nitrogen group elementとは 意味・読み方・使い方

To enhance electrical characteristics of a nitrogen compound semiconductor light-emitting element by a method, where when the light-emitting element consisting of a nitrogen compound semiconductor film is formed on a nitrogen compound semiconductor substrate, an element belonging to a group VII elements is contained in the nitrogen compound semiconductor substrate as impurities.例文帳に追加

転位密度が低く、かつ基板とエピタキシャル成長膜との電気的コンタクトが良好となるエピタキシャル成長を行う基板面（以下、成長面）を有する窒素化合物半導体基板を得る。 - 特許庁

In the group 13 nitride semiconductor nanoparticles, the particle diameter distribution of the group 13 nitride semiconductor nanoparticles is ≤50% by the coefficient of variation, and the ratio in the number of atoms between the group 13 element(s) and nitrogen, (the group 13 element(s): nitrogen) is 1:0.95 to 1:1.05.例文帳に追加

１３族窒化物半導体ナノ粒子の粒径分布が変動係数で５０％以下であり、１３族元素と窒素の原子数の比（１３族元素：窒素）が１：０．９５〜１：１．０５である。 - 特許庁

In the synthetic method for group IIIB nitride, a group IIIB element-containing compound and a nitrogen-containing compound are dissolved into a solvent, thereafter, the solvent is evaporated, the obtained uniform mixture is heated to reduce the group IIIB element-containing compound, and, the group IIIB elements are nitrided with nitrogen in the nitrogen-containing compound.例文帳に追加

IIIＢ族元素含有化合物と含窒素化合物を溶媒に溶解した後、溶媒を蒸発して得られた均一混合物を加熱してIIIＢ族元素含有化合物を還元して含窒素化合物の窒素によりIIIＢ族元素を窒化することを特徴とするIIIＢ族窒化物の合成方法。 - 特許庁

A group Vb element or a group VI element other than nitrogen is also used as an n-type dopant for forming impurity regions.例文帳に追加

不純物領域形成のためのｎ型ドーパントとしても、窒素以外のＶｂ族、またはＶＩ族元素を用いる。 - 特許庁

By adding the group 13 metal nitride such as GaN, the molar ratio between the nitrogen element and the group 13 metal element in the liquid can be adjusted as well.例文帳に追加

ＧａＮなどの第１３族金属窒化物を添加すれば、液中の窒素元素と第１３族金属元素のモル比も調整することができる。 - 特許庁

This different element is an element of a group IIIB and/or a group VB of a periodic table, and in particular, the element of the group IIIB is boron and the element of the group VB is nitrogen, preferably.例文帳に追加

この異元素は、周期表第IIIＢ族及び／又は第ＶＢ族の元素であり、とくにIIIＢ族元素がボロン、ＶＢ族元素が窒素であることが好ましい。 - 特許庁

The group III element nitride crystal substrate 13 is formed by allowing nitrogen of a nitrogen-containing gas and a group III element to react to crystallize in a melt (a flux) containing at least one of alkali metal and alkaline earth metal.例文帳に追加

まず、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を含む融解液（フラックス）中において、窒素含有ガスの窒素とIII族元素とを反応させて結晶化させ、III族元素窒化物結晶基板１３を形成する。 - 特許庁

The active layer 5 is made of a group III-V based compound semiconductor containing at least nitrogen element as a group V.例文帳に追加

活性層５は、Ｖ族として少なくとも窒素元素を含むIII−Ｖ系化合物半導体から構成されている。 - 特許庁