low-temperature mobilityとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for manufacturing a zinc-based oxide having high mobility or high thermoelectric performance from cheap zinc oxide as a base material by low temperature firing.例文帳に追加

安価な酸化亜鉛を母材とし、高い移動度又は高い熱電性能を有する亜鉛系酸化物を、低温で焼成できる製造方法を提供する。 - 特許庁

The present invention allows the mobility and transconductance of the field effect transistor to be improved to exceed those of a deep submicron state-of-the-art Si pMOSFET in addition to having a broad operating temperature range from a temperature (425 K) above room temperature down to an extremely low temperature (0.4 K) for enabling high device performance to be achieved even at low temperatures.例文帳に追加

本発明は、室温より上（４２５Ｋ）から極低温（０．４Ｋ）までの広範な温度動作範囲を有し、低温であっても高いデバイス性能が達成可能であることに加えて、ディープ・サブミクロンの現況技術のＳｉ ｐＭＯＳＦＥＴに勝る、移動度および相互コンダクタンスの向上が可能である。 - 特許庁

To provide a transparent electroconductive film which can be formed under a condition that the surface temperature of a substrate is ≤300°C in a high productivity and has a low carrier density, a high carrier mobility and a low resistivity; and a method for depositing the same.例文帳に追加

生産性に優れ、基材の表面温度が３００℃以下で形成でき、低キャリア密度、高キャリア移動度及び低抵抗率の透明導電膜及びその形成方法を提供することである。 - 特許庁

To manufacture a liquid crystal display device having a quick operating speed and a superior display performance by enhancing mobility of a low temperature polysilicon TFT and further contriving to lower diffusion layer resistance in a source and drain part.例文帳に追加

低温ポリシリコンＴＦＴの移動度を向上させ、しかもソースドレイン部の拡散層抵抗の低抵抗化を図り、動作スピードの早い表示能性の優れた液晶表示装置を作製可能にする。 - 特許庁

To provide a TFT of improved low-temperature polycrystalline thin film having high electron mobility and little manufacturing variation in characteristics, for realizing a large-area liquid-crystal display device which user a glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板を用いた大画面の液晶表示装置を実現するために、高い電子移動度を有し特性の製造ばらつきが少ない改良された低温多結晶薄膜のＴＦＴを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film semiconductor device which is formed by a low-temperature process, achieves a relatively high field effect mobility, and is stable with respect to light and heat and applicable to a bending environment.例文帳に追加

低温プロセスで形成可能であり、また比較的高い電界効果移動度を実現でき、かつ光、熱に対して安定な特性を有し、曲げ環境にも適用できる薄膜半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for performing high crystallization of a Cu_2O thin film at low temperature, and a laminate in which the Cu_2O thin film of high crystallinity and high hole mobility is laminated on a substrate consisting of a polymer film.例文帳に追加

低温でＣｕ_２Ｏ薄膜を高結晶化させる方法及び結晶性が高く、ホール移動度の高いＣｕ_２Ｏ薄膜が、高分子フィルムよりなる基板上に積層されてなる積層体を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a semiconductor thin film capable of obtaining high electron mobility even forming at a low temperature, a semiconductor device using the semiconductor thin film, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

低温で形成する場合であっても、高い電子移動度を得ることができる半導体薄膜の形成方法並びにその半導体薄膜を用いた半導体装置及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁