light carrier injectionとは 意味・読み方・使い方

To prevent deterioration of an organic light-emitting layer in an organic EL element wherein a liquid crystal layer formed in an injection process is used as a carrier transport layer.例文帳に追加

注入プロセスにより形成される液晶層をキャリア輸送層として用いた有機ＥＬ素子において、有機発光層の劣化を防止する。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor light-emitting element having improved carrier injection efficiency into a well layer.例文帳に追加

井戸層へのキャリアの注入効率が向上された窒化物系半導体発光素子を提供すること。 - 特許庁

Because a balance of electron injection from the electron transporting layer 5 and a hole injection from the hole transporting layer 3 is improved and flow of a carrier not participating in the light emission is decreased, the efficiency of the organic EL element is improved.例文帳に追加

電子輸送層５からの電子注入とホール輸送層３からのホール注入のバランスが良くなって、発光に関与しないキャリアの流れが少なくなり、有機ＥＬ素子の効率が向上する。 - 特許庁

According to such a structure, since the copper phthalocyanine layer 4 is particularly provided between the light emitting layer 5 and the hole carrier layer 3, the energy barrier between the light emitting layer 5 and the hole carrier layer 3 is contracted, and the hole injection to the light emitting layer 5 is smoothed.例文帳に追加

このような構成により、特に発光層５と正孔輸送層３との間に銅フタロシアニン層４が設けられているため、発光層５と正孔輸送層３間のエネルギー障壁が縮小され、発光層５への正孔注入がスムーズに行なわれるようになる。 - 特許庁

According to laminate structure of the light emitting diode element 10, potential-jump barrier does not impede carrier injection even if bias voltage is applied, so that carriers can be injected with high efficiency into the i-type ZnO light emitting layer 2.例文帳に追加

この発光ダイオード素子１０の積層構造によれば、バイアス電圧を印加しても電位障壁がキャリア注入を阻害せず、ｉ型ＺｎＯ発光層２へ高効率にキャリアを注入できる。 - 特許庁

In this semiconductor light emitting element formed by successively laminating a carrier injection layer presenting one conduction type, an active layer presenting an opposite conduction type and a clad layer on a semiconductor substrate presenting one conduction type and provided with an electrode on the back surface side of the semiconductor substrate and on the clad layer, a light absorbing layer is interposed on the lower side of the carrier injection layer.例文帳に追加

一導電型を呈する半導体基板上に、一導電型を呈するキャリア注入層、逆導電型を呈する活性層、およびクラッド層とを順次積層して形成し、この半導体基板の裏面側とクラッド層上に電極を設けた半導体発光素子において、前記キャリア注入層の下側に光吸収層を介在させた。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element comprises: a light-emitting layer 101 that is composed of silicon and has a film thickness of a range exhibiting a quantum effect; a carrier injection part 102 injecting carriers into the light-emitting layer 101; and an electric field control part 103 controlling an electric field applied to the light-emitting layer 101.例文帳に追加

この半導体発光素子は、シリコンから構成されて量子効果が示される範囲の層厚とされた発光層１０１と、発光層１０１にキャリアを注入するキャリア注入部１０２と、発光層１０１に印加する電界を制御する電界制御部１０３とを備える。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element changes emission wavelength as well as emits light by applying any electric field, using the electric field control part 103, to the light-emitting layer 101 that emits light by injecting carriers from the carrier injection part 102 to induce the quantum-confined Stark effect (QCSE).例文帳に追加

こ半導体発光素子では、キャリア注入部１０２によりキャリアを注入することで発光する発光層１０１に、電界制御部１０３により任意の電界を印加し、量子閉じ込めシュタルク効果（ＱＣＳＥ）を生じさせることで、発光と同時に発光波長の変調を行う。 - 特許庁