lateral driftとは 意味・読み方・使い方

The drift region includes a second layer with impurity density increased in the lateral direction, and a first layer with impurity density adjusted to a low value.例文帳に追加

ドリフト領域は、横方向に不純物濃度が増加する第２層と、不純物濃度が薄く調整された第１層を備えている。 - 特許庁

To provide a lateral semiconductor device which has a layer with impurity density increased in a lateral direction of a drift region, and a layer with impurity density adjusted to a low value, both layers coexisting, and operates in a bipolar mode, the lateral semiconductor device having the reduced ON voltage while securing a breakdown voltage, thereby achieving reduced switching loss.例文帳に追加

ドリフト領域の横方向に不純物濃度が増加する層と、不純物濃度が薄く調整された層とを並存させたバイポーラで動作する横型の半導体装置において、耐圧を確保しつつ、オン電圧を低減し、スイッチングロスを低減する。 - 特許庁

To provide a lateral type MOS transistor having a low ON-resistance which reduces its channel and drift resistances caused by its element structure, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

素子構造に起因するチャネル抵抗とドリフト抵抗を低減した、低オン抵抗の横型ＭＯＳトランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Variable pitch type thrusters 15, 15 disposed in a lateral direction on right and left sides of the base element 1 and driven by the drive source, prevent the drift of the base element 1.例文帳に追加

基体１の左右に横向きに配置されて駆動源により駆動される可変ピッチ型スラスター１５、１５が基体１の横流れを防止する。 - 特許庁

The lateral HEMT further includes at least one field plate, the at least one field plate being arranged at least partially on the passivation layer in a region of the drift region, and including a lateral width w_f, wherein w_f<w_d.例文帳に追加

横型ＨＥＭＴはさらに、少なくとも１つのフィールドプレートを有し、少なくとも１つのフィールドプレートが、ドリフト領域の領域でパッシベーション層の上に少なくとも部分的に配置され、横幅ｗ_ｆを含み、ｗ_ｆ＜ｗ_ｄである。 - 特許庁

The lateral double-diffused MOS transistor has a first conductivity type drift region 2 provided on a second conductivity type semiconductor substrate 1, and a body diffusion region 3 formed on the surface thereof.例文帳に追加

第２導電型の半導体基板１上に設けられた第１導電型のドリフト領域２と、その表面に形成された第２導電型のボディ拡散領域３を備える。 - 特許庁

To provide a connector for position drift-absorbing printed wiring board connection in which a position drift in the height direction and the lateral direction between a pair of printed wiring boards to be connected can be absorbed, fitting operation can be carried out easily, in which unexpected miss-fitting is prevented surely, and highly reliable conduction can be secured.例文帳に追加

接続する一対のプリント配線板間の高さ方向、横方向の位置ずれを吸収でき、嵌合作業が容易に行なえ、しかも不測の嵌合外れを確実に防止して、信頼性の高い導通を確保できるずれ吸収プリント配線板接続用コネクタを提供する。 - 特許庁

Thereafter, the drift region 2 of the structure that the n-type region 4 and the p-type region 5 are alternately repeated in a lateral direction is formed by flattening the surface of the p-type semiconductor layer 11.例文帳に追加

その後、Ｐ型半導体層１１の表面を平坦化することで、Ｎ型領域４及びＰ型領域５が横方向にて交互に繰り返された構造のドリフト領域２を形成する。 - 特許庁