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意味・対訳 光学的絶縁破壊; 光学破壊; 光絶縁破壊
「optical breakdown」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 66件
OPTICAL ASSEMBLY WITH ENHANCED ELECTROSTATIC BREAKDOWN WITHSTAND VOLTAGE例文帳に追加
静電破壊耐圧を高めた光アセンブリ - 特許庁
SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT BREAKDOWN PREVENTION CIRCUIT, AND OPTICAL DISK DEVICE INCLUDING THE SAME例文帳に追加
半導体レーザ素子破壊防止回路、及びそれを備える光ディスク装置 - 特許庁
To avoid discharge breakdown of an optical waveguide in manufacturing a device.例文帳に追加
デバイスの製造時における光導波路の放電破壊を回避すること。 - 特許庁
To provide an extremely small optical device with high sensitivity, which has a high breakdown voltage and high reliability.例文帳に追加
絶縁破壊電圧が高く、信頼性の高い、高感度で超小型の光デバイスを提供する。 - 特許庁
To provide an optical semiconductor device capable of inhibiting a breakdown of a temperature controller.例文帳に追加
温度制御装置の破壊を抑制することが可能な光半導体装置を提供すること。 - 特許庁
To prevent electrostatic breakdown and improve reliability in an optical element and a manufacturing method.例文帳に追加
光素子およびその製造方法に関して、静電破壊を防止して信頼性の向上を図る。 - 特許庁
To provide a semiconductor optical element in which reverse electrostatic breakdown voltage can be enhanced.例文帳に追加
逆方向静電破壊耐圧を向上できる構造の半導体光素子を提供する。 - 特許庁
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「optical breakdown」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 66件
The optical semiconductor element 10 is also provided on the semiconductor substrate 11 with an electrostatic breakdown voltage element 40 having a layer structure different from that of the photodetector 30 and protecting the surface emission semiconductor laser 20 against electrostatic breakdown.例文帳に追加
また、光半導体素子１０は、光検出素子３０とは異なる層構造を有し、面発光型半導体レーザ２０を静電破壊から保護する静電耐圧素子４０を半導体基板１１上に備える。 - 特許庁
The optical semiconductor element 10 is also provided on the semiconductor substrate 11 with an electrostatic breakdown voltage element 40 having a layer structure identical to that of the photodetector 30 and protecting the surface emission semiconductor laser 20 against electrostatic breakdown.例文帳に追加
また、光半導体素子１０は、光検出素子３０と同一の層構造を有し、面発光型半導体レーザ２０を静電破壊から保護する静電耐圧素子４０を半導体基板１１上に備える。 - 特許庁
To provide an optical response semiconductor switch for which circuit operation stability of an over-current protection circuit is improved and breakdown strength against breakdown caused by heat of an output MOSFET is improved.例文帳に追加
過電流保護回路の回路動作の安定性を向上させ、出力用ＭＯＳＦＥＴの熱による破壊強度を向上させた光応答型半導体スイッチを提供すること。 - 特許庁
To provide a transmitter breakdown prevention structure for preventing erroneous connections causing at least optical transmission/reception module breakdown by using an optical cable having the minimum kinds of connector shapes to connect packages and to connect optical components.例文帳に追加
最小限の種類のコネクタ形状を有する光ケーブルを用いてパッケージ間、光部品間の接続を行うことにより、少なくとも光送受信モジュール破壊につながる誤接続を防止する伝送装置破壊防止構造を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor laser module which hardly causes breakdown of a semiconductor laser element or an optical fiber and offers a high coupling efficiency.例文帳に追加
半導体レーザ素子や光ファイバの破損を起こしにくくし、高結合効率が得られる半導体レーザモジュールを提供する。 - 特許庁
To provide an optical semiconductor element small in an occupation area, easily manufacturable, and provided with an electrostatic breakdown prevention means.例文帳に追加
占有面積が小さく、製造が容易な静電破壊防止手段を備えた光半導体素子を提供すること。 - 特許庁
To obtain an end-face protective film having a small light absorption even in high-power operation and causing no optical breakdown.例文帳に追加
高出力動作時においても光吸収が少なく、光学破壊を起こさない端面保護膜を得られるようにする。 - 特許庁
The other heat-resistant optical fibers 23 are connected to the detector 22 for the breakdown of the heat-transfer pipes by way of a gas plenum 34.例文帳に追加
残りの耐熱光ファイバ２３は、ガスプレナム３４を通って伝熱管破損検出装置２２に接続される。 - 特許庁
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