「impurity distribution」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The concentration of the primary p-type impurity concentration distribution at the pn junction is higher than that of the secondary p-type impurity concentration distribution at the pn junction.例文帳に追加

第１のｐ型不純物濃度分布のｐｎ接合部での濃度は第２のｐ型不純物濃度分布のｐｎ接合部での濃度よりも高い。 - 特許庁

METHOD OF MEASURING IMPURITY CONCENTRATION DISTRIBUTION OF SEMICONDUCTOR WAFER AND APPARATUS FOR THE SAME例文帳に追加

半導体ウェハの不純物濃度分布測定方法およびそのための装置 - 特許庁

The distribution of impurity concentrations is provided in a p-type group-III nitride semiconductor layer 8.例文帳に追加

ｐ型のIII族窒化物半導体層８に不純物濃度の分布を設ける。 - 特許庁

METHOD FOR CALCULATING IMPURITY DISTRIBUTION AND ITS COMPUTER PROGRAM例文帳に追加

不純物分布計算方法およびそのコンピュータプログラム - 特許庁

To improve the accuracy in measurement of impurity concentration distribution by accurately indicating the boundary surface between an impurity layer and a semiconductor layer.例文帳に追加

不純物層と半導体層との境界面を正確に示すことにより、不純物濃度分布の測定精度を向上させる。 - 特許庁

The floating gate 15 comprises an impurity distribution structure provided with three doping layers 16, 17, and 18 which are high in impurity concentration.例文帳に追加

上記浮遊ゲート１５は、不純物濃度の高い３層のドーピング層１６，１７，１８を有する不純物分布構造を持っている。 - 特許庁

To carry out device simulation on the basis of a changed impurity- concentration distribution after impurity simulation data is changed by a simple operation.例文帳に追加

不純物シミュレーションデータを簡単な操作で変更して、変更後の不純物濃度分布に基づきデバイスシミュレーションを行うこと。 - 特許庁

To form the p-n junction of a variable capacitance diode to be shallow, to sharpen the distribution of impurity concentration and to lower the impurity concentration.例文帳に追加

可変容量ダイオードのｐｎ接合を浅く形成して、不純物濃度の分布を急峻にするとともに不純物濃度を低くすることである。 - 特許庁

Concerning the semiconductor element the gate length of which is the upper-limit gate length, an impurity injecting condition is determined to calculate representative impurity concentration distribution.例文帳に追加

ゲート長が上限ゲート長の半導体素子について、不純物注入条件を決定し、代表不純物濃度分布を計算する。 - 特許庁

To uniform a potential distribution between a first impurity region and a second impurity region (for example, a source and a drain).例文帳に追加

第１不純物領域−第２不純物領域間（たとえば、ソース−ドレイン間）の電位分布を均一にすること。 - 特許庁

By introducing P-type impurities into an N-type impurity concentration distribution for forming a super staircase PN junction, to balance out, a semiconductor layer in which the impurity concentration distribution in the PN junction part is made gentle compared with the impurity concentration distribution in which the super staircase PN junction is formed.例文帳に追加

超階段型ＰＮ接合を形成するためのＮ型不純物濃度分布に、Ｐ型不純物を導入して相殺させることにより、超階段型ＰＮ接合を形成する不純物濃度分布に比べて、ＰＮ接合部における不純物濃度分布をなだらかにした半導体層を設ける。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a sample for measuring the impurity distribution of a semiconductor capable of reducing the effect of the damage applied to a semiconductor sample and capable of acquiring the sharper data related to the impurity distribution, and a measuring method of the impurity distribution.例文帳に追加

半導体試料に加えられるダメージの影響の低減が可能で、より鮮明な不純物濃度分布に関する情報を取得することが可能な半導体の不純物分布測定用試料の製造方法および不純物分布測定方法を提供すること。 - 特許庁

To measure trace impurity concentration distribution in a micro region of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板中微少領域の微量な不純物濃度分布を測定することができる。 - 特許庁

CONCENTRATION DISTRIBUTION ESTIMATION UNIT OF IMPURITY IN ANODE AND FUEL CELL SYSTEM USING IT例文帳に追加

アノード内不純物質の濃度分布推定装置及びそれを利用する燃料電池システム - 特許庁

To make steep impurity density distribution in a channel direction, in an extension region.例文帳に追加

エクステンション領域におけるチャネル方向の不純物濃度分布を急峻にすることができる。 - 特許庁

METHOD FOR OPTIMIZING DENSITY DISTRIBUTION OF IMPURITY IN SEMICONDUCTOR DEVICE, AND EQUIPMENT AND RECORDING MEDIA THEREFOR例文帳に追加

半導体素子の不純物濃度分布の最適化方法、装置および記録媒体 - 特許庁

To perform process simulation with high impurity distribution precision in a short computation time.例文帳に追加

短い計算時間で不純物分布精度の高いプロセスシミュレーションを行う。 - 特許庁

MULTI-STAGE ION IMPLANTATION METHOD AND METHOD OF SIMULATING IMPURITY CONCENTRATION DISTRIBUTION例文帳に追加

多段イオン注入方法及び不純物濃度分布のシミュレーション方法 - 特許庁

Based on the led out impurity concentration distribution, the characteristic of the semiconductor is obtained.例文帳に追加

導出された不純物濃度分布に基づいて、半導体素子の特性を求める。 - 特許庁

The concentration distribution of p-type impurity remaining active in the p^+ region 12 is almost fixed.例文帳に追加

ただし、Ｐ＋領域１２におけるＰ型不純物のうち活性なものの濃度分布がほぼ一定である。 - 特許庁

To provide an impurity-concentration inspecting apparatus with which the impurity concentration of the whole of a semiconductor material as an object to be measured is measured and inspected simply, and with which the state of an impurity distribution is reproduced.例文帳に追加

被測定物たる半導体材料全体の不純物濃度を簡便に測定・検査し、不純物分布の様子を再生する不純物濃度検査装置を提供すること。 - 特許庁

A concentration distribution of the impurity varies in the vicinity of the surface of the substrate at the time of oxidation according to a size of a segregation coefficient of the impurity, a diffusion speed in an Si and an SiO_2 of the impurity, or the like, in an Si-SiO_2 interface.例文帳に追加

Ｓｉ−ＳｉＯ_2界面においては、不純物の偏析係数、不純物のＳｉ及びＳｉＯ_2中の拡散速度の大小等によって、酸化時に基板表面近くで不純物の濃度分布が変化する。 - 特許庁

In this solid-state image pickup device, the impurity concentration in the vertical transfer channel is made different from that in a horizontal transfer channel 30, by adding the impurity to a line-like first impurity area 60, having the same impurity concentration distribution as the channel 30 has.例文帳に追加

水平転送チャネル３０と同じ不純物濃度分布を有したライン状の第１不純物領域６０に不純物を追加することにより、垂直転送チャネルの不純物濃度分布が水平転送チャネル３０の不純物濃度分布と異なる。 - 特許庁

Due to this, the impurity concentration distribution can be made less steep in the depth direction, and the homogeneity of the in-plane distribution can be improved.例文帳に追加

このため、不純物濃度分布を深さ方向になだらかにできるとともに、面内分布の均一性を向上させることができる。 - 特許庁

To easily execute the extraction of impurity density distribution at a high speed from the electric characteristics of a MOS FET at the time of extracting the impurity density distribution in the horizontal direction of the channel surface of the MOS FET.例文帳に追加

MOS FET のチヤネル表面の横方向における不純物濃度分布を抽出する際、MOS FET の電気的特性から不純物濃度分布の抽出を高速かつ簡便に実行する。 - 特許庁

Concerning a semiconductor element having a gate length which is not shorter than the critical gate length and not longer than the upper-limit gate length, the impurity concentration distribution of the semiconductor element is led out based on the representative impurity concentration distribution.例文帳に追加

限界ゲート長以上であり、かつ上限ゲート長以下の長さのゲート長を有する半導体素子について、代表不純物濃度分布に基づいて、当該半導体素子の不純物濃度分布を導出する。 - 特許庁

A p-type semiconductor region composed of the p-type semiconductor layers 3 and 4 has an impurity concentration distribution that combines a primary p-type impurity concentration distribution having a primary diffusion depth and a primary peak concentration, and a secondary p-type impurity concentration distribution having a secondary diffusion depth shallower than the primary diffusion depth and a secondary peak concentration higher than the primary peak concentration.例文帳に追加

ｐ型半導体層３及び４からなるｐ型半導体領域は、第１の拡散深さ及び第１のピーク濃度を持つ第１のｐ型不純物濃度分布と第１の拡散深さよりも浅い第２の拡散深さ及び第１のピーク濃度よりも高い第２のピーク濃度を持つ第２のｐ型不純物濃度分布とを重ね合わせた不純物濃度分布を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device and the semiconductor device in which the concentration distribution of impurities in the depthwise direction of an impurity diffusion layer can be controlled, and the impurity diffusion layer displaying an approximately constant impurity concentration in the depth direction can be formed.例文帳に追加

不純物拡散層の深さ方向における不純物の濃度分布を制御することができ、深さ方向に対してほぼ一定の不純物濃度を示す不純物拡散層を形成することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

The gate length of the gate elelctrode is not more than 30 nm, the distance between the impurity diffusion region and the gate electrode edge is not more than 10 nm, and a lateral distribution of an impurity concentration in the impurity diffusion region is not less than 1 order of magnitude/3 nm.例文帳に追加

前記ゲート電極のゲート長は３０ｎｍ以下であり、前記不純物拡散領域とゲート電極エッジとの距離は１０ｎｍ以下であり、前記不純物拡散領域における不純物濃度の横方向の分布は、１桁／３ｎｍ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

The first impurity layer 109 has a first peak in an impurity concentration distribution in a depthwise direction, and the first peak is located in a shallower region than a junction depth of the source-drain region 108.例文帳に追加

第１の不純物層１０９は深さ方向の不純物濃度分布に第１のピークを持つと共に、該第１のピークはソース・ドレイン領域１０８の接合深さよりも浅い領域に位置している。 - 特許庁

The second impurity layer 110 has a second peak in the impurity concentration distribution in the depthwise direction, and the second peak is located in a region deeper than the first peak but shallower than the junction depth of the source-drain region 108.例文帳に追加

第２の不純物層１１０は深さ方向の不純物濃度分布に第２のピークを持つと共に、該第２のピークは第１のピークよりも深く且つソース・ドレイン領域１０８の接合深さよりも浅い領域に位置している。 - 特許庁

The entire analytic region in a semiconductor substrate for calculating the impurity distribution is split into auxiliary stripe bands along the incident direction of impurity ions (Figs. (a), (b)).例文帳に追加

不純物分布を計算すべき半導体基板内の領域である解析領域の全体を、不純物イオンの入射方向に沿った短冊状の補助バンドに分割する（図１（ａ），（ｂ））。 - 特許庁

The third activation treatment is carried out under the condition that the impurity concentration distribution gradient of the P-N junction be steeper than that of the first impurity diffusion region.例文帳に追加

そのｐｎ接合部における不純物濃度分布勾配が、第１の不純物拡散領域よりも急峻になる条件で第３の活性化処理を行う。 - 特許庁

To provide an impurity concentration measuring method capable of measuring impurity concentration distribution with high accuracy, when a substrate where an inert layer to etchant of a embedded oxide film does not exist.例文帳に追加

埋め込み酸化膜等のエッチャントに対して不活性な層が存在しない基板であっても高精度に不純物濃度分布の測定を行うことができる不純物濃度測定方法を提供する。 - 特許庁

In impurity regions 102 and 103, concentration gradient is given to the concentration distribution of an impurity element where a one-conductivity type is added, thus decreasing concentration at the side of a channel formation region 101, and increasing the concentration at the side of a semiconductor layer end section.例文帳に追加

不純物領域１０２、１０３において、一導電型を付与する不純物元素の濃度分布に濃度勾配を持たせ、チャネル形成領域１０１側で濃度が小さく、半導体層端部側で濃度が大きくする。 - 特許庁

Also, impurity concentration distribution is provided in the parallel pn layer 12 at the active section 10, and impurity concentration at a deep portion may be set higher than that of a shallow portion.例文帳に追加

また活性部１０の並列ｐｎ層１２に不純物濃度分布を設け、深い部分の不純物濃度を浅い部分のそれより高濃度にしてもよい。 - 特許庁

Another embodiment has a peak in the distribution in the layer thickness direction of the p-type impurity and/or the n-type impurity at the position of the hetero interface, formed by the p-type layer (4) and the n-type layer (5).例文帳に追加

一実施形態では、ｐ型層（４）と第２のｎ型層（５）とがなすヘテロ界面の位置に、ｐ型不純物および／またはｎ型不純物の層厚方向の分布のピークを有している。 - 特許庁

To provide a method by which a barium titanate powder having a narrow particle size distribution can be manufactured at a low cost while preventing mixing of a chlorine impurity.例文帳に追加

塩素不純物の混入防止しつつ、粒度分布の狭いチタン酸バリウム粉体を安価に製造することができる方法を提供すること。 - 特許庁

MULTI-HIERARCHICAL DATA BASE FOR PARAMETER EXPRESSING IMPURITY CONCENTRATION DISTRIBUTION PRODUCED BY ION IMPLANTATION AND ITS DATA EXTRACTING PROGRAM例文帳に追加

イオン注入の不純物濃度分布用パラメータにおける多階層構造のデータベース及びそれのデータ抽出プログラム - 特許庁

EXTRACTION METHOD AND EXTRACTION DEVICE FOR IMPURITY DENSITY DISTRIBUTION WITHIN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND EXTRACTION PROGRAM RECORDING MEDIUM例文帳に追加

半導体基板内不純物濃度分布の抽出方法、抽出装置および抽出プログラム記録媒体 - 特許庁

The source/drain area is previously formed on a substrate before a gate electrode is formed, so it is easy to control an impurity distribution in the channel.例文帳に追加

ゲート電極を形成する前にソース／ドレーン領域を基板にあらかじめ形成するので、チャンネルでの不純物分布の制御が容易である。 - 特許庁

The distribution of the impurity concentration of plural triple wells or the other wells is changed according to requested functions.例文帳に追加

複数のトリプルウェルやその他のウェルの不純物濃度分布を要求される機能に応じて変化させる。 - 特許庁

Further, the image sensor having the transfer gate electrode with essentially uniform impurity doping distribution is provided.例文帳に追加

さらに、実質的に均一な不純物ドーピング分布を有する転送ゲート電極を具備するイメージセンサが提供される。 - 特許庁

To provide a standard sample for depth calibration of secondary ion mass spectrometry which has an impurity concentration distribution in a shallow region like a transition region.例文帳に追加

遷移領域程度の浅い領域に不純物濃度分布を有する二次イオン質量分析法の深さ校正用の標準試料を提供する。 - 特許庁

METHOD AND PROGRAM FOR EXTRACTING PARAMETER EXPRESSING IMPURITY CONCENTRATION DISTRIBUTION PRODUCED BY ION IMPLANTATION例文帳に追加

イオン注入による不純物濃度分布を表現するパラメータの抽出方法及び抽出プログラム - 特許庁