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memory planeとは 意味・読み方・使い方
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「memory plane」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 223件
MEMORY CELL WITH PLANE-LIKE ACCESS LINE例文帳に追加
平面状にアクセスラインを具備したメモリセル - 特許庁
The memory plane may be formed separately from the active circuit plane.例文帳に追加
そしてまたメモリ面は、能動回路面から分離して構成される場合がある。 - 特許庁
DISTRIBUTED SHARED MEMORY TYPE MULTIPROCESSOR SYSTEM AND PLANE DEGRADATION METHOD例文帳に追加
分散共有メモリ型マルチプロセッサシステム及びプレーンデグレード方法 - 特許庁
PROGRAMMING METHOD OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE HAVING MUTLI-PLANE STRUCTURE例文帳に追加
マルチプレーン構造を有する不揮発性メモリ装置のプログラム方法 - 特許庁
The memory cell 10 has a memory cell active region 20 having a minute plane pattern width and a memory cell element isolation region 18.例文帳に追加
メモリセル部10は、微細な平面パターン幅のメモリセル活性領域20及びメモリセル素子分離領域18を有する。 - 特許庁
A data bus (310), an array select bus (330) and a plane select bus (340) provide electric connection between the memory plane and the active circuit plane through side face contact pads on each plane.例文帳に追加
データバス(310)、アレイ選択バス(330)、そして面選択バス(340)は、各面上の側面コンタクトパッドを介して、メモリ面と能動回路面間の電気的接続を与える。 - 特許庁
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「memory plane」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 223件
To provide a nonvolatile semiconductor memory device composed by dividing one memory plane into a plurality of wells.例文帳に追加
1メモリプレーンを複数のウェルに分割して構成させた不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁
A memory plane A0 includes data areas 0 to 3 and slots 0 to 3.例文帳に追加
メモリプレーンA0は、データエリア0〜データエリア3と、スロット0〜スロット3とを備える。 - 特許庁
The memory transistor TR2 is provided on the memory transistor TR1, and a gate electrode 5b is formed on the B plane and a C plane of side faces of the element formation region 100.例文帳に追加
メモリトランジスタTR2はメモリトランジスタTR1の上部に設けられ、ゲート電極5bが素子形成領域100の側面のB面及びC面に形成される。 - 特許庁
Furthermore, it is possible to provide the uni-directional conductive path formed from the memory cell in the first plane to the memory cell in the second plane sharing the same bit line.例文帳に追加
さらに、第1のプレーン内のメモリセルから、同じビット線を共有する第2のプレーン内のメモリセルまで形成される単方向性の導電性経路を提供する。 - 特許庁
Unit memory cells whose plane shapes are equilateral hexagons are closely disposed on a substrate 1.例文帳に追加
平面形状が正六角形の単位メモリセルが基板1に密に配置される。 - 特許庁
A gate electrode 5a of the memory transistor TR1 is formed on an A plane and a B plane of side faces of the element formation region 100.例文帳に追加
メモリトランジスタTR1のゲート電極5aが素子形成領域100の側面のA面及びB面に形成される。 - 特許庁
In this way each vector is stored undivided in a sequential order with the beginning of the vector at the input and/or output of the memory (memory field F1 in memory plane Mi).例文帳に追加
これにより各ベクトルは、メモリ(メモリプレーンMIのメモリフィールドF1)の入力および/また出力にベクトルの始点をもつ連続順で、非分割記憶される。 - 特許庁
Each memory controller 614 is informed of the information of the image plane and layer to be transferred.例文帳に追加
各メモリコントローラ614には、転送されるイメージプレーンとレイヤ情報が通知される。 - 特許庁
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