lateral nucleiとは 意味・読み方・使い方

The generation place and growing direction of the lateral growth of crystal nuclei are controlled by utilizing these effects, and large grain-diameter crystal nuclei can be obtained.例文帳に追加

これらを利用して、結晶核のラテラル成長の発生場所と成長方向を制御し、大粒径の結晶粒を得ることができる。 - 特許庁

To provide a crystallization method by which a crystallized semiconductor film having large granular diameters is produced by achieving sufficient lateral growth from crystal nuclei.例文帳に追加

結晶核からの十分なラテラル成長を実現して大粒径の結晶化半導体膜を生成することのできる結晶化方法。 - 特許庁

Thereby a plurality of two-dimensional nuclei 301 grow in the lateral direction to form a continuous GaN thin film 302 with a thickness of one molecular layer.例文帳に追加

これにより、複数の２次元核３０１が横方向成長して１分子層の厚さの連続的なGaN薄膜３０２となる。 - 特許庁

It is exposed by (a) polishing or etching the surface of the substrate, (b) varying the growth conditions in two stages at the time of lateral growth, or (c) forming a protective film above the nuclei in the way of lateral growth step.例文帳に追加

露出は、（ａ）基板表面の研磨やエッチング、（ｂ）横成長時の成長条件を２段階に変化させる、（ｃ）横成長工程の途中において成長核の上方に保護膜を形成する等の方法により行うことができる。 - 特許庁

In a sheet- or roll-shaped silver salt diffusion transfer type planographic printing original plate having an aluminum support, a physical developing nuclei layer and a silver halide emulsion layer in this order, opposite two lateral faces are coated with a protective film.例文帳に追加

アルミニウム支持体、物理現像核層、およびハロゲン化銀乳剤層をこの順序で有するシート状もしくはロール状の銀塩拡散転写型平版印刷原版において、対向する二つの側面を保護膜で覆う。 - 特許庁

Using the upper surface and the side face at the upper stage of level difference as nuclei, GaN 32 is grown epitaxially in the lateral direction and the upper part of the lower stage of level difference (recess of the original substrate 1) is filled before GaN 32 is also grown epitaxially above.例文帳に追加

こうして、段差の上段の上面及び側面を核として、GaN32を横方向エピタキシャル成長させることで段差の下段（元基板1の凹部）上方を埋めたのち、さらに上方にも成長させる。 - 特許庁

Lateral growth nuclei are ensured along a boundary 25e between a complete molten regions 25b to 25d and a non-molten region 25a, and the lateral growth is controlled mutually perpendicularly to form a crystal region 25d composed of four rectangular single crystal grains 25g.例文帳に追加

完全溶融領域２５ｂ〜２５ｄと未溶融領域２５ａの境界２５ｅにラテラル成長の核が確保され、ラテラル成長が互いに直交する方向に制御され、４つの矩形状単結晶粒２５ｇからなる結晶領域２５ｄが形成される。 - 特許庁