inner semiconductor layerとは 意味・読み方・使い方

An outside electrode layer 11, a semiconductor layer 12, and an inside electrode layer 13 are laminated on the inner wall surface 4 to form an optical power generation layer 10.例文帳に追加

内壁面４に、外側電極層１１、半導体層１２、内側電極層１３が積層されて光発電層１０が形成されている。 - 特許庁

On the inner wall of the holes 16 inside the p-type semiconductor clad layer 12 and the n-type semiconductor clad layer 13, an oxidized region 17 is formed.例文帳に追加

そして、p型半導体クラッド層１２及びn型半導体クラッド層１３内の空孔１６の内壁に酸化領域１７を形成する。 - 特許庁

The inner wall of the trench 5 formed on the surface of a semiconductor substrate 4 is covered with a first semiconductor layer 22.例文帳に追加

半導体基板４の表面に形成されたトレンチ５の内壁面を第１の半導体層２２が被覆している。 - 特許庁

Specifically, the edge of the p-type semiconductor layer 64 contacting with the i-type semiconductor layer 70, that is, the lower opening end of the contact hole 69, is positioned on the inner side with respect to the edge of the n-type semiconductor layer 71.例文帳に追加

すなわち、ｐ型半導体層６４のｉ型半導体層７０と接するエッジ（コンタクトホール６９の下部開口端）をｎ型半導体層７１のエッジよりも内側に位置させる。 - 特許庁

In a step S2, the laser processing device removes a semiconductor layer and a back electrode layer of an area near an inner circumference of an area where the transparent electrode layer, the semiconductor layer, and the back electrode layer are removed using the SHG laser beam.例文帳に追加

ステップＳ２において、レーザ加工装置は、SHGレーザ光を用いて、透明電極層、半導体層、裏面電極層を除去した領域の内周付近の領域の半導体層、裏面電極層を除去する。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a substrate including an inner layer conductor and a cavity having a bottom surface where a part of the inner layer conductor is exposed; and a first semiconductor element in contact with the inner layer conductor in the cavity directly or through a high heat-conductive member.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、内層導体と該内層導体の一部が露出した底面を有するキャビティとを含む基板と、該キャビティ内で内層導体と直接または良熱伝導部材を介して接触した第１の半導体素子とを備える。 - 特許庁

The thickness between a first principal surface 3 and an outermost inner electrode layer 11A is made less than the thickness between an inner electrode layer 21 and an outermost inner electrode layer 51A, so heat of a semiconductor light emitting element LE1 is efficiently conducted to the outermost inner electrode layer 11A.例文帳に追加

第一主面３と最外内部電極層１１Ａとの間の厚みが、内部電極層２１と最外内部電極層５１Ａとの間の厚みよりも薄くされているため、半導体発光素子ＬＥ１の熱を効率よく最外内部電極層１１Ａへ伝達することができる。 - 特許庁

The inner semiconductor layer 2 and the insulating layer 3 are preferably chemically cross-linked by an organic peroxide.例文帳に追加

一方、内部半導電層２及び絶縁層３については有機過酸化物による化学架橋が行われることが好ましい。 - 特許庁