mos bipolarとは 意味・読み方・使い方

The first circuit includes a first type first MOS transistor, a second type first MOS transistor, and a first bipolar junction transistor.例文帳に追加

第一の回路は、第一の形式の第一のMOSトランジスタ、第二の形式の第一のMOSトランジスタ、及び第一のバイポーラ接合トランジスタを含むようにする。 - 特許庁

The second circuit is constituted of a first type second MOS transistor, a second type second MOS transistor, resistor, and a second bipolar junction transistor.例文帳に追加

第二の回路を、第一の形式の第二のMOSトランジスタ、第二の形式の第二のMOSトランジスタ、抵抗器、及び第二のバイポーラ接合トランジスタから構成する。 - 特許庁

A protection element 1 has a structure in which a vertical bipolar transistor Q1 and a parasitic bipolar transistor Q2 are formed in a part of a device with a MOS structure.例文帳に追加

保護素子１は、MOS構造のデバイスの一部に、縦型バイポーラトランジスタＱ１と寄生バイポーラトランジスタＱ２とを形成した構造になっている。 - 特許庁

A protection element 1 has a structure in which a vertical type bipolar transistor Q1 and a parasitic bipolar transistor Q2 are formed in the part of the device of a MOS structure.例文帳に追加

保護素子１は、MOS構造のデバイスの一部に、縦型バイポーラトランジスタＱ１と寄生バイポーラトランジスタＱ２とを形成した構造になっている。 - 特許庁

A Darlington connection of a bipolar transistor 7 and a bipolar transistor 2 with a load L is made, a P type MOS transistor 5 is provided between the emitter of the bipolar transistor 2 and the base of the bipolar transistor 7, and an N type MOS transistor 6 is provided between the base and emitter of the bipolar transistor 7.例文帳に追加

負荷Ｌにバイポーラトランジスタ７とバイポーラトランジスタ２がダーリントン接続され、バイポーラトランジスタ２のエミッタとバイポーラトランジスタ７のベース間にＰ型ＭＯＳトランジスタ５が設けられ、バイポーラトランジスタ７のベースとエミッタ間にＮ型ＭＯＳトランジスタ６が設けられる。 - 特許庁

A bipolar transistor Q11 and a bipolar transistor Q12 form a current mirror circuit 11, a MOS transistor M11 is connected to the emitter terminal of the bipolar transistor Q11, and a MOS transistor 12 supplies a gate bias voltage to the MOS transistor 11.例文帳に追加

バイポーラトランジスタＱ１１およびバイポーラトランジスタＱ１２が、カレントミラー回路１１を形成し、ＭＯＳトランジスタＭ１１が、バイポーラトランジスタＱ１１のエミッタ端子に接続され、ＭＯＳトランジスタ１２が、ＭＯＳトランジスタ１１へゲートバイアス電圧を供給する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING POLYSILICON-POLYSILICON CAPACITOR, MOS TRANSISTOR, AND BIPOLAR TRANSISTOR SIMULTANROUSLY例文帳に追加

ポリシリコン−ポリシリコン・キャパシタ，ＭＯＳトランジスタ，バイポーラ・トランジスタを同時に形成する方法 - 特許庁