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linear integrated-circuitとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 線形集積回路; リニア集積回路
「linear integrated-circuit」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 19件
PHOTODIODE INTEGRATED CIRCUIT HAVING NON-LINEAR SENSITIVITY CHARACTERISTIC例文帳に追加
非線形な感度特性を持つフォトダイオード集積回路 - 特許庁
LINEAR DISCRETE FOURIER TRANSFORMATION METHOD, CIRCUIT AND INTEGRATED IMAGE SENSOR例文帳に追加
1次元離散フーリエ変換方法及び回路並びに集積型イメージセンサ - 特許庁
METHOD AND CIRCUIT FOR ADDING LAPLACE TRANSFORM ZERO TO LINEAR INTEGRATED CIRCUIT FOR FREQUENCY STABILITY IMPROVEMENT例文帳に追加
リニア集積回路に周波数安定度改善のためにラプラス変換零を加える方法および回路 - 特許庁
To provide a compensation circuit for a linear integrated circuit feedback loop having an effective pole erasing function.例文帳に追加
効果的な極消去機能を有するリニア集積回路帰還ループ用の補償回路を提供する。 - 特許庁
Moreover, the invention may be integrated or used in association with a circuit network including other non-linear devices.例文帳に追加
更に、本発明は、他の非線形装置を含む回路網と集積化しうる又は関連して用いうる。 - 特許庁
LINEAR ELEMENT COLUMN VALUE ESTIMATION METHOD, CAPACITANCE DETECTION METHOD, INTEGRATED CIRCUIT, TOUCH SENSOR SYSTEM, AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加
線形素子列値推定方法、静電容量検出方法、集積回路、タッチセンサシステム、及び電子機器 - 特許庁
In a method for producing a semiconductor integrated circuit device, when a plurality of semiconductor integrated circuit devices, in which a circuit pattern having a linear pattern is provided and at least a part of production process is common, is produced, dry etching is performed to a film for processing with controlling dry etching conditions depending on circumferential length per unit area of the linear pattern in each of the semiconductor integrated circuit devices.例文帳に追加
ライン状パターンを有する回路パターンを備えており、製造工程の少なくとも一部が共通する複数の半導体集積回路装置を製造する際に、各半導体集積回路装置におけるライン状パターンの単位面積当たりの周縁長に応じてドライエッチング条件を調整しながら被加工膜に対してドライエッチングを行なう。 - 特許庁
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「linear integrated-circuit」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 19件
To provide a semiconductor integrated circuit by which time required for the first conversion of an A/D converter by a linear search method can be shortened.例文帳に追加
線形探索法によるA/Dコンバータの初回の変換に要する時間を短縮可能な半導体集積回路を提供する。 - 特許庁
To dispense with a self-test circuit, composed of a linear feedback shift register(an LFSR) which is required, in addition to an inspected circuit to reduce a circuit area by dispensing with a built-in data compression circuit for executing a self-test for the inspected circuit, in a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加
半導体集積回路内の被検査回路の自己テストを行うために、データ圧縮回路を内蔵する方法では、被検査回路の他に線形フィードバックレジスタ(LFSR)で構成される自己テスト回路が必要になるため回路面積が増大する。 - 特許庁
Linear light transmission paths 6 are formed in a monolithic construction on a substrate 1 for performing transmission of signals between at least two circuit blocks by light, in an optoelectronic integrated circuit device.例文帳に追加
光電子集積回路装置において、少なくとも二つの回路ブロック間の信号の伝送を光により行うための線状の光伝送路6を基板1上にモノリシックに形成する。 - 特許庁
To provide an integrated circuit device that can easily and flexibly reconfigure a data path including a finite state machine, such as a linear order machine, achieved by using a shift register in an exclusive circuit.例文帳に追加
専用回路においては、シフトレジスタを用いて実現されている線形順序マシンなどの有限状態マシンを含むデータパスを、簡単に、そして、フレキシブルに再構成できる集積回路装置を提供する。 - 特許庁
To provide an intermediate board in which the difference of a linear expansion coefficient can sufficiently be reduced on a semiconductor integrated circuit component side from that of any terminal on the intermediate board.例文帳に追加
中間基板上の全ての端子に対して半導体集積回路素子側との線膨張係数差を十分に縮小することができる中間基板を提供する。 - 特許庁
To provide a layout design method, layout design device, and layout design program of a semiconductor integrated circuit, which allow a linear wiring of a unique length to be arranged.例文帳に追加
長さが均一で直線的な配線を配置することができる半導体集積回路のレイアウト設計方法、レイアウト設計装置及びレイアウト設計プログラムを提供すること。 - 特許庁
To provide an intermediate substrate in which difference of the linear expansion coefficient from the semiconductor integrated circuit element side can be reduced sufficiently for all terminals on the intermediate substrate and circuit discontinuity due to thermal stresses is prevented.例文帳に追加
中間基板上の全ての端子に対して半導体集積回路素子側との線膨張係数差を十分に縮小することができ、ひいては熱応力による断線等が発生しにくい中間基板を提供する。 - 特許庁
In the integrated circuit 1 whereon a light source 2, a photodetector 3 and a diffraction unit 5 are integrated, a thin film (phase difference film) generating the phase difference is formed on the rear surface of the diffraction element by obliquely vapor-depositing a metallic oxide film, and the polarizing state of an emitting beam of the integrated unit is changed from the linear polarization.例文帳に追加
光源(2)と光検出器(3)及び回折ユニット(5)が一体化された集積化ユニット(1)において、回折素子の裏面に、金属酸化膜を斜め蒸着することで、位相差を発生する薄膜(位相差膜)を形成し、集積化ユニットの出射ビームの偏光状態を、直線偏光から変化させる。 - 特許庁
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