microminiaturizationとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device capable of reducing occurrence of a short circuit between wirings, even when a microminiaturization of wrings is advanced, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

配線の微細化が進んでも配線間ショートの発生を低減できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an FeRAM which improves crystallinity of a PZT and which contributes to the microminiaturization of a ferroelectric capacitor and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ＰＺＴの結晶性を向上すると共に、強誘電体キャパシタの微細化に寄与するFeRAM及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric vibration device compatible with microminiaturization, the electric characteristic of which is stabilized and wherein practical mechanical joining can be carried out.例文帳に追加

電気的特性が安定し、かつ実用的な機械的接合を行うことのできる、超小型化に対応した圧電振動デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide an air-tight sealing method for piezoelectric vibrating device, with which microminiaturization is enabled and scattered metals at the time of air-tight sealing hardly enter a package.例文帳に追加

超小型化が可能で、気密封止時の飛散金属がパッケージ内部に入りにくい圧電振動デバイスの気密封止方法を提供する。 - 特許庁

To provide a capacitor and a manufacturing method thereof capable of achieving microminiaturization and high integration, and increasing capacitance.例文帳に追加

キャパシタの超小型化及び高集積化を達成し、かつ、キャパシタンスを増加させることができるキャパシタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an electrostatic sound transducer whose microminiaturization, reduction in manufacturing processes and mass-production are possible, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

超小型化が可能であり製造工程が少なく、また大量生産が可能なコンデンサ型音響変換装置の製造方法及びコンデンサ型音響変換装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can simply obtain an accurate capacity unit and which has a stable capacitive element in response to a microminiaturization, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

精度の高い容量部を簡単に得易く、かつ微細化に応じた安定した容量素子を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To eliminate increase in junction capacitance and disadvantages in microminiaturization by having a high concentration impurity layer interposed between two gates in a MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴに関するもので、２個のゲート間に高濃度不純物層が存在することにより、接合容量が増加する点と、微細化が不利である点とを解消することを課題とする。 - 特許庁