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memory planeの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 223



例文

MEMORY CELL WITH ACCESS LINES IN PLANE例文帳に追加

平面状にアクセスラインを具備したメモリセル - 特許庁

MEMORY CELL WITH PLANE-LIKE ACCESS LINE例文帳に追加

平面状にアクセスラインを具備したメモリセル - 特許庁

The memory plane may be formed separately from the active circuit plane.例文帳に追加

そしてまたメモリ面は、能動回路面から分離して構成される場合がある。 - 特許庁

DISTRIBUTED SHARED MEMORY TYPE MULTIPROCESSOR SYSTEM AND PLANE DEGRADATION METHOD例文帳に追加

分散共有メモリ型マルチプロセッサシステム及びプレーンデグレード方法 - 特許庁

例文

PROGRAMMING METHOD OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE HAVING MUTLI-PLANE STRUCTURE例文帳に追加

マルチプレーン構造を有する不揮発性メモリ装置のプログラム方法 - 特許庁


例文

The memory cell 10 has a memory cell active region 20 having a minute plane pattern width and a memory cell element isolation region 18.例文帳に追加

メモリセル部10は、微細な平面パターン幅のメモリセル活性領域20及びメモリセル素子分離領域18を有する。 - 特許庁

A data bus (310), an array select bus (330) and a plane select bus (340) provide electric connection between the memory plane and the active circuit plane through side face contact pads on each plane.例文帳に追加

データバス(310)、アレイ選択バス(330)、そして面選択バス(340)は、各面上の側面コンタクトパッドを介して、メモリ面と能動回路面間の電気的接続を与える。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device composed by dividing one memory plane into a plurality of wells.例文帳に追加

1メモリプレーンを複数のウェルに分割して構成させた不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

A memory plane A0 includes data areas 0 to 3 and slots 0 to 3.例文帳に追加

メモリプレーンA0は、データエリア0〜データエリア3と、スロット0〜スロット3とを備える。 - 特許庁

例文

The memory transistor TR2 is provided on the memory transistor TR1, and a gate electrode 5b is formed on the B plane and a C plane of side faces of the element formation region 100.例文帳に追加

メモリトランジスタTR2はメモリトランジスタTR1の上部に設けられ、ゲート電極5bが素子形成領域100の側面のB面及びC面に形成される。 - 特許庁

例文

Furthermore, it is possible to provide the uni-directional conductive path formed from the memory cell in the first plane to the memory cell in the second plane sharing the same bit line.例文帳に追加

さらに、第1のプレーン内のメモリセルから、同じビット線を共有する第2のプレーン内のメモリセルまで形成される単方向性の導電性経路を提供する。 - 特許庁

Unit memory cells whose plane shapes are equilateral hexagons are closely disposed on a substrate 1.例文帳に追加

平面形状が正六角形の単位メモリセルが基板1に密に配置される。 - 特許庁

A gate electrode 5a of the memory transistor TR1 is formed on an A plane and a B plane of side faces of the element formation region 100.例文帳に追加

メモリトランジスタTR1のゲート電極5aが素子形成領域100の側面のA面及びB面に形成される。 - 特許庁

In this way each vector is stored undivided in a sequential order with the beginning of the vector at the input and/or output of the memory (memory field F1 in memory plane Mi).例文帳に追加

これにより各ベクトルは、メモリ(メモリプレーンMIのメモリフィールドF1)の入力および/また出力にベクトルの始点をもつ連続順で、非分割記憶される。 - 特許庁

Each memory controller 614 is informed of the information of the image plane and layer to be transferred.例文帳に追加

各メモリコントローラ614には、転送されるイメージプレーンとレイヤ情報が通知される。 - 特許庁

In an image area separation information acquiring part 2, a colorless memory plane for one page provided corresponding to a memory plane for each color is created and when printing is performed, such printing is forcibly set to the colorless memory plane as a character area by an image area separation information adding part 5.例文帳に追加

像域分離情報取得部2で色毎のメモリプレーンに合わせて設けられた一ページ分の無色のメモリプレーンを作成し、印字が行われたとき、像域分離情報付加部5で、該印字を文字領域として無色のメモリプレーンに強制的に設定する。 - 特許庁

In the programming method, the memory cells belonging to each layer of a YZ plane are programmed to multi-bit data by a shadow program system and when the memory cell in N-th layer (where N is 1 or constant number larger than 1) of the YZ plane is programmed, remaining memory cells of an XZ plane corresponding to the N-th layer are programmed before memory cells of other layers of the YZ plane are programmed.例文帳に追加

本発明のプログラム方法によると、シャドープログラム方式によってYZ平面の各層に属したメモリセルがマルチビットデータにプログラムされ、YZ平面のN番目の層(ここで、Nは1、またはそれより大きい定数)のメモリセルがプログラムされる場合、YZ平面の他層のメモリセルがプログラムされる前にN番目の層に対応するXZ平面の残りのメモリセルがプログラムされる。 - 特許庁

Each C-plane controller 41a, 41b stores into the own memory and manages the status information (traffic/bandwidths/alarm information) for each U-plane controller subordinated to the C-plane controller concerned.例文帳に追加

Cプレーン制御装置41a,41bは、自配下のUプレーン制御装置毎に該Uプレーン制御装置の状態情報(トラヒック/帯域/アラーム情報)を自メモリに記憶して管理する。 - 特許庁

The stack memory device includes an active circuit unit and a memory unit formed on one plane of the active circuit unit; a memory plane is formed with row lines and column lines; and selection transistors are formed at one ends of the row lines and the column lines.例文帳に追加

能動回路部と能動回路部の一面上に形成されたメモリ部とを備え、メモリ平面にはロウライン及びカラムラインが形成されており、ロウライン及びカラムラインの一端部には、選択トランジスタが形成されている積層メモリ装置。 - 特許庁

MULTI-PLANE TYPE FLASH MEMORY DEVICE, AND METHOD OF CONTROLLING PROGRAM OPERATION AND READ-OUT OPERATION THEREOF例文帳に追加

マルチプレーン型フラッシュメモリ装置並びにそのプログラム動作および読出し動作の制御方法 - 特許庁

To speed up a memory access with respect to the processing of pixel data on a two-dimensional image plane.例文帳に追加

二次元画像平面上における画素データの処理に関するメモリアクセスの高速化を図る。 - 特許庁

To improve a read disturb characteristics in an NAND type nonvolatile memory, wherein a charge storage means is discretized in plane within a memory transistor.例文帳に追加

メモリトランジスタ内で電荷蓄積手段が平面的に離散化されたNAND型不揮発性メモリのリードディスターブ特性を改善する。 - 特許庁

To reduce decline of an accessing performance to an image memory at the time of image plane refreshing by using a single port DRAM as the image memory.例文帳に追加

画像メモリとしてシングルポートDRAMを使用する事による画面リフレッシュ時の画像メモリへのアクセス性能劣化を低減すること。 - 特許庁

To achieve improvement in efficiency of the use of a memory and power saving by borrowing and lending a memory between blades existing on the same back plane.例文帳に追加

同一バックプレーン上に存在するブレード間でメモリの貸借をすることにより、メモリの使用の効率化、省電力化を課題とする。 - 特許庁

In order to build a large capacity memory device (300), the memory planes are stacked one upon another and above the upper side of an active circuit plane (390).例文帳に追加

大容量メモリ素子(300)を作るため、メモリ面は、互いの上側、かつ能動回路面(390)の上側に積重される。 - 特許庁

A memory 114 stores the prior reference plane 401 in response to selection of a reference plane save option 140, and the display 118 switches from the display of the current reference plane 402 to restore the prior reference plane 401 in response to selection of the reference plane restore option 142.例文帳に追加

メモリ(114)が、基準面保存オプション(140)の選択に応答して前の基準面(401)を保管し、ディスプレイ(118)は、基準面復元オプション(142)の選択に応答して、前の基準面(401)を復元するために、現在の基準面(402)の表示から切り替える。 - 特許庁

To enable protecting simply an incident end plane and an output plane of an optical memory element (multi-layer lamination medium) with simple structure suppressing a manufacturing cost to a low cost.例文帳に追加

コストを低く抑えながら、光メモリ素子(多層積層媒体)の入射端面及び出力面を簡単な構造で簡易に保護できるようにする。 - 特許庁

A plane shift engine 20 horizontally moves, by the number of pixels in accordance with the offset, the coordinates of each item of pixel data constituting graphics data in a plane memory.例文帳に追加

プレーンシフトエンジン20は、プレーンメモリにおけるグラフィクスデータを構成する画素データのそれぞれの座標を、水平方向に、オフセットに応じた画素数だけ移動させる。 - 特許庁

After changing the path route of the transaction, memory information of the remaining level of the directory cache of the first plane is transferred to a directory cache of the second plane (step S13).例文帳に追加

トランザクションのパスルートの変更後、第1のプレーンのディレクトリキャッシュの残りのレベルの記憶情報を第2のプレーンのディレクトリキャッシュに転送する(ステップS13)。 - 特許庁

Memory information of a partial level of a plurality of levels of a first plane directory cache is swept out in response to an instruction to degrade a plane (step S11).例文帳に追加

プレーンをデグレードする指示に応答して、第1のプレーンのディレクトリキャッシュの複数のレベルの一部のレベルの記憶情報を掃き出す(ステップS11)。 - 特許庁

When the control program for update is stored in the in-use plane 120, the apparent address is converted to the actual memory address of the in-use plane 120 (substnatially not converted).例文帳に追加

更新用の制御プログラム131が現用面120に格納された場合には、上記見せかけアドレスを現用面120の実メモリアドレスに変換する(実質変換しない)。 - 特許庁

The state of memory in an individual memory cell corresponds to one of two stable orientations of magnetization within a plane of the switching layer of the ferromagnetic film.例文帳に追加

個々のセル内のメモリー状態は強磁性膜スイッチング層の面内における磁化の2つの安定した配向の1つに対応している。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory of a twin cell system, in which proper retention characteristics are kept and plane occupancy area of a memory cell part can be reduced.例文帳に追加

良好なRetention特性を維持しつつ、メモリセル部分の平面占有面積を小さくできるツインセル方式の半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic disk memory device having an in-plane mag netic memory medium which has good overwriting characteristics and is small in medium noise.例文帳に追加

オーバライト特性が良好でありかつ媒体雑音も小さい面内磁気記憶媒体を有する磁気ディスク記憶装置を提供すること。 - 特許庁

Then, a plotter 6 performs image processing different for each of the character area and the photograph area with the colorless memory plane.例文帳に追加

プロッタ6で無色のメモリプレーンにより文字領域と写真領域で異なる画像処理を行う。 - 特許庁

A pattern data memory stores a plurality of different pattern data items having the same data size as that of a bit plane.例文帳に追加

パターンデータ記憶部は、ビットプレーンとデータサイズが同じである複数の異なるパターンデータを記憶する。 - 特許庁

DEVICE USED IN HOLOGRAPH MEMORY SYSTEM AND METHOD OF MAPPING PERIODIC PHASE STRUCTURE TO INPUT DATA PLANE例文帳に追加

ホログラフメモリーシステムで用いられる装置と、周期的位相構造を入力データ面にマッピングする方法 - 特許庁

The memory transistor TR3 is provided on the memory transistor TR2, and a gate electrode 5c is formed on the C plane of the side face of the element formation region 100.例文帳に追加

メモリトランジスタTR3はメモリトランジスタTR2の上部に設けられ、ゲート電極5cが素子形成領域100の側面のC面に形成される。 - 特許庁

To provide a flash memory cell in which a peripheral circuit is designed easily, a plane area occupied by a memory cell is reduced and memory density can be improved effectively in the flash memory cell in which double bit data are conserved and its operating method.例文帳に追加

ダブルビットデータを保存するフラッシュメモリセルであって、周辺回路の設計が容易で、記憶セルの占める平面面積を縮小して記憶密度を効果的に高めることができるフラッシュメモリセルとその操作方法を提供する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device 1B includes a memory plane 110 of which the plurality of memory cells are arrayed in a bit line direction B and a word line direction W and also a memory cell objective for control is specified by a row decoder 101 and a column decoder.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置1Bは、ビット線方向B及びワード線方向Wに複数のメモリセルが配列され、ロウデコーダ101及びカラムデコーダによって制御対象メモリセルが指定されるメモリプレーン110を有する。 - 特許庁

In the memory card of a type of holding a memory main body 4 provided with a wiring board 4a and a semiconductor chip mounted on the main surface by clamping it by a first case 2a and a second case, the memory main body 4 whose plane outer shape is smaller than the half of the plane outer shape of the memory card is used.例文帳に追加

配線基板4aとその主面上に実装された半導体チップとを有するメモリ本体4を第1ケース2aおよび第2ケースで挟み込むようにして保持するタイプのメモリカードにおいて、平面外形がメモリカードの平面外形の半分よりも小さいメモリ本体4を用いる。 - 特許庁

The CPU reads a second plane by the second byte of the data during the writing in the memory array by the first byte of the data stored in the first plane, and writes by the second byte of the data stored in the second plane.例文帳に追加

また、CPUは、1プレーンにストアされたデータの第1バイトでメモリアレイに書き込みを行う間に、データの第2バイトで第2プレーンを読み込み、第2プレーンにストアされたデータの第2バイトで書き込みを行う。 - 特許庁

If the update is failed, the mobile terminal can be operated by using the main body program of the other memory plane.例文帳に追加

この更新失敗時には、他面の本体プログラムを用いて移動端末装置の動作を行うことができる。 - 特許庁

A memory cell can be made a different threshold voltage state conforming to different electric charges exchange capability of memory cells by erasing a whole plane of a memory cell, and initial data desired to restore can be read out.例文帳に追加

メモリセルへの全面消去を行うことにより、メモリセルの異なる電荷交換能力に従って、異なる閾値電圧状態にすることができ、復活させたい初期データの読み出しが可能になる。 - 特許庁

In an associative memory device provided with a memory section divided into a plurality of banks, respective banks are divided into a plurality of planes, when a defective memory cell exists, a plane of a bank in which a defective memory cell exists and arbitrary planes of all other banks are made a non-selection state, and memory capacity of the memory section is reduced.例文帳に追加

複数のバンクに分割されたメモリ部を備える連想メモリ装置において、それぞれのバンクを複数のプレーンに分割し、故障したメモリセルがある場合に、この故障したメモリセルがあるバンクのプレーンと、他の全てのバンクの任意のプレーンを非選択状態とし、前記メモリ部のメモリ容量を削減する。 - 特許庁

This semiconductor memory device is provided with a memory cell array having a plurality of cell array blocks each constituted of a plurality of memory cells, and a memory plane setting part for dynamically dividing the memory cell array into a plurality of memory planes each having one or more cell array block and having independent data access operation modes.例文帳に追加

半導体メモリ装置において、複数のメモリセルからなるセルアレイブロックを複数個有するメモリセルアレイと、印加される命令に応じて前記メモリセルアレイを、それぞれ一つ以上のセルアレイブロックからなりそれぞれ独立的なデータアクセス動作モードを有する複数のメモリプレーンに動作的に分割するためのメモリプレーン設定部と、を備える。 - 特許庁

The two-dimensional acceleration unit synthesizes in real time an image including at least one video plane and at least one graphic plane and is capable of cooperating with the processing unit and the main memory to store the image in the main memory.例文帳に追加

2次元アクセラレーション・ユニットは、少なくとも1つのビデオ・プレーンと少なくとも1つのグラフィックス・プレーンを含むイメージをリアルタイムに合成し、それをメイン・メモリに格納できるように、処理ユニットおよびメイン・メモリと連携することができる。 - 特許庁

To classify a register in charge of an upper side memory and a register in charge of a lower side memory by locating a page buffer to a center part of a plane according to the necessity.例文帳に追加

前述の必要性により頁バッファをプレーンの中央部に位置させ、上側メモリを担当するレジスタと下側メモリを担当するレジスタを区分させること。 - 特許庁

According to an embodiment, a nonvolatile semiconductor storage device comprises a memory cell array part and a contact part apposed with the memory cell array part in a first plane.例文帳に追加

実施形態によれば、メモリセルアレイ部と、第1平面内においてメモリセルアレイ部と並置されたコンタクト部と、を備えた不揮発性半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁

例文

A magnetic memory device based on easy domain wall propagation and the extraordinary Hall effect includes a perpendicular-to-plane magnetic and electrically conductive element (2) that includes a memory node (3).例文帳に追加

容易な磁区壁の拡張と異常ホール効果とに基づく磁気メモリデバイスが面に垂直な磁性かつ導電性の要素(2)を含み、その要素がメモリノード(3)を含んでいる。 - 特許庁




  
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