low field mobilityとは 意味・読み方・使い方

In the structure of this field-effect resistor that uses a compound heterojunction, a dual channel layer (13 plus 14) consisting of the high-mobility channel layer 13 and a low-mobility channel layer 14 is formed on a substrate 11.例文帳に追加

化合物へテロ接合を用いた電界効果トランジスタ構造で、基板11上に高移動度チャネル層13と低移動度チャネル層14とから成るデュアルチャネル層（13＋14）を形成する。 - 特許庁

To provide a high-performance field effect transistor having resistance to high breakdown voltage, high electron mobility, and low gate-leakage current at a time.例文帳に追加

高い破壊耐圧、高い電子移動度及び低いゲート漏れ電流を併せ持つ高性能の電界効果トランジスタを提供すること。 - 特許庁

To provide an electroconductive organic compound exhibiting a high electric field effect mobility and also being produced by a simple low cost method.例文帳に追加

高い電界効果移動度を示し得るとともに、簡易で低コストな手法によって製造し得る導電性有機化合物を提供すること。 - 特許庁

To provide an organic thin film transistor that can minimize leakage current and has high electric field effect mobility and low turn-on voltage.例文帳に追加

漏洩電流を最小化することができ、高い電界効果移動度と低いターンオン電圧を有する有機薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a field effect transistor and a manufacturing method thereof which has high electron mobility, a small leaking current, and low on-resistance.例文帳に追加

電子移動度が高く、リーク電流が小さく、オン抵抗が低い電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a normally off operation type field-effect transistor which has low contact resistance, avoids an increase in on resistance, and maintains high channel mobility.例文帳に追加

低いコンタクト抵抗を有し、かつ、オン抵抗の増大を回避できて高いチャネル移動度を維持できるノーマリオフ動作の電界効果型トランジスタを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a short channel is by reducing a gate length in order to improve practical field mobility, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device at a low cost.例文帳に追加

ゲート長を短くして短チャネル化することにより実行的電界移動度を向上させた半導体装置及びその製造方法を低コストで提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a double-gate transistor having an effect of achieving a low channel resistance and increasing an electron field-effect mobility, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

低いチャネル抵抗を具現し、電界効果移動度が高くなる効果がある二重ゲートトランジスタを含む半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁