microtrenchとは 意味・読み方・使い方

To enhance selection rate of an SiOC based low permittivity film and a silicon nitride film while reducing a microtrench during etching.例文帳に追加

ＳｉＯＣ系低誘電率膜と窒化珪素膜との選択比を向上させるとともに、エッチング時のマイクロトレンチを低減する。 - 特許庁

To provide a trench etching method of a silicon carbide semiconductor substrate capable of controlling an angle of a trench side wall at a 90 degree without generating a microtrench at the bottom of a trench.例文帳に追加

トレンチ底部にマイクロトレンチが発生せず、さらにトレンチ側壁の角度を９０°に制御できる炭化珪素半導体基板のトレンチエッチング方法の提供をすること。 - 特許庁

To provide an etching method for a dielectric thin film of material containing porous silica being made on a semiconductor substrate capable of preventing or reducing the formation of a microtrench at etching on condition that it keeps high etching speed and seiectivity, and besides capable of controlling the taper angle accurately.例文帳に追加

高いエッチング速度及び選択性を維持させた状態でエッチング時のマイクロトレンチの形成を防止又は低減できしかもテーパー角を精度良くコントロールすることができる半導体基板上に形成されるポーラスシリカを含有する材料の誘電体薄膜のエッチング法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method of a thin dielectric film of material containing organic silicon compound formed on a semiconductor substrate which can prevent or reduce formation of a microtrench, at the time of etching in the state that an etching rate is maintained while a low pressure is kept as it is.例文帳に追加

低圧のまま、エッチング速度を維持させた状態でエッチング時のマイクロトレンチの形成を防止又は低減できる半導体基板上に形成される有機珪素化合物を含有する材料の誘電体薄膜のエッチング法を提供する。 - 特許庁

The fine pattern 27 is suitably formed on a base 21 by forming a pattern transferred body 20 having a wall-shaped projection 26 (fine projection) using the mold 16 for imprint having a microtrench 18 at a corner part of a pattern 17, and etching the base 21 using the pattern transferred body 20 having the wall-shaped projection 26 as an etching mask.例文帳に追加

パターン１７の角隅部にマイクロトレンチ１８を有するインプリントモールド１６を用いて、壁状の突起２６（微小突起）を有するパターン転写体２０を形成し、該壁状の突起２６を有するパターン転写体２０をエッチングマスクとして基材２１をエッチングすることによって、基材２１に微細なパターン２７を好適に形成することができる。 - 特許庁