| 意味 | 例文 (148件) |
oxide breakdownとは 意味・読み方・使い方
追加できません
(登録数上限)
「oxide breakdown」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 148件
The gate oxide film 21 is formed with a film thickness having a gate breakdown voltage that is higher than a device breakdown voltage of a regular field oxide film or the like.例文帳に追加
ゲート酸化膜21は通常のフィールド酸化膜などの素子耐圧以上のゲート耐圧を有する膜厚で形成される。 - 特許庁
Then, the first gate oxide of the low breakdown voltage circuit portion is removed, and a second gate oxide 12 is formed in the low breakdown voltage circuit portion.例文帳に追加
その後低耐圧回路部の第1のゲート酸化膜を除去して、低耐圧回路部に第2のゲート酸化膜12を形成する。 - 特許庁
To protect the gate oxide film of an MOSFET against breakdown due to overvoltage.例文帳に追加
MOSFETのゲート酸化膜が過電圧破壊することを防止する。 - 特許庁
The protective diode has a reverse breakdown strength which is about half the gate-oxide-film breakdown voltage of the transistor 5.例文帳に追加
保護ダイオード11は横形DMOSトランジスタ5のゲート酸化膜破壊耐圧の約2分の1の逆耐圧をもつ。 - 特許庁
A silicon oxide film 5c is formed on a field oxide film 4 of high breakdown strength MISFET formation regions HN and HP.例文帳に追加
高耐圧MISFET形成領域HN、HPのフィールド酸化膜4上に酸化シリコン膜5cを形成する。 - 特許庁
A silicon oxide film 5c is formed on a field oxide film 4 of a high-breakdown-voltage MISFET forming area HN, HP.例文帳に追加
高耐圧MISFET形成領域HN、HPのフィールド酸化膜4上に酸化シリコン膜5cを形成する。 - 特許庁
A silicon oxide film 5c is formed on a field oxide film 4 of the high breakdown voltage MISFET formation areas HN and HP.例文帳に追加
高耐圧MISFET形成領域HN、HPのフィールド酸化膜4上に酸化シリコン膜5cを形成する。 - 特許庁
-
履歴機能
過去に調べた
単語を確認! -
語彙力診断
診断回数が
増える! -
マイ単語帳
便利な
学習機能付き! -
マイ例文帳
文章で
単語を理解! -
「oxide breakdown」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 148件
After removing the field oxide film 24d, the gate oxide film, gate electrode and source/drain of a low breakdown strength MOS transistor are formed.例文帳に追加
そのフィールド酸化膜24dを除去した後、低耐圧MOSトランジスタのゲート酸化膜、ゲート電極、ソース・ドレインを形成する。 - 特許庁
First, a high-breakdown voltage gate oxide film 2 is etched with an anisotropic wet etchant using a high-breakdown voltage gate electrode 3 as a mask, and then is etched with an isotropic etchant.例文帳に追加
高耐圧部ゲート電極3をマスクとして高耐圧部ゲート酸化膜2を最初は異方性、次いで等方性ウエットエッチでエッチングする。 - 特許庁
To make insulation breakdown less likely to occur in a gate oxide film, even is wiring for connecting cells is long.例文帳に追加
セル間を接続する配線が長い場合でも、ゲート酸化膜に絶縁破壊が生じ難くする。 - 特許庁
To make dielectric breakdown hardly occur on a gate oxide film even when wiring for connecting cells is long.例文帳に追加
セル間を接続する配線が長い場合でも、ゲート酸化膜に絶縁破壊が生じ難くする。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device for suppressing the breakdown voltage degradation of a gate oxide film.例文帳に追加
ゲート酸化膜の耐圧劣化を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The breakdown of an interface oxide film of a polysilicon/silicon interface is accelerated, and emitter parasitic resistance is reduced.例文帳に追加
ポリシリコン/シリコン界面の界面酸化膜の破壊が促進され、エミッタ寄生抵抗が低減される。 - 特許庁
To increase the breakdown voltage of a metal oxide transistor at low temperature without selecting a metal oxide transistor having a high blocking voltage.例文帳に追加
高い阻止電圧を有する金属酸化物トランジスタの選択なしに、低い温度において金属酸化物トランジスタの耐圧を高める。 - 特許庁
Further, the diode is designed so as to have a breakdown voltage and the breakdown voltage restricts the strength of an electric field across the gate oxide layer.例文帳に追加
さらに、ダイオードはブレークダウン電圧を有するように設計され、ブレークダウン電圧がゲート酸化物層を横切る電界の強さを制限することができる。 - 特許庁
|
| 意味 | 例文 (148件) |
|
|
ピン留めアイコンをクリックすると単語とその意味を画面の右側に残しておくことができます。 |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
-
1shipping policy
-
2avian
-
3ground meat
-
4run out of
-
5miss
-
6take
-
7fast
-
8while
-
9present
-
10Japanese are Asians.
「oxide breakdown」のお隣キーワード |
weblioのその他のサービス
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|