monolithic amplifierとは 意味・読み方・使い方

To eliminate the need for a ground fault destruction countermeasure circuit to pass through a large current, so that the circuit can be integrated into a one-chip monolithic IC for a power amplifier.例文帳に追加

電力増幅器用の１チップモノリシックＩＣに組み込み可能なように地絡破壊対策回路を大電流の通電を必要としないものする。 - 特許庁

To provide a semiconductor power amplifier that is downsized, reduces its cost and sufficiently suppresses loop oscillation and to provide a microwave monolithic integrated circuit.例文帳に追加

小型化が可能で、コストも削減でき、かつ、ループ発振を十分に抑制できる半導体電力増幅器およびマイクロ波モノリシック集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a method for monitoring the transmissive radio frequency (RF) power of an amplifier operable on a monolithic microwave integrated circuit (MMIC), and its system.例文帳に追加

モノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）上で動作可能な増幅器の伝送可能な無線周波数（ＲＦ）電力を監視するための方法およびシステムを提供する。 - 特許庁

To obtain a monolithic high frequency amplifier which compensates the variations of threshold voltages resulting from process variations without mounting a bias circuit having a complicated configuration.例文帳に追加

構成が複雑なバイアス回路を搭載することなく、プロセスばらつきによる閾値電圧のばらつきを補償することができるモノリシック高周波増幅器を得ることを目的とする。 - 特許庁

The monolithic high frequency amplifier is so constituted that a transistor 7 exclusively for DC operation which is manufactured by a device process system different from that for a high frequency transistor 3 gives a constant current bias to the high frequency transistor 3.例文帳に追加

高周波トランジスタ３と異なるデバイスプロセス方式により製造された直流動作専用トランジスタ７が定電流バイアスを高周波トランジスタ３に与えるように構成した。 - 特許庁

A micro monolithic IC (MMIC) 34 having functions of the low noise amplifier circuit 14 and the frequency mixer circuit 18 is provided into a cavity 32 at the bottom of the multi-layered board 20.例文帳に追加

多層基板２０の底部のキャビティ３２内には、低雑音増幅回路１４および周波数混合回路１８の機能を有するマイクロモノリシックＩＣ（ＭＭＩＣ）３４が設けられる。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device for high-frequency power amplification, having superior balance characteristics suitable for constituting a high-frequency power amplifier, especially a monolithic integrated circuit.例文帳に追加

高周波電力増幅器を構成するに好適な平衡特性に優れ、特にモノリシックに集積回路化するに適した素子構造（レイアウト構成）の高周波電力増幅用半導体装置を提供する。 - 特許庁

The monolithic microwave integrated circuit integrated circuit is a high frequency power amplifier device.例文帳に追加

回路構成上少なくとも一つのヘテロ接合バイポーラトランジスタのベース−エミッタ間電圧は１．３Ｖ以下であり、前記ベース−エミッタ間電圧印加状態でのベース電流の時間的ばらつきは測定開始時のベース電流に対し１時間で１％以内である。 - 特許庁