n at-Taとは 意味・読み方・使い方

Cooling is started from the time ta at a speed of -4°C/min, the temperature in the quartz cassette 5 is decreased to Ta°C at a time tb', and conductivity of a crystal layer of the semiconductor wafer is inverted from an N-type to a P-type.例文帳に追加

時刻ｔａから−４℃／ｍｉｎの速度で冷却を開始し、時刻ｔｂ’で石英カセット内の温度をＴａ℃に降温して、半導体ウエハの結晶層の導電型をＮからＰに反転させる。 - 特許庁

The sputtering target is composed of at least either of high- purity Ta and high-purity TaN and contains high-purity Ta and N in amounts of ≤2 atomic %, and Cu content in the target-constituting material is regulated to ≤50 ppm.例文帳に追加

高純度Ｔａ、窒素を2at%以下の範囲で含有する高純度Ｔａ、および高純度ＴａＮから選ばれる少なくとも1種からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲット構成材料中のＣｕ含有量を50ppm以下とする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting diode with excellent appearance and a wire bonding property, capable of forming an ohmic contact even at an ordinary temperature without any special heat treatment process by forming a B metal and an N metal in double layers of Ta/Au, and to provide a method of manufacturing the nitride semiconductor light emitting diode.例文帳に追加

本発明はＢメタルとＮメタルをＴａ／Ａｕの二重層に形成して、別途の熱処理工程無しでも常温においてオーミック接触を形成でき外観とワイヤボンディング特性の優れた窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関する。 - 特許庁

In the ageing process of the heater carried out at the time of manufacturing of the liquid jet recording head which uses the TaXN (X=Si, B) thin film as the heater, an electrical signal used for ageing stabilizes Ta-N coupling in the TaXN thin film.例文帳に追加

ＴａＸＮ（Ｘ＝Ｓｉ，Ｂ）薄膜をヒーターとして使用した液体噴射記録ヘッドの製造の際に施される、ヒーターのエージング工程において、エージングに使用される電気信号は、ＴａＸＮ薄膜内のＴａーＮ結合が安定化するものであることを特徴とする。 - 特許庁

At least one out of the lines between an AC power input terminal IN and an output terminal OUT to high voltage equipment is set to parallel branch lines (a) and (b), and an externally mounted device is composed by connecting the series connection body between diodes da and db and P-N junction elements ta and tb to both branch circuits, thus facilitating the utilization by a general user.例文帳に追加

交流電力入力端子ＩＮと電磁機器への出力端子ＯＵＴとの間のラインの少なくとも１本のラインを、並列分岐ラインａ、ｂとし、両分岐回路にダイオードｄａ、ｄｂとＰＮ接合素子ｔａ、ｔｂとの直列接続体を接続してなる外付け装置を構成して、一般ユーザー段階での利用を容易化した。 - 特許庁

Electrode structures 305, 306 are an ohmic electrode formed on the surface of an n-type or non-doped nitride semiconductor, which contains at least one or more of metals among Ti, Ta, Nb, Cr, V, Sn, In, Zr, and Si in a first region in contact with the surface of the nitride semiconductor, and further contains Mg in a second region formed on the first region.例文帳に追加

本発明の電極構造３０５、３０６は、ｎ型またはノンドープ窒化物半導体表面に形成されたオーミック電極であって、前記窒化物半導体表面に接する第１の領域にＴｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｖ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｓｉのうち少なくとも１種以上の金属が含まれ、かつ、その上に形成される第２の領域にＭｇが含まれていることを特徴とする。 - 特許庁