traとは 意味・読み方・使い方

A first transistor TRA has a floating gate FG, a control gate CG, a first conductive electrode, and a second conductive electrode.例文帳に追加

第１のトランジスタＴＲＡは、浮遊ゲートＦＧと、制御ゲートＣＧと、第１導通電極と、第２導通電極とを有する。 - 特許庁

The second transistor TRA is an N-type transistor which supplies an internal voltage GND to the other terminal side of the fuse element F.例文帳に追加

第２トランジスタＴＲＡは、フューズ素子Ｆの他方の端子側に内部電圧ＧＮＤを供給するＮ型のトランジスタである。 - 特許庁

The thickness of a side wall 105 of a transistor TrA is smaller than the thickness of a side wall 105 of a transistor TrB.例文帳に追加

トランジスタＴｒＡのサイドウォール１０５の厚みをトランジスタＴｒＢのサイドウォール１０５の厚みよりも薄くする。 - 特許庁

The first, second, third and fourth MOS transistors TrA, TrB, TrC and TrD are composed of the MOS transistors of low breakdown voltage.例文帳に追加

これらの第１、第２，第３及び第４のＭＯＳトランジスタＴｒＡ，ＴｒＢ，ＴｒＣ，ＴｒＤは、低耐圧のＭＯＳトランジスタで構成されている。 - 特許庁

Since the usage rights are not bound to the content, the content provider can change the usage rights after the content has been registered with the TRA 106.例文帳に追加

使用権はコンテンツに拘束されていないため、コンテンツ提供者は、コンテンツがＴＲＡ１０６に登録された後に使用権を変更しうる。 - 特許庁

Moreover, the source electrode Tras of the thin film transistor TrA and the source electrode Trbs of the thin film transistor TrB are connected through a connection wiring LNs, a drain electrode Trad of the thin film transistor TrA and a drain electrode Trbd of the thin film transistor TrB are connected through a connection wiring LNd.例文帳に追加

また、薄膜トランジスタＴｒＡのソース電極Ｔｒasと薄膜トランジスタＴｒＢのソース電極Ｔｒbsが接続配線ＬＮｓを介して接続され、薄膜トランジスタＴｒＡのドレイン電極Ｔｒadと薄膜トランジスタＴｒＢのドレイン電極Ｔｒbdは、接続配線ＬＮｄを介して接続されている。 - 特許庁

The semiconductor memory is composed of a transistor TRA for selection (A) and a memory cell MCAM composed of a first electrode 21, a capacitor layer 22 and a second electrode 23 (B), the first electrode 21 is connected, via the transistor TRA for selection, to a bit line BLA and a thermal diffusion layer 25 is formed on or above the memory cell MCAM or under or below the memory cell.例文帳に追加

半導体メモリは、（Ａ）選択用トランジスタＴＲ_Aと、（Ｂ）第１の電極２１とキャパシタ層２２と第２の電極２３とから成るメモリセルＭＣ_AMから構成され、第１の電極２１は選択用トランジスタＴＲ_Aを介してビット線ＢＬ_Aに接続され、メモリセルＭＣ_AMの上若しくは上方、あるいは又、メモリセルの下若しくは下方には、熱拡散層２５が形成されている。 - 特許庁

Some regions TRa and TRw of an inspection object range TR are estimated from member arrangement information showing arrangement of respective components (a substrate W, electronic components EP) constituting the analyte, and a region for obtaining tomographic image information from the imaging result of a transmission image is restricted to regions except the regions TRa and TRw.例文帳に追加

検査対象範囲ＴＲの一部の領域ＴＲa、ＴＲwについては、被検体を構成する各部材（基板Ｗ、電子部品ＥＰ）の配置を示す部材配置情報から推定することとし、透過像の撮像結果から断層画像情報を求める領域を領域ＴＲa、ＴＲw以外の領域に限定する。 - 特許庁