n2 mixtureとは 意味・読み方・使い方

The formation of the crystallization accelerating layer 3 is carried out by using a Bi target and introducing a gaseous Ar-N2 mixture.例文帳に追加

結晶化促進層３の成膜は、Ｂｉからなるターゲットを用い、アルゴンと窒素の混合ガスを導入して行う。 - 特許庁

When the nitrogen gas flow passage 20 is broken with a coolant flow passage 13 of the transport tube, the mixture gas of N2 and O2 intrudes inside of the nitrogen gas flow passage 20.例文帳に追加

輸送管の冷媒流路13と共に窒素ガスの流路20が破壊されると、窒素ガスの流路20内にN_2とO_2の混合気体が侵入する。 - 特許庁

Processing gas consisting of a gaseous mixture of N2, H2 and Ar, whose flow rate ratio (Ar/(N2+H2+Ar)) is 0.7-0.8, is introduced to the inside the processing chamber 102, and a pressure atmosphere inside the processing chamber 102 is set to 5 mTorr-15 mTorr.例文帳に追加

処理室１０２内に流量比（Ａｒ／（Ｎ_2＋Ｈ_2＋Ａｒ））が０．７〜０．８のＮ_2とＨ_2とＡｒの混合ガスから成る処理ガスを導入し，処理室１０２内の圧力雰囲気を５ｍＴｏｒｒ〜１５ｍＴｏｒｒに設定する。 - 特許庁

In the second agitation step, the mixture is further agitated at about room temperature for 60 min or lower at a revolution speed of 1 rpm or higher in a specified atmosphere (N2, Ar or air).例文帳に追加

第２攪拌工程では、室温付近の温度で、６０分以下、１ｒｐｍ以上の回転速度で、所定雰囲気（Ｎ_2 、Ａｒ又は空気）中において混合物をさらに攪拌する。 - 特許庁

In an embodiment, a plasma is generated from a gas mixture containing about 100 to about 250 sccm of argon(Ar), about 100 to about 500 sccm of nitrogen(N2) and about 10 to about 80 sccm of silane(SiH4), thereby depositing silicon nitride.例文帳に追加

１つの実施態様では、約100〜約250 sccmのアルゴン（Ar）、約100〜約500 sccmの窒素（N_2）、および約10〜約80 sccmのシラン（SiH_4）を含むガス混合物からプラズマを形成することにより窒化珪素を堆積する。 - 特許庁

The supply crucible 4 and the delivery crucible 1 are pressurized with N2-8%H2 mixture reducing gas atmosphere from a linked pressure unit 11 to push out a specified quantity of molten to the bottom part of the delivery crucible 1 through an orifice 5.例文帳に追加

供給ルツボ４と出湯ルツボ／加圧装置１１連係されたＮ_２−８％Ｈ_２混合還元性ガス雰囲気で加圧し、出湯ルツボ１の底部にオリフィス５を通して一定量の溶湯を押し出す。 - 特許庁

When the resist 3 of an upper layer has been eliminated, etching gas is changed for mixture gas of O2 gas and N2 gas, the resist 1 of a lower layer is etched, by using the SiO2 film 2 as a mask, and a pattern of an SiO2 film is transferred to the resist 1 of a lower layer.例文帳に追加

上層のレジスト３が消滅したら、エッチングガスをＯ_2 ガスとＮ_2 ガスとの混合ガスに換え、ＳｉＯ_2 膜２をマスクにして下層のレジスト１をエッチングし、ＳｉＯ_2 膜のパターンを下層のレジスト１に転写する。 - 特許庁