nitrogen group element compoundとは 意味・読み方・使い方

In the production method, a mixture containing at least one group III element selected from among gallium, aluminum, and indium, an alkali metal, and a liquid nitrogen compound is melted by heating, thereby reacting the group III element with the nitrogen compound to grow a group III nitride crystal.例文帳に追加

ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも１つのIII族元素とアルカリ金属と液体の窒素化合物とを含む混合物を加熱して溶解させることによって、上記少なくとも１つのIII族元素と上記窒素化合物とを反応させてIII族窒化物結晶を成長させる。 - 特許庁

To provide a method of growing a crystal by which nitrogen can be mixed in crystals without being affected by the supply condition of a group III raw material and a III-V compound semiconductor containing nitrogen and a group V element other than nitrogen in a group V composition can be obtained.例文帳に追加

III族原料の供給条件に影響を受けることなく窒素の混晶化を行うことができる、窒素と窒素以外のV族元素とをV族組成に有するIII-V族化合物半導体を得る為の結晶成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element capable of reducing the effect of hydrogen in the crystal of group III-V compound semiconductor containing nitrogen and arsenic.例文帳に追加

窒素およびヒ素を含むIII−Ｖ化合物半導体の結晶中の水素の影響を低減可能な半導体光素子を提供する。 - 特許庁

The well layers 21a and 21b are made of III-V compound semiconductor, containing at least nitrogen and arsenic as a group V element.例文帳に追加

井戸層２１ａ、２１ｂは、Ｖ族元素として窒素および砒素を少なくとも含むIII−Ｖ化合物半導体から成る。 - 特許庁

The film 15 is composed of an inorganic compound which comprises either oxygen or nitrogen as a constituent element and is different from a group III nitride.例文帳に追加

膜１５は、酸素および窒素の少なくともいずれか一方を構成元素として含みIII族窒化物と異なる無機化合物からなる。 - 特許庁

The method for growth of the group III nitride compound semiconductor layer using a nitrogen source in the state of radicals, plasmas, or atoms includes a first step for alternately repeating a process to supply only the dopant element, and a process to simultaneously supply a compound including the group III element and a nitrogen raw material.例文帳に追加

ドーパント元素のみを供給するプロセスと、ＩＩＩ族元素を含む化合物と窒素原料を同時に供給するプロセスを交互に繰り返すことからなる第一の工程を含む、ラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたＩＩＩ族窒化物化合物半導体層の成長方法。 - 特許庁

The method for producing the nitrogen-containing aromatic N-oxides comprises reacting the corresponding nitrogen-containing aromatics with the hydrogen peroxide in the presence of a metal oxide catalyst prepared by reacting at least one kind selected from tungsten metal and a tungsten compound composed of tungsten and a group IIIb element, a group IVb element, a group Vb element or a group VIb element except oxygen with the hydrogen peroxide.例文帳に追加

タングステン金属およびタングステンと第IIIb族、第IVb族、第Vb族または酸素を除く第VIb族元素とからなるタングステン化合物から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなる金属酸化物触媒の存在下に、含窒素芳香族類と過酸化水素とを反応させることを特徴とする含窒素芳香族Ｎ−オキシド類の製造方法。 - 特許庁

A semiconductor layer 15 consisting of the group III-V compound semiconductor containing a gallium element, indium element, arsenic element and nitrogen element is formed on a GaAs substrate 11.例文帳に追加

ガリウム元素、インジウム元素、ヒ素元素および窒素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体から成る半導体層１５をＧａＡｓ基板１１上に形成する。 - 特許庁