窒素族元素の英語

IIIＢ族元素含有化合物と含窒素化合物を溶媒に溶解した後、溶媒を蒸発して得られた均一混合物を加熱してIIIＢ族元素含有化合物を還元して含窒素化合物の窒素によりIIIＢ族元素を窒化することを特徴とするIIIＢ族窒化物の合成方法。例文帳に追加

In the synthetic method for group IIIB nitride, a group IIIB element-containing compound and a nitrogen-containing compound are dissolved into a solvent, thereafter, the solvent is evaporated, the obtained uniform mixture is heated to reduce the group IIIB element-containing compound, and, the group IIIB elements are nitrided with nitrogen in the nitrogen-containing compound. - 特許庁

この異元素は、周期表第IIIＢ族及び／又は第ＶＢ族の元素であり、とくにIIIＢ族元素がボロン、ＶＢ族元素が窒素であることが好ましい。例文帳に追加

This different element is an element of a group IIIB and/or a group VB of a periodic table, and in particular, the element of the group IIIB is boron and the element of the group VB is nitrogen, preferably. - 特許庁

ＧａＮなどの第１３族金属窒化物を添加すれば、液中の窒素元素と第１３族金属元素のモル比も調整することができる。例文帳に追加

By adding the group 13 metal nitride such as GaN, the molar ratio between the nitrogen element and the group 13 metal element in the liquid can be adjusted as well. - 特許庁

前記周期律表におけるIIIＡ族元素が、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎであり、前記ＶＡ族元素が窒素である態様が好ましい。例文帳に追加

The group IIIA elements are preferably Al, Ga and In and the group VA elements are preferably nitrogen. - 特許庁

ＩＩＩ族元素及び窒素を含む液体２１０を基板２２０上に広げる。例文帳に追加

A liquid 210 containing group III elements and nitrogen is spread on a substrate 210. - 特許庁

反応容器１０１内で、アルカリ金属および少なくともIII族金属元素(例えば、Ｇａ(ガリウム))を含む物質（１０２）と少なくとも窒素元素を含む物質（１０３）とから、III族金属元素と窒素元素とにより構成される立方晶系のIII族窒化物を結晶成長させる。例文帳に追加

In a reaction chamber 101, a cubic III nitride crystal composed of a group III metallic element (for example, gallium(Ga)) and nitride elements is grown from a material 102, containing an alkali metal and at least the group III metallic element and another material 103, containing at least nitrogen element. - 特許庁

１３族窒化物半導体ナノ粒子の粒径分布が変動係数で５０％以下であり、１３族元素と窒素の原子数の比（１３族元素：窒素）が１：０．９５〜１：１．０５である。例文帳に追加

In the group 13 nitride semiconductor nanoparticles, the particle diameter distribution of the group 13 nitride semiconductor nanoparticles is ≤50% by the coefficient of variation, and the ratio in the number of atoms between the group 13 element(s) and nitrogen, (the group 13 element(s): nitrogen) is 1:0.95 to 1:1.05. - 特許庁

第１３族元素、窒素元素およびＳｉ元素を含む原料を用いて、Ｓｉ取込効率１０％以上で結晶成長を行うことにより、Ｓｉ元素を含有する第１３族窒化物結晶を製造する。例文帳に追加

A group 13 nitride crystal containing the Si element is produced by performing crystal growth with Si intake efficiency of 10% or more using the material containing a group 13 element, a nitrogen element and the Si element. - 特許庁