「impurity element」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD OF ANALYZING IMPURITY ELEMENT IN METALLIC SODIUM例文帳に追加

金属ナトリウム中の不純物元素の分析方法 - 特許庁

The opening for the anode is masked, a p-type impurity element is added to the n-type impurity region, and a second n-type impurity region containing an n-type impurity element and the p-type impurity element is formed.例文帳に追加

アノード用開口部をマスクして、カソード用開口部を通して、ｎ型不純物領域にｐ型不純物元素を添加し、ｎ型不純物元素およびｐ型不純物元素を含む第２のｎ型不純物領域を形成する。 - 特許庁

PRE-TREATMENT METHOD OF MIXING IMPURITY ELEMENT FOR PLATING例文帳に追加

鍍金加工のための不純物元素混入前処理法 - 特許庁

As an impurity element, aluminum is used for example.例文帳に追加

不純物元素としてはたとえばアルミニウムを使用する。 - 特許庁

METHOD OF SEPARATING IMPURITY ELEMENT FROM PLATINUM GROUP SOLUTION例文帳に追加

白金族溶解液からの不純物元素の分離方法 - 特許庁

Since an impurity element is added under a low temperature, amorphous state can be attained with a small quantity of impurity element.例文帳に追加

低温で不純物元素の添加を行なうことで、少量の不純物元素で非晶質状態を作ることが出来る。 - 特許庁

The impurity region Ap for the function element is electrically connected to the impurity region An for the power supply potential through the conductive layer PCL for contact formed straddling the impurity region Ap for the function element and the impurity region An for the power supply potential.例文帳に追加

上記機能素子用不純物領域Ａｐと電源電位用不純物領域Ａｎとをまたぐように形成されるコンタクト用導電層ＰＣＬを通じて電気的に接続される。 - 特許庁

Impurity 1 (group VI or II element) is implanted (Fig.5(c)) into the diamond thin film 12 using an ion implanter and then impurity 2 (group III or V element) is implanted (Fig.5(d)).例文帳に追加

ダイヤモンド薄膜１２にイオン注入装置を用い、不純物１（ＶＩ族又はＩＩ族元素）を打ち込む（図５（ｃ））。 - 特許庁

METHOD FOR ANALYZING RHODIUM AND/OR INDIUM-CONTAINING MATERIAL FOR IMPURITY ELEMENT例文帳に追加

ロジウムやイリジウム含有物中の不純物元素分析方法 - 特許庁

An impurity 1 (group VI or II element) is implanted (Fig.5(c)) into the diamond thin film 12 by using an ion implanter, and then an impurity 2 (group III or V element) is implanted (Fig.5(d)).例文帳に追加

ダイヤモンド薄膜１２にイオン注入装置を用い、不純物１（ＶＩ族又はＩＩ族元素）を打ち込む（図５（ｃ））。 - 特許庁

Impurity is doped into the entirety in the side of the rear surface of a semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子裏面側全体に不純物を注入する。 - 特許庁

The first element isolation region 46 and the second element isolation region 47 are different in impurity concentration.例文帳に追加

第１素子分離領域４６と第２素子分離領域４７との不純物濃度が異なる。 - 特許庁

The impurity diffusing agent contains a compound of a group III element or a compound of a group V element.例文帳に追加

前記不純物拡散剤はＩＩＩ族元素の化合物又はＶ族元素の化合物を含む。 - 特許庁

To cause sufficient impurity amount to diffuse at the lower-part electrode of a capacity element.例文帳に追加

容量素子の下部電極に充分な不純物を拡散させる。 - 特許庁

Then, a layer containing the impurity element is used as the channel formation region.例文帳に追加

そして、不純物元素を含む層をチャネル形成領域として用いる。 - 特許庁

Since the p-type impurity element is added through the opening for the cathode, the periphery of the opening is also doped with a slight amount of the p-type impurity element.例文帳に追加

カソード用開口部からｐ型不純物元素の添加を行うため、この開口部周辺も僅かながらｐ型不純物元素が添加される。 - 特許庁

IMPURITY DIFFUSION METHOD IN SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING PROCESS, IMPURITY DIFFUSING DEVICE FOR USE THEREIN AND SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURED THEREFROM例文帳に追加

半導体素子製造工程における不純物拡散方法、同方法に用いる不純物拡散装置および同方法から製造された半導体素子 - 特許庁

Each of the pair of impurity regions of the fist semiconductor element shows a conductive type which is opposite to the second impurity section of the impurity region, while comprising a third impurity section which suppresses the second impurity section of the impurity region.例文帳に追加

さらに、第１の半導体素子の前記一対の不純物領域のそれぞれは、該不純物領域の前記第２の不純物区域の導電型と逆の導電型を示しかつ当該不純物領域の前記第２の不純物区域を抑制する第３の不純物区域を有する。 - 特許庁

In this case, a chemical equilibrium is formed to the impurity element by mixing a compound gas containing the impurity element for controlling the threshold value in the atmosphere, to prevent the impurity element from escaping into a gaseous phase.例文帳に追加

その際、雰囲気中に前記しきい値制御のための不純物元素を含む化合物ガスを混合することで、該不純物元素にとって化学的な平衡状態を形成し、該不純物元素が気相中へと離脱するのを防止する。 - 特許庁

Concentration of the p-type impurity element at the specified depth at the superimposing part between the p-type impurity element region 33 and the source/drain region 35 is set lower than that of the p-type impurity element at the p-type impurity element region 33 other than the superimposing part corresponding to the specified depth.例文帳に追加

そして、ｐ型不純物元素領域３３とソース・ドレイン領域３５との重畳部分における特定深さのｐ型不純物元素の濃度を、特定深さに対応する重畳部分以外のｐ型不純物元素領域３３部分におけるｐ型不純物元素の濃度より低くしている。 - 特許庁

A second impurity adding part 1c of the movable element different from the first impurity adding part 1b of the movable element of the electron supply source and the semiconductor substrate part 1a of the movable element is introduced between the first impurity adding part 1b and the semiconductor substrate part of the movable element to a connecting/separating structure.例文帳に追加

電子の供給源である可動体の第１の不純物添加部１ｂと可動体の半導体基板部１ａとの間に両者と異なる導電型の可動体の第２の不純物添加部１ｃを導入しで接合分離構造とする。 - 特許庁

To highly accurately determine an impurity element by separating a main component element and the impurity element contained in a sample and alkali used for melting in a analyzing method of the impurity element in a hardly soluble sample containing a metal main component conforming to an alkali melting method.例文帳に追加

金属主成分を含有する難溶解性試料の不純物元素をアルカリ融解法で分析する方法において、試料及び融解に使用したアルカリに含有する主成分元素と不純物元素を分離し不純物元素を高精度に定量する。 - 特許庁

To suppress any impurity from being stuck to a semiconductor light emitting element.例文帳に追加

半導体発光素子への不純物の付着を抑制することを課題とする。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING IMPURITY ELEMENT OF QUARTZ GLASS MATERIAL例文帳に追加

石英ガラス材の不純物元素検出方法及びその実施に用いる装置 - 特許庁

In the channel formation region, a region where the impurity element for providing the conductivity is not added is provided between the impurity region, in which the impurity element is added, and a source region and a drain region.例文帳に追加

チャネル形成領域において該不純物元素の添加領域である不純物領域とソース領域及びドレイン領域との間には、該一導電型を付与する不純物元素の非添加領域が設けられている。 - 特許庁

The impurity concentration of a (p) type anode layer 50 of the diode element region J2 is lower than the impurity concentration of a (p) type body layer 30 of the IGBT element region J1.例文帳に追加

また、ダイオード素子領域Ｊ２のp型のアノード層５０の不純物濃度が、ＩＧＢＴ素子領域Ｊ１のp型のボディ層３０の不純物濃度と比較して低い。 - 特許庁

Additionally, the impurity density of a p-type anode layer 50 in the diode element region J2 is low compared to the impurity density of a p-type body layer 30 in the IGBT element region J1.例文帳に追加

また、ダイオード素子領域Ｊ２のp型のアノード層５０の不純物濃度が、ＩＧＢＴ素子領域Ｊ１のp型のボディ層３０の不純物濃度と比較して低い。 - 特許庁

To suppress a variation of an impurity concentration in a polysilicon resistor element.例文帳に追加

ポリシリコン抵抗素子内の不純物濃度の変動を抑制することを目的とする。 - 特許庁

As a solid electrolyte, an impurity-element-containing silicon oxide ion conductor is used.例文帳に追加

固体電解質として不純物元素含有酸化ケイ素イオン伝導体を用いる。 - 特許庁

Also the impurity concentration of the impurity layer (4) has a lower limit and the waveguide type semiconductor element (2) with the low series resistance is provided.例文帳に追加

また、不純物層（４）の不純物濃度には下限があり、直列抵抗の小さい導波路型半導体素子（２）を提供できる。 - 特許庁

The first impurity section of the first semiconductor element is provided with an extension part.例文帳に追加

第１の半導体素子の前記第１の不純物区域には、伸長部が設けられている。 - 特許庁

LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR ANALYZING IMPURITY IN LIQUID CRYSTAL例文帳に追加

液晶表示素子と液晶表示装置及び液晶中の不純物分析方法 - 特許庁

METHOD OF MEASURING CONCENTRATION, AND METHOD OF MEASURING IMPURITY CONCENTRATION OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

濃度測定方法及びこれを利用した半導体素子の不純物濃度測定方法 - 特許庁

To provide a concentration measuring method, and an impurity measuring method for a semiconductor element.例文帳に追加

濃度測定方法及び半導体素子の不純物濃度測定方法を提供する。 - 特許庁

To form an amorphous semiconductor including an impurity element with low resistivity, and manufacture a semiconductor device with excellent electric characteristics with high yield.例文帳に追加

抵抗率の低い不純物元素を有する非晶質半導体を形成する。 - 特許庁

A group Vb element or a group VI element other than nitrogen is also used as an n-type dopant for forming impurity regions.例文帳に追加

不純物領域形成のためのｎ型ドーパントとしても、窒素以外のＶｂ族、またはＶＩ族元素を用いる。 - 特許庁

Concerning the semiconductor element the gate length of which is the upper-limit gate length, an impurity injecting condition is determined to calculate representative impurity concentration distribution.例文帳に追加

ゲート長が上限ゲート長の半導体素子について、不純物注入条件を決定し、代表不純物濃度分布を計算する。 - 特許庁

An impurity diffusion silicon layer 4 which includes phosphorous element (P) as impurity is formed along the wall face inside the hole 2 of the porous silicon layer 3.例文帳に追加

多孔質シリコン層３の孔２内の壁面に沿って、不純物となるリン元素（Ｐ）を含む不純物拡散シリコン層４が形成されている。 - 特許庁

To obtain an impurity diffusion apparatus capable of performing a uniform impurity diffusion on semiconductor element substrates over the whole region in a quartz tube.例文帳に追加

石英チューブ内の全域に亘り、半導体素子基板に均一な不純物拡散を行なうことができる不純物拡散装置を得ること。 - 特許庁

Discharge of impurity metals from the heating element 3 is suppressed, and mixture of impurity metals into the thin film to be formed is suppressed also.例文帳に追加

発熱体３からの不純物金属の放出が抑制され、作成される薄膜中への不純物金属の混入も抑制される。 - 特許庁

To provide a method of highly precisely analyzing an impurity element of a sample containing a metal main component, in which a main component element is adsorbed to and removed from ion exchange resin such that the impurity element is quantitatively recovered.例文帳に追加

金属主成分含有試料の不純物元素を高精度に分析する方法において、主成分元素をイオン交換樹脂に吸着除去すると共に不純物元素を定量的に回収するようにする。 - 特許庁

After an impurity element is introduced selectively into the crystalline semiconductor film, first heat treatment is conducted under a high temperature and the metallic element is gettered into the impurity region.例文帳に追加

前記結晶質半導体膜に選択的に不純物元素を選択的に導入した後、高温で第１の加熱処理を行ない、前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングする。 - 特許庁

A second element has: a second body region 31 which is formed in the element forming film adjacent to the first element; a second impurity diffusion layer 7; and a third impurity diffusion layer 9 which is formed in the element forming film and reaches the insulating film.例文帳に追加

第２の素子は、第１の素子に隣接し、素子形成膜に形成される第２のボディ領域３１と、第２の不純物拡散層７と、素子形成膜に形成され絶縁膜に到達した第３の不純物拡散層９とを有する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device comprises processes of introducing a prescribed impurity element into a semiconductor substrate, forming an impurity diffused region in the semiconductor substrate by radiating the light of a frequency resonating the characteristic frequency of the impurity element to diffuse the impurity element, and forming a semiconductor element on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板に所定の不純物元素を導入する工程と、不純物元素の固有振動数に共鳴する波数の光で基板上の所定の箇所を照射して導入した不純物元素を拡散させ、半導体基板中に不純物拡散領域を形成する工程と、半導体基板上に半導体素子を形成する工程とを含む。 - 特許庁

Thus, the crystallinity of the impurity region to be superposed with the part of the gate electrode can be recovered and the impurity element can be activated.例文帳に追加

このようにして、ゲート電極の一部と重なる不純物領域の結晶性の回復および不純物元素の活性化を行なうことを可能とする。 - 特許庁