「"impurity distribution"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The source/drain area is previously formed on a substrate before a gate electrode is formed, so it is easy to control an impurity distribution in the channel.例文帳に追加

ゲート電極を形成する前にソース／ドレーン領域を基板にあらかじめ形成するので、チャンネルでの不純物分布の制御が容易である。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having a halo layer with a steep impurity distribution, and a method of manufacturing the semiconductor element.例文帳に追加

急峻な不純物分布のｈａｌｏ層を備える半導体素子及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The floating gate 15 comprises an impurity distribution structure provided with three doping layers 16, 17, and 18 which are high in impurity concentration.例文帳に追加

上記浮遊ゲート１５は、不純物濃度の高い３層のドーピング層１６，１７，１８を有する不純物分布構造を持っている。 - 特許庁

To provide a method capable of measuring impurity distribution of a semiconductor device in a short time and with little labor.例文帳に追加

半導体装置の不純物分布を短時間で且つ少ない手間で測定することが可能な方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the low concentration well region 3a and the high breakdown voltage retainable region 4 are provided with the same impurity distribution.例文帳に追加

さらに、低濃度ウエル領域３ａと高耐圧保持可能領域４とは、同じ不純物分布を有する。 - 特許庁

To provide a processing method which can eliminate the need for high-temperature annealing causing a thermal history to unfavorably influence an impurity distribution in a substrate.例文帳に追加

熱履歴が基板中の不純物の分布に好ましくない影響を与えてしまう高温アニールを必要としない処理方法を提供する。 - 特許庁

Impurity distribution between the drain and the source in a channel region is also equalized, when the body-region forming method is used.例文帳に追加

上記ボディ領域形成方法を用いるとチャネル領域のドレイン・ソース間不純物分布も均一になる。 - 特許庁

A process simulator 21 executes process simulation to calculate a shape/impurity distribution 23.例文帳に追加

プロセスシミュレータ２１は、プロセスシミュレーションを実行して形状・不純物分布２３を算出する。 - 特許庁

An n^+ gate contact region and an n^+ source region are formed simultaneously, and the impurity distribution of them are set to be identical.例文帳に追加

また、ｎ^＋ゲートコンタクト領域とｎ^＋ソース領域を同時に形成し、両者の不純物分布を同一とする。 - 特許庁

To effectively prevent characteristic deterioration of an element due to diffusion of a dopant by forming a carbon planar doped layer having a sharp impurity distribution in the vertical direction.例文帳に追加

縦方向における不純物分布が急峻な、炭素のプレーナドープ層を形成して、ドーパントの拡散による素子特性の低下を効果的に防止する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrooptical device capable of forming a field effect transistor by controlling an impurity distribution in a semiconductor layer with new parameters.例文帳に追加

新たなパラメーターによって半導体層内における不純物分布を制御して電界効果型トランジスターを形成することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The entire analytic region in a semiconductor substrate for calculating the impurity distribution is split into auxiliary stripe bands along the incident direction of impurity ions (Figs. (a), (b)).例文帳に追加

不純物分布を計算すべき半導体基板内の領域である解析領域の全体を、不純物イオンの入射方向に沿った短冊状の補助バンドに分割する（図１（ａ），（ｂ））。 - 特許庁

To provide an method of evaluating a semiconductor device in which impurity distribution under the gate can be evaluated stably without damaging a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板にダメージを与えずに、ゲート下の不純物分布の正確な評価を安定して行うことのできる半導体装置の評価方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer capable of performing the exact evaluation of impurity distribution under a gate without giving damage to a silicon substrate, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

シリコン基板にダメージを与えずに、ゲート下の不純物分布の正確な評価を安定して行うことのできる半導体ウェーハとその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, capable of suppressing variations in impurity distribution of a gate electrode of effectively controlling the electric field concentration to an STI (shallow trench isolation) edge portion, and of suppressing that an effective channel width becomes narrow, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

ゲート電極の不純物分布のバラツキを抑え、ＳＴＩエッジ部分への電界集中をより効果的に制御でき、実効チャネル幅が狭くなることを抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a varactor having a structure which allows an impurity distribution in a depletion layer region to be controlled accurately and is easy to reduce a leak current.例文帳に追加

空乏層領域の不純物分布を精度よく制御できる構造を持ち、しかも容易にリーク電流を削減できる構造を持ったバラクタを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an impurity-concentration inspecting apparatus with which the impurity concentration of the whole of a semiconductor material as an object to be measured is measured and inspected simply, and with which the state of an impurity distribution is reproduced.例文帳に追加

被測定物たる半導体材料全体の不純物濃度を簡便に測定・検査し、不純物分布の様子を再生する不純物濃度検査装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film semiconductor device which makes it possible to form a good silicide/silicon interface, to form a low resistance source, drain region, and a contact, and to form an abrupt impurity distribution.例文帳に追加

良好なシリサイド／シリコン界面の形成、低抵抗のソース・ドレイン領域及びコンタクトの形成、及び急峻な不純物分布の形成を可能とする薄膜半導体素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To realize source drain diffusing layer by extremely shallow rectangular high concentration impurity distribution which cannot be realized in the conventional solid-phase growth with the liquid phase growth without giving any adverse effect on the gate electrode and also realize low power consumption, large current and high-speed operation of an ultra-fine semiconductor device.例文帳に追加

従来の固相成長では実現不可能な極浅矩形高濃度不純物分布によるソース・ドレイン拡散層をゲート電極に影響を及ぼすことなく液相成長により実現させ、超微細半導体装置の低消費電力、大電流化、および高速動作化を実現させる。 - 特許庁

Since a three-dimensional impurity distribution of the semiconductor device structure is folded in the two-dimensional reference face to carry out the two-dimensional simulation, at an accuracy that there is no statistically meaningful difference from the case where the three-dimensional simulation is carried out, the simulation can be carried out at a higher speed than the three-dimensional simulation.例文帳に追加

半導体デバイス構造の三次元的な不純物分布を二次元の参照面上に畳み込んで二次元のシミュレーションを行うため、三次元シミュレーションを行う場合と統計的に有意差がない精度で、三次元シミュレーションを行うよりも高速にシミュレーションを行える。 - 特許庁

The polycrystalline silicon layer 17 consists of a first deposition layer of the polycrystalline silicon, which adsorbs impurity, and a second deposition layer of polycrystalline silicon layer, which is heat treated to make impurity distribution uniform ahead of etching back by CDE.例文帳に追加

多結晶シリコン層１７は、第１の多結晶シリコン層を堆積して、不純物を吸着させさ、更に第２の多結晶シリコン層を堆積してＣＤＥによりエッチバックするが、エッチバックに先立ち、不純物濃度分布を均一化する熱処理を行う。 - 特許庁

A method for measuring impurity distribution of a semiconductor device provided with a p-type semiconductor region and an n-type semiconductor region includes an observation step of acquiring an SEM image of an observation face including the p-type semiconductor region and the n-type semiconduction region while applying a reverse bias voltage to the p-type semiconductor region and the n-type semiconductor region.例文帳に追加

この不純物分布測定方法は、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域を備える半導体装置の不純物分布を測定する方法であって、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域に逆バイアス電圧を印加しつつ、ｐ型半導体領域及びｎ型半導体領域を含む観察面のＳＥＭ像を取得する観察工程を含む。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a synthetic quartz glass that is capable of monitoring a combustion state, an impurity distribution and the like of a raw material during the synthesis by monitoring the state inside a synthetic furnace such as an ingot or burner flame with a light of specified wavelength such as visible light while protecting a camera from a heat ray emitted at the synthesis.例文帳に追加

合成時に発せられる熱線からカメラを保護しながらも、インゴットやバーナー火炎などの合成炉内の状態を可視光等の特定波長の光で観察して、原料の燃焼状態や不純物分布などを合成中にも監視することができる合成石英ガラスの製造装置を提供する。 - 特許庁

The source drain junction of the extremely shallow rectangular high concentration impurity distribution is formed by liquidifying only the ion implantation amorphous region of the diffusing layer using the laser beam, in the wavelength which ensures deep attenuation for Si and makes difficult the direct heating of the Si itself and selectively and locally heating in direct the Si, by selectively allocating a metal film of shallow attenuation depth for the laser beam only to the contact region.例文帳に追加

更にＳｉに対し減衰深さが深く、従ってＳｉ自身が直接加熱され難い波長のレーザー光を用い、該レーザー光において、減衰深さの浅い金属膜を該コンタクト領域にのみ選択的に配置することによりＳｉを間接的に選択局所加熱し、拡散層のイオン注入非晶質領域のみを液相化することにより極浅矩形高濃度不純物分布のソース・ドレイン接合の形成を可能とした。 - 特許庁

With the impurity distribution of the channel layer of a buried channel CCD, a part where impurity concentration is maxim is located at the deepest position in a semiconductor substrate, and potential gradient at an interface part with the insulation film in a depletion state is as gentle as potential gradient in the insulation film, thus achieving the charge transfer device having both high transfer efficiency and large amount of transfer charge.例文帳に追加

埋め込みチャンネルＣＣＤのチャンネル層の不純物分布を、不純物濃度極大部が半導体基板内部の深い位置になり、かつ、前記半導体基板の表面領域での、空乏化状態における前記絶縁膜との界面部での電位勾配が、前記絶縁膜内の電位勾配と同程度で、ゆるやかになるようにすることによって、高い転送効率と大きな転送電荷量という機能を両立した電荷転送装置が実現される。 - 特許庁