metal-insulator-semiconductor structureとは 意味・読み方・使い方

Furthermore, the semiconductor element is provided with a passivation layer (3) arranged on the metal/insulator structure (2).例文帳に追加

さらに、半導体素子は、金属／絶縁体構造（２）上に配置されたパッシベーション層（３）を備えている。 - 特許庁

To relate to a method for forming a stack of layers including a lower metal layer, an intermediate dielectric layer, and an upper metal layer on a semiconductor substrate, in particular, to provide a method for forming a metal-insulator-metal capacitor structure.例文帳に追加

下部金属層、中間誘電体層、および上部金属層を含む層のスタックを、半導体基板上に形成する方法に関し、特に、金属−絶縁体−金属キャパシタ構造の形成方法を提供する。 - 特許庁

The means for increasing an effective area of the capacitance is a trench inside a semiconductor substrate, ineqularities inside an MIS structure, an MIM(metal-insulator- metal) structure or the like.例文帳に追加

このキャパシタンスの実効面積を増大する手段は、半導体基板内のトレンチ、ＭＩＳ構造内の凹凸、ＭＩＭ（金属−絶縁体−金属）構造などである。 - 特許庁

This MFMIS transistor has a structure, where an MFM(metal- ferroelectric-metal) structure and an MIS(metal-insulator-semiconductor) structure are stacked vertically inside almost the same area, and the lower MIS structure has a means for increasing an effective area of an MIS capacitance.例文帳に追加

本発明のＭＦＭＩＳトランジスタの構成によれば、ＭＦＭ（金属−強誘電体−金属）構造とＭＩＳ（金属−絶縁体−半導体）構造とをほぼ同一面積内で上下に積み重ねる構造を有し、かつ、下のＭＩＳ構造にはＭＩＳキャパシタンスの実効面積を増大する手段を有している。 - 特許庁

The capacitor having a laminated metal-insulator-metal structure in a semiconductor device has a first insulating layer between a first metal layer and a second metal layer, and has a third metal layer between the substrate and the second metal layer.例文帳に追加

半導体において、金属−絶縁体−金属のサンドイッチ構造によって構成する容量（Ｍｅｔａｉ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ容量）が、第１の金属層と第２の金属層の間に第１の絶縁層を備え、基板と第２の金属層の間に第３の金属層を備える。 - 特許庁

A metal oxide layer 18 is formed on a deposited underlying metal layer 16 using an anode oxidation procedure, a second metal 20 is deposited thereon and planarized by chemical mechanical polishing or other procedure to fabricate a metal/insulator/metal capacitor structure in a semiconductor substrate.例文帳に追加

堆積した下地金属層１６上で陽極酸化手順を使用し、金属酸化物層１８を形成し、引き続いて第２金属２０を堆積し、化学的機械的研磨または他の手順によって平坦化することによって金属・絶縁物・金属キャパシタ構造を半導体基板内に形成する。 - 特許庁

To provide a transistor type ferroelectric nonvolatile memory element, having an MFMIS(metal-ferroelectric-metal-insulator-semiconductor) structure, which can be integrated to high density.例文帳に追加

高密度に集積できるＭＦＭＩＳ（金属−強誘電体−金属−絶縁体−半導体）構造を有するトランジスタ型強誘電体不揮発性記憶素子を提供すること。 - 特許庁

To offer an integrated circuit structure comprising a pair of capacitors, which respectively have metal plates separated by an insulator, and a metal-gate semiconductor transistor which is electrically connected to the capacitors.例文帳に追加

絶縁体によって分離された金属プレートをそれぞれ有する一対のコンデンサと、コンデンサと電気的に接続された金属ゲート半導体トランジスタとを含む集積回路構造を提供すること。 - 特許庁