no p-layerとは 意味・読み方・使い方

Thereby, no influence is exerted on an increase in resistance due to reduction of the thickness of the p-type semiconductor layer by forming the surface plasmon layer between the n-type semiconductor layer and the active layer or between the active layer and the p-type semiconductor layer, and optical characteristics can be improved by inducing a resonance phenomenon between the surface plasmon layer and the active layer.例文帳に追加

従って、ｎ型半導体層と活性層との間または活性層とｐ型半導体層との間に表面プラズモン層を形成することによってｐ型半導体層の厚さ減少による抵抗増加に影響を受けることなく、表面プラズモン層と活性層との間に共鳴現象を誘導することによって光特性を改善させることができる。 - 特許庁

Accordingly, the end face Pc of the reaction type hot-melt adhesive layer P is formed in a flat surface, and a post-coated surface having no fine irregularity is obtained.例文帳に追加

それにより、反応式ホットメルト接着剤層Ｐの端面Ｐｃは平坦面となり、微細な凹凸のない後塗装面が得られる。 - 特許庁

A breakdown voltage at OFF is increased in the p-type layer buffer, a breakdown voltage at ON is increased by discharging the hole, the reduction in a drain current is eliminated since there is no leakage from the p-type layer, and high output can be achieved in the points of both current and voltage.例文帳に追加

ｐ型層バッファでＯＦＦ時の耐圧を上げ、ホールの排出でＯＮ時の耐圧を上げ、ｐ型層からのリークがないのでドレイン電流の低下が無く、電流面、電圧面の両者で高出力化が実現できる。 - 特許庁

Therefore, there are no parasitic junction FETs in an epitaxial layer 33, set to be the drain region of a lower region in a P- type diffusion region 46.例文帳に追加

そのことで、Ｐ−型の拡散領域４６下部領域のドレイン領域となるエピタキシャル層３３には、寄生ジャンクションＦＥＴが無くなる。 - 特許庁

Namely, although the diffusion layer has a region in contact with the p-well, the conventional method has no consideration about it at all.例文帳に追加

つまり、拡散層にはｐウェルと接する領域があるにも拘わらず、従来の取得方法では、そのことが全く考慮されていない。 - 特許庁

Therefore, there are no parasitic junction FETs in an epitaxial layer 33 set to be the drain region of a lower region in a P- type diffusion region 44.例文帳に追加

そのことで、Ｐ−型の拡散領域４４下部領域のドレイン領域となるエピタキシャル層３３には、寄生ジャンクションＦＥＴが無くなる。 - 特許庁

A part of the surface of a first group III nitride semiconductor layer is exposed by etching a layer formed on the surface of the first group III nitride semiconductor layer containing a p-type impurity with a gas containing no nitrogen element.例文帳に追加

ｐ型の不純物を含む第１のIII族窒化物半導体層の表面に形成されている層を窒素元素を含まないガスでエッチングして、第１のIII族窒化物半導体層の表面の一部を露出させる。 - 特許庁

In this drug release stent, after the surface of the stent base material 11 is treated by primer, the primer layer P is covered with the drug retaining layer M and the drug retaining layer M is covered with a covering layer 12 composed of the high polymer material containing no NF-κB decoy.例文帳に追加

ステント基材１１表面をプライマー処理した後、当該プライマー層Ｐを、前記薬剤保持層Ｍで被覆し、前記薬剤保持層Ｍを、ＮＦ−κＢのデコイを含有しない高分子材料からなる被覆層１２で被覆した。 - 特許庁