multilayer relaxationとは 意味・読み方・使い方

When the substrate 1 has a metal film 5 thereon, effect of moisture prevention and rust prevention are expectable by inserting the stress relaxation layer 4 comprising the amorphous ScF3 film between the optical multilayer film and the metal film 5 so that the stress relaxation layer 4 lies on the metal film 5.例文帳に追加

基板１上に金属膜５を有する場合には、非晶質のＳｃＦ_3 膜からなる応力緩和層４を金属膜５の上に挿入することで、防湿、防錆の効果も期待できる。 - 特許庁

A stress relaxation layer 2 of a multilayered structure made by repetitively superposing layers comprising pairs of either Ru/Si or Ru/B_4C is provided between a substrate 1 of such a multilayer-film reflector and a multilayer film 3.例文帳に追加

このような多層膜反射鏡の基板１と多層膜３との間に、Ｒｕ／Ｓｉ、もしくはＲｕ／Ｂ_4Ｃ、のいずれかのペアによる層を繰り返して積層した多層構造の応力緩和層２が設けられている構成とする。 - 特許庁

A strain relaxation silicon germanium layer 12 with through-dislocation 14 is epitaxially grown on a silicon substrate 11, and then a metallic layer 13 is formed to manufacture a multilayer film intermediate structure 10.例文帳に追加

シリコン基板１１上に、貫通転位１４を有する歪緩和シリコンゲルマニウム層１２をエピタキシャル成長させ、次いで金属層１３を形成して多層膜中間構造体１０を作製する。 - 特許庁

To provide a multilayer film structure in which relaxation of strain of a germanium tin mixed crystal layer is promoted and a tensile-strained germanium layer with a larger in-plane tensile strain can be formed.例文帳に追加

ゲルマニウム錫混晶層の歪緩和を促進し、より大きな面内伸張歪を持つ伸張歪ゲルマニウム層を形成することができる多層膜構造体を提供する。 - 特許庁

A stress relaxation layer 4 comprising an amorphous ScF3 film is inserted in the optical multilayer film comprising a high refractive index film 2 and a low refractive index film 3 layered on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に積層される高屈折率膜２と低屈折率膜３からなる光学多層膜に、非晶質のＳｃＦ_3 膜からなる応力緩和層４を挿入する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device comprises a process of epitaxial growth of the silicon - germanium mixed crystal film, or the germanium film or a multilayer monocrystalline film thereof, on the insulation substrate or on the monocrystalline silicon thin film on the insulation film; and a process of accelerating lattice relaxation by conducting a heat treatment after the former process or in the middle of the former process.例文帳に追加

絶縁性基板或いは絶縁膜上の単結晶シリコン薄膜に、シリコンゲルマニウム混晶膜又はゲルマニウム膜或いはその多層単結晶膜を、エピタキシャル成長させる工程と、その後或いはその途中工程において熱処理によって格子緩和を促す工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To prevent damage of a semiconductor chip being an electronic element incorporated in a multilayer printed circuit board; to reduce manufacturing cost; to prevent a crack of the board and the electronic element by stress relaxation of a connection member; to prevent a defect such as warpage or torsion; and to prevent reliability degradation by temperature change influencing the reliability of a semiconductor plastic package.例文帳に追加

本発明は、多層印刷回路基板に内蔵される電子素子である半導体チップの損傷を防止でき、製造コストを低減でき、接続材の応力緩和により基板及び電子素子のクラックを防止でき、反り・捩れなどの不良を防止でき、半導体プラスチックパッケージの信頼性に影響を与える温度変化による信頼性低下も防止できる。 - 特許庁