nitrogen group elementとは 意味・読み方・使い方

A group Vb element or a group VI element other than nitrogen is also used as an n-type dopant for forming impurity regions.例文帳に追加

不純物領域形成のためのｎ型ドーパントとしても、窒素以外のＶｂ族、またはＶＩ族元素を用いる。 - 特許庁

In the group 13 nitride semiconductor nanoparticles, the particle diameter distribution of the group 13 nitride semiconductor nanoparticles is ≤50% by the coefficient of variation, and the ratio in the number of atoms between the group 13 element(s) and nitrogen, (the group 13 element(s): nitrogen) is 1:0.95 to 1:1.05.例文帳に追加

１３族窒化物半導体ナノ粒子の粒径分布が変動係数で５０％以下であり、１３族元素と窒素の原子数の比（１３族元素：窒素）が１：０．９５〜１：１．０５である。 - 特許庁

The nonmetallic element is selected from the group consisting of boron, oxygen and nitrogen.例文帳に追加

その非金属元素はホウ素、酸素および窒素からなる群から選択される。 - 特許庁

To enhance electrical characteristics of a nitrogen compound semiconductor light-emitting element by a method, where when the light-emitting element consisting of a nitrogen compound semiconductor film is formed on a nitrogen compound semiconductor substrate, an element belonging to a group VII elements is contained in the nitrogen compound semiconductor substrate as impurities.例文帳に追加

転位密度が低く、かつ基板とエピタキシャル成長膜との電気的コンタクトが良好となるエピタキシャル成長を行う基板面（以下、成長面）を有する窒素化合物半導体基板を得る。 - 特許庁

The molar ratio between a nitrogen element in a liquid growing a group 13 metal nitride crystal and a group 13 metal element (N/group 13 metal) is held in the range of 3.5 to 50.例文帳に追加

第１３族金属窒化物結晶を成長させる液中の窒素元素と第１３族金属元素のモル比（Ｎ／第１３族金属）を３．５〜５０の範囲内に保持する。 - 特許庁

In the synthetic method for group IIIB nitride, a group IIIB element-containing compound and a nitrogen-containing compound are dissolved into a solvent, thereafter, the solvent is evaporated, the obtained uniform mixture is heated to reduce the group IIIB element-containing compound, and, the group IIIB elements are nitrided with nitrogen in the nitrogen-containing compound.例文帳に追加

IIIＢ族元素含有化合物と含窒素化合物を溶媒に溶解した後、溶媒を蒸発して得られた均一混合物を加熱してIIIＢ族元素含有化合物を還元して含窒素化合物の窒素によりIIIＢ族元素を窒化することを特徴とするIIIＢ族窒化物の合成方法。 - 特許庁

The active layer 5 is made of a group III-V based compound semiconductor containing at least nitrogen element as a group V.例文帳に追加

活性層５は、Ｖ族として少なくとも窒素元素を含むIII−Ｖ系化合物半導体から構成されている。 - 特許庁

A semiconductor layer 15 consisting of the group III-V compound semiconductor containing a gallium element, indium element, arsenic element and nitrogen element is formed on a GaAs substrate 11.例文帳に追加

ガリウム元素、インジウム元素、ヒ素元素および窒素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体から成る半導体層１５をＧａＡｓ基板１１上に形成する。 - 特許庁