフト領域１２ａの不純物量がｐ仕切り領域１２ｂの不純物量の１００〜１５０％の範囲内または１１０〜１５０％の範囲内とする。 - 特許庁

The amount of the first conductive type impurity compensating the second conductive type impurity in the first semiconductor region is larger than the amount of the first conductive type impurity compensating the second conductive type impurity in the third semiconductor region.例文帳に追加

そして、前記第１半導体領域の第２導電形不純物を補償する第１導電形不純物の量は、前記第３半導体領域の第２導電形不純物を補償する第１導電形不純物の量よりも多いことを特徴とする。 - 特許庁

In this method of producing the conductive impurity-doped GaAs semiconductive single crystal, arsenic is doped in a doping amount (the weight ratio of an amount of arsenic to an amount of crystal) of >7×10-5<3×10-4.例文帳に追加

ドープ量（結晶の重量に対する硼素の重量比）が７×１０^-5より大きく３×１０^-4より小さくなるように硼素をドープする。 - 特許庁

A predetermined amount of predetermined impurity is doped into one wafer, and thereby a wafer 5a for a blocking layer is formed.例文帳に追加

一方のウェハーに所定の不純物を所定量ドープし、ブロッキング層用ウェハー5aを形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a hydroxyalkylamine, by which a mixing amount of impurity aluminum is little.例文帳に追加

不純物アルミニウム混入量の少ないヒドロキシアルキルアミン類を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Since the p-type impurity element is added through the opening for the cathode, the periphery of the opening is also doped with a slight amount of the p-type impurity element.例文帳に追加

カソード用開口部からｐ型不純物元素の添加を行うため、この開口部周辺も僅かながらｐ型不純物元素が添加される。 - 特許庁

In another aspect, the system contains a purifying facility for removing a slight amount of molecular impurity from the gas raw material stream to reduce presence of impurity.例文帳に追加

もう一つの側面において、システムは、ガス原料流から微量の分子状不純物を除去して不純物の存在を減らすための浄化装置を含む。 - 特許庁

That is to say, the profile of the impurity concentration in the transition zone is previously set so that the impurity concentration becomes sufficiently higher than the expected autodoping amount.例文帳に追加

つまり、予想されるオートドーピング量よりも不純物濃度が十分高くなるように、遷移領域の不純物濃度プロファイルを予め設定する。 - 特許庁

The third semiconductor layer 3 includes a fundamental part 3F and a high impurity amount part 3H formed locally such that the amount of the impurity becomes larger than the fundamental part in a depthwise direction.例文帳に追加

第３半導体層３は、基本部分３Ｆと、深さ方向において不純物量が基本部分よりも大きくなるように局所的に形成された高不純物量部分３Ｈと含む。 - 特許庁

A silicon thin film in which memory cell is formed contains a minute amount of n-type impurity, and is located near an intrinsic semiconductor.例文帳に追加

メモリセルが形成されるシリコン薄膜は、微量のｎ型不純物を含み、真性半導体に近い。 - 特許庁

this causes the amount of impurity atoms in the p-type clad layer 25 to be increased, making the carrier concentration high.例文帳に追加

こうして、ｐ型クラッド層２５の不純物原子のドープ量を多くしてキャリア濃度を高くする。 - 特許庁

To provide a method for effectively utilizing sand containing organic impurity in large amount, as aggregate.例文帳に追加

有機不純物を多量に含んだ砂を骨材として有効に利用するための方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING PHOTORESIST SOLUTION DECREASED IN AMOUNT OF IMPURITY, AND LIQUID REFINING APPARATUS FOR THE SAME例文帳に追加

不純物量の低減されたフォトレジスト溶液の製造方法及びそのための液体精製装置 - 特許庁

When the storage amount of impurity gas exceeds a prescribed value, impurity gas stored in the storage tank 50 is exhausted to the outside through piping 33 and an exhaust valve 60.例文帳に追加

貯留タンク５０に貯留された不純物ガスは、貯留量が所定値以上になったときに、配管３３および排出バルブ６０を介して、外部に排出される。 - 特許庁

The silicon single crystal has the resistivity of ≥100 Ωcm and to which an impurity whose amount is equivalent to the resistivity of <100 Ωcm and the dopant whose conductive type is opposite to that of the impurity and whose amount is equivalent to the resistivity of the impurity are added.例文帳に追加

並びに１００Ωｃｍ以上の抵抗率を有するシリコン単結晶であって、１００Ωｃｍ未満となる量の不純物と、該不純物とは導電型が反対極性で且つ前記不純物の抵抗率相当量のドーパントとが添加されたシリコン単結晶。 - 特許庁

The shell region 5 has an impurity concentration higher than that of the drift region 1 and having an effective impurity amount not higher than 8.0×10^11 cm^-2.例文帳に追加

シェル領域５は、ドリフト領域１よりも高い不純物濃度でかつシェル領域５の実効的な不純物量が８．０×１０^11ｃｍ^-2以下となる不純物濃度を有する。 - 特許庁

To provide a high purity epoxy resin with a reduced amount of impurity chlorine content without increase in an epoxy equivalent.例文帳に追加

エポキシ当量の上昇を招くことなく，不純物塩素量が低減された高純度エポキシ樹脂を提供すること。 - 特許庁

In this case, the superjunction layer is formed of basic units each comprising one (n) pillar layer 3 and two (p) pillar layers which are disposed on both sides of the (n) pillar layer 3, and each has an impurity amount a half as large as the impurity amount of the (n) pillar layer 3.例文帳に追加

このとき、１本のｎピラー層３と、このｎピラー層３の両脇に配置され、それぞれの不純物量がこのｎピラー層３の不純物量の半分である２本のｐピラー層とを基本単位として、スーパージャンクション構造を形成する。 - 特許庁

The fuel cell system opens the exhaust valve when accumulated amount of the impurity gas estimated by the first gas transmission amount estimation means exceeds a given volume.例文帳に追加

燃料電池システムは、第１のガス透過量推定手段が推定した不純物ガス量を積算した量が所定量以上のときに排出弁を開弁する。 - 特許庁

A first gas transmission amount estimation means estimates the amount of the impurity gas transmitted from the oxidant gas channel to the fuel gas channel through an electrolyte film of the fuel cell.例文帳に追加

第１のガス透過量推定手段は、酸化剤ガス通路から燃料電池の電解質膜を介して燃料ガス通路に透過する不純物ガス量を推定する。 - 特許庁

Hydrogen gas concentration and impurity gas concentration are calculated based on the average density, the mass flow rate of hydrogen gas is calculated based on the hydrogen gas concentration and the volume flow rate, and an existing amount of the impurity gas is calculated based on the impurity gas concentration, pressure, and temperature.例文帳に追加

そして、前記平均密度から水素ガス濃度及び不純物ガス濃度を演算すると共に、該水素ガス濃度と体積流量から水素ガスの質量流量を演算し、不純物ガス濃度，圧力，温度から不純物ガス存在量を演算する。 - 特許庁

The barrier layer is composed of a semiconductor, more specifically, a semiconductor in which MgO is used as a base material and a small amount of an impurity is doped.例文帳に追加

より具体的には、バリア層がＭｇＯを基材とし、不純物が微量添加された半導体として構成される。 - 特許庁

An increase rate (A) of the impurity concentration derived from fuel gas is calculated on the basis of a hydrogen flow rate or an amount of power generation (S1).例文帳に追加

燃料ガス由来の不純物濃度の増加速度Ａを水素流量又は発電量に基づいて算出する（Ｓ１）。 - 特許庁

There is provided an epoxy-terminated (meth)acrylate represented by formula (1) containing an impurity represented by formula (2) or (3) in an amount of not greater than 0.5 wt.%.例文帳に追加

不純物式（２）又は（３）の含有量が０．５重量％以下である式（１）で示されるエポキシ基末端（メタ）アクリレート。 - 特許庁

Here, when the mass flow rate of hydrogen is at a threshold or lower and the existing amount of the impurity gas is at a threshold or higher, the purge is performed.例文帳に追加

ここで、水素質量流量が閾値以下で、かつ、不純物ガス存在量が閾値以上であるときに、パージを行わせる。 - 特許庁

To provide a method for depositing a diamond thin film of high quality in which the amount of impurity nitrogen intruded is reduced.例文帳に追加

不純物窒素の混入量が低減された高品位のダイヤモンド薄膜の成膜方法を提供しようとするものである。 - 特許庁

To provide a processor with high removal performance of impurity, superior operation performance which can reduce operation cost and the generation amount of secondary waste.例文帳に追加

不純物の除去能力が高く、運転性能に優れ、運転費を低減し、二次廃棄物の発生量を低減する。 - 特許庁

To provide a polyamine polyether polyol wherein a formation amount of an impurity is small and the odor generation is controlled and its manufacturing method.例文帳に追加

不純物生成量が少なく臭気の発生が抑制されたポリアミンポリエーテルポリオールおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The amount of impurity in a substrate, which is sliced out of a polycrystalline ingot obtained by melting the metallic silicon material and then by letting it coagulate unidirectionally, affects shunting in a solar cell, with the amount of impurity dependent on what part of the ingot the substrate is sliced out.例文帳に追加

金属級シリコン原料を溶解し一方向性凝固させて得た多結晶インゴットから基板を切り出すと、切り出す場所により凝集不純物の量が異なるが、基板中の不純物の量は太陽電池のシャントにも影響を及ぼす。 - 特許庁

To provide a simple and universal analysis method for completely separating a halide ion contained in a metal oxide as an impurity from the metal oxide and for determining the amount of halide ion that exists in the metal oxide as a small amount of impurity.例文帳に追加

金属酸化物中に不純物として含まれるハロゲン化物イオンを、金属酸化物から完全に分離し、金属酸化物に微量の不純物として存在するハロゲン化物イオン量を定量するための簡便で汎用的な分析方法を提供する。 - 特許庁

The inclination amount in the profile of the impurity concentration in the transition zone is consciously shifted to the high concentration side by positively supplying a gaseous dopant in a concentration sufficient to obtain an impurity concentration higher than an autodoping amount to the transition zone so that the profile of the impurity concentration in the transition zone liable to be affected by the autodoping phenomenon is maintained constant.例文帳に追加

オートドーピング現象の影響を受け易い遷移領域における不純物濃度プロファイルを一定に保つために、オートドーピング量よりも高い不純物濃度が得られる濃度のドーパントガスを遷移領域に敢えて供給し、遷移領域の不純物濃度プロファイルの傾斜量を意識的に高濃度側にシフトさせる。 - 特許庁

To provide a droplet dispensing device capable of dispensing accurately a very small amount of sample, reducing dispersion of a dispensation amount, and preventing interminglement of an impurity into the sample.例文帳に追加

本発明は、微少量のサンプル試料が精度良く分注されるとともに，分注量のばらつきが小さくでき，不純物がサンプル試料に混入しない液滴分注装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing variations in an amount of carbon impurity defects due to variations in an amount of charged particle irradiation.例文帳に追加

本発明は、荷電粒子照射量のばらつきによる炭素不純物欠陥量のばらつきを防止できる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a circulation purifying apparatus capable of reducing the amount of adsorption of impurity in a purification part after self-circulation operation.例文帳に追加

自己循環動作後の精製部における不純物の吸着量を減少させることができる循環精製装置を提供する。 - 特許庁

Thus, since the implanting amount of the impurity in the wafer can be directly measured simultaneously upon specific ion implantions in the wafer, its measuring accuracy is high.例文帳に追加

ウェハーへの特定のイオン注入と同時に不純物のウェハーへの注入量を直接計測できるので、計測精度が高い。 - 特許庁

Conversely, by using a solution containing a doping element, a desired amount of an impurity element can be contained in a single crystal.例文帳に追加

逆に、ドーピング元素を含む溶液を用いることにより、単結晶に所望量の不純物元素を含有させることも可能である。 - 特許庁

To suppress the increase in a manufacturing cost and a manufacturing time due to changing of a type or an amount of an impurity for each transistor in a previous process.例文帳に追加

前工程においてトランジスタごとに不純物の種類や量を変えることによる、製造コストや製造時間の増大を抑制する。 - 特許庁

To suppress an increase in a shift amount of a threshold voltage resulting from voltage stress even if millisecond annealing is used when an impurity is activated.例文帳に追加

不純物を活性化するときにミリ秒アニールを用いても、電圧ストレスに起因した閾値電圧のシフト量が大きくなることを抑制する。 - 特許庁

To provide a method for producing a fluorine-containing polymer having a high-quality sulfonic acid type group in a slight impurity amount, a high yield and a high efficiency.例文帳に追加

高収率及び高効率で、不純物量の少ない、高品質のスルホン酸型基を有する含フッ素ポリマーの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for purifying an N-substituted unsaturated amide, capable of obtaining the high quality N-substituted unsaturated amide crystal containing less amount of impurity.例文帳に追加

不純物量が少なく高品位のＮ−置換不飽和アミド結晶が得られるＮ−置換不飽和アミドの精製方法を提供する。 - 特許庁