intermetallic compound semiconductorとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for manufacturing a bonded structure in which a Bi-based intermetallic compound is contained and dispersed in a junction between a semiconductor element and an electrode.例文帳に追加

半導体素子と電極との接合部にＢｉ系金属間化合物を含有し、分散している接合構造体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of restricting generation of brittle solder intermetallic compound in manufacture of a solder bump electrode on a semiconductor device, and a structure thereof.例文帳に追加

半導体装置上への半田バンプ電極の製造における脆弱な半田金属間化合物生成の抑制方法とその構造を提供する。 - 特許庁

The gate is composed of an intermetallic compound semiconductor having a semiconductor band structure and an electric conductivity in the range of 10^2 and 10^5 S.m^-1 under a state added with no impurity.例文帳に追加

不純物を加えない状態で１０^2Ｓ・ｍ^-1以上１０^5Ｓ・ｍ^-1以下の電気伝導率を持つとともに半導体バンド構造をも持つ金属間化合物半導体からなる。 - 特許庁

A semiconductor device 100 has an external connection terminal 110, and the external connection terminal 110 has: a Cu electrode 106; an intermetallic compound 118 containing Cu formed on the Cu electrode 106; stopper sections 132 and 136 covering the surface of the intermetallic compound 118 at intervals; and a solder alloy comprising impurities containing Bi and Sn formed on the stopper sections 132 and 136 and the intermetallic compound 118.例文帳に追加

外部接続端子１１０を有する半導体装置１００であって、外部接続端子１１０は、Ｃｕ電極１０６と、Ｃｕ電極１０６上に形成されたＣｕを含む金属間化合物１１８と、金属間化合物１１８の表面を、間隔をあけて覆うストッパー部１３２及び１３６と、ストッパー部１３２及び１３６上及び金属間化合物１１８上に形成されたＢｉとＳｎを含む不純物とからなる半田合金と、を有する。 - 特許庁

In a semiconductor hetero junction corresponding to the N channel and the P channel, a difference in height ϕB of a Schottky barrier formed between a source and drain formed of metal or intermetallic compound and a semiconductor layer used for each channel of a semiconductor is used for enabling selectively injecting the carriers into each channel.例文帳に追加

本発明はｎチャネル及びｐチャネルに相当する半導体へテロ接合において、金属もしくは金属間化合物で形成されたソース及びドレインと前記半導体の各チャネルに用いた半導体層との間に形成されるショットキー障壁の高さφ_Bの違いを用いて各チャネルに選択的にキャリア注入をできるようにする。 - 特許庁

To prevent structural changes which changes a soft jointing material to an intermetallic compound layer by diffusion, and to prevent lowering of reliability due to defects of segregation or the like for occurrence by diffusion in a high-temperature environment or a temperature cycle environment, during assembly or in practical use in a flip-chip assembly of a semiconductor chip.例文帳に追加

半導体チップのフリップチップ実装において、実装時や実使用時の高温環境や、温度サイクル環境で拡散によって軟質の接合材料から金属間化合物層へ変化するような構造変化をなくし、かつ拡散によって生じる偏析等の欠陥による信頼性の低下を防止しする。 - 特許庁

To provide a search method of a novel barrier material for a semiconductor integrated circuit device composed of a metal of relatively low cost or an intermetallic compound containing the metal, and having the excellent effect of suppressing copper diffusion similarly to a conventional ruthenium barrier material, with no problem in terms of supply performance.例文帳に追加

従来のルテニウムバリア材と同様に優れた銅拡散の抑制効果を有し、供給性の点で問題がなく、比較的低コストの金属又はその金属を含む金属間化合物からなる新規な半導体集積回路装置用バリア材の探索方法及び当該探索方法によって探索される半導体集積回路用バリア材を提供する。 - 特許庁