n・siの英語

An n+Si layer is formed between the source electrode 110 or drain electrode 111 and semiconductor layer.例文帳に追加

ソース電極１１０あるいはドレイン電極１１１と半導体層の間にはｎ＋Ｓｉ層が形成されている。 - 特許庁

The electric charge storing layer 6 comprises quantum dots 61a to 61c made of n^+Si and an oxide layer 62 covering it.例文帳に追加

電荷蓄積層６は、ｎ^＋Ｓｉからなる量子ドット６１ａ〜６１ｃと、それを被覆する酸化層６２とからなる。 - 特許庁

When a recognition target molecule in drinking water is caught by a mold section of a thin-film-like recognition material 33, the capacitance of an organic compound layer of the n-Si substrate 32 varies, and this appears as variation in bias voltage between the electrodes 34 and 35.例文帳に追加

そして、試料水中の認識対象分子が薄膜状認識材料３３の鋳型部に捕捉されると、n-Si基板３２の有機化合物層の静電容量が変化し、これが電極３４，３５間のバイアス電圧の変化となって現れる。 - 特許庁

The GND electrode 54 blocks electric fields of a drain electrode T1d, a source electrode T1s and an n^+-Si film 56.例文帳に追加

このＧＮＤ電極５４は、ドレイン電極Ｔ１ｄ、ソース電極Ｔ１ｓ及びｎ^+−Ｓｉ膜５６の電界を遮蔽する。 - 特許庁

An n+ Si layer 109 is formed on the a-Si layer 108, and SD electrodes 110, 111 and 112 are formed on it.例文帳に追加

ａ−Ｓｉ層１０８上にｎ＋Ｓｉ層１０９を形成し、その上にＳＤ電極（１１０、１１１、１１２）を形成する。 - 特許庁

A source electrode 11d and a drain electrode 11e are formed on both sides of the semiconductor layer 11b via an n+Si layer 11c.例文帳に追加

半導体層１１ｂの両側には、ｎ＋Ｓｉ層１１ｃを介してソース電極１１ｄとドレイン電極１１ｅとが形成される。 - 特許庁

The structure of the semiconductor switch comprises Al electrode/p-type single crystal silicon carbide layer, gradient composition layer/n-type single crystal silicon substrate/Al electrode (Al/p-SiC/GCL/n-Si/Al) while the gradient composition layer is a buffer layer between p-SiC and n-Si.例文帳に追加

前記半導体スイッチの構造は、Ａｌ電極／ｐ型単結晶炭化シリコン層／勾配組成物層／ｎ型単結晶シリコン基板／Ａｌ電極（Ａｌ/ｐ−ＳｉＣ／ＧＣＬ／ｎ−Ｓｉ／Ａｌ）を含み、前記勾配組成物層はｐ−ＳｉＣとｎ−Ｓｉの間の緩衝層である。 - 特許庁

The exposed surface of an n^+ Si film 205 is reformed by the surface reforming treatment, and a surface-reformed treatment surface 205a is formed.例文帳に追加

表面改質処理により、ｎ^＋Ｓｉ膜２０５の露出表面が表面改質され、表面改質処理面２０５ａが形成される。 - 特許庁