ion beam pulseとは 意味・読み方・使い方

In this impurity ion implanting process, the impurity ions are implanted into the semiconductor wafer, as a pulse-like ion beam 1 intermittently repeating on and off.例文帳に追加

この不純物イオン注入工程において、不純物イオンを断続的にオン及びオフを繰り返すパルス状のイオンビーム１として半導体ウェーハに注入する。 - 特許庁

The determination of the completion of the ion implantation is derived by detecting the previously stored measurement pulse value of the noise amount from the measurement value of the ion beam current.例文帳に追加

このイオンビーム電流の計測値から上記記憶しておいたノイズ量の測定パルス値を差し引きしイオン注入完了の判定を導き出すようにする（Ｓ６）。 - 特許庁

From the pulse ion beam source 1, pulse ion beams 4 are irradiated to a sample 3 housed in a vacuum chamber 2, and the scattered particles scattered from the sample 3 is measured by the three-dimensional detector 5 arranged at a prescribed distance separated from the sample 3.例文帳に追加

パルスイオンビーム源１から、真空チャンバ２内に収容された試料３にパルスイオンビーム４を照射し、試料３から散乱された散乱粒子を、試料３から所定距離離されて配置された３次元検出器５によって測定する。 - 特許庁

A second charged-particle beam is an ion beam 102 for smoothing processing which performs the smoothing processing by variably controlling a pulse width and a current amount corresponding to the change of the scanning speed.例文帳に追加

第２の荷電粒子ビームは、前記走査速度の変化に応じてパルス幅や電流量を可変制御することで平滑化加工を行う平滑化加工用イオンビーム１０２である。 - 特許庁

To the nanocluster in which at least two kinds of atoms coexist in the constant density respectively and a structure has a spherical shape as a whole, the ion beam is output by irradiating the laser with ultrahigh strength and an ultrashort pulse.例文帳に追加

少なくとも２種類の原子がそれぞれ一定の密度で混在し、全体として球状をなす構造のナノクラスタに、超高強度・超短パルスのレーザを照射してイオンビームを出力させる。 - 特許庁

This method for making a crystalline thin film is the one in which the use of a low-melting low-decomposition-temperature substrate is possible by impinging a high-strength pulse ion beam against a high-melting compound target and building up the compound on the substrate.例文帳に追加

大強度パルスイオンビームを高融点化合物ターゲットに照射し、室温に保持した基板上に堆積させることにより、低融点、低分解温度基板の使用を可能にした結晶質薄膜の作製方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of adding a rare gas to the semiconductor film formed on the surface of an insulator by using an ion doping method, and irradiating the semiconductor film in which the rare gas is added with a laser beam of a pulse oscillation in a rare gas atmosphere.例文帳に追加

絶縁表面上に形成された半導体膜に、イオンドーピング法を用いて希ガスを添加し、希ガスの雰囲気下において、希ガスが添加された半導体膜にパルス発振のレーザ光を照射することを特徴とする。 - 特許庁