oxidizing interfaceとは 意味・読み方・使い方

To provide an oxide sliding interface-coated silicon carbide-based fiber having an interfacial layer capable of stably existing in a high temperature oxidizing atmosphere, and to provide a ceramic-based composite material reinforced with the fibers and capable of being used in the high temperature oxidizing atmosphere.例文帳に追加

高温の酸化雰囲気で安定して存在できる界面層を有する酸化物摺動界面被覆炭化ケイ素系繊維、及びこの繊維で強化された高温酸化雰囲気で使用可能なセラミックス基複合材料を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of forming a uniform film for improving film characteristics by reducing defects of a film interface in such a way that an oxide film may be formed by oxidizing a base surface with an oxidizing fluid, and the thin film may be formed on the oxide film.例文帳に追加

酸化性を有する液体によって基体表面を酸化することで酸化膜を形成し、その酸化膜上に薄膜を形成することで、膜界面の欠陥を少なくして膜特性を向上させた均一な成膜を可能とする。 - 特許庁

To provide an oxide film of atom layer level wherein entrance of impurities into an oxidizing process of a silicon crystal surface is suppressed for flatter and evener interface between the oxide film and a semiconductor.例文帳に追加

シリコン結晶表面の酸化工程での不純物混入を抑制し、且つ酸化膜と半導体の界面をより平坦で均一にした原子層レベルの酸化膜を提供すること。 - 特許庁

To stabilize electrical characteristics of an interface between an electrode and an insulating film, and to prevent gate leakage current from generating, in a semiconductor device having a gate insulating film made by oxidizing a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体が酸化されてなるゲート絶縁膜を有する半導体装置において、電極・絶縁膜界面の電気的特性を安定化させると共にゲートリーク電流の発生を防止する。 - 特許庁

This method has a stage, where the trench 200 is formed in the substrate 24, a stage where a nitride interface layer 1250 covering at least part of the sidewall 32 of the trench 200 is formed, a stage where an amorphous layer covering the nitride interface layer 1250 is formed, and a stage where an oxide layer 160 is formed by oxidizing the amorphous layer.例文帳に追加

基板２４にトレンチ２００を形成する工程、トレンチ２００の側壁３２の少なくとも一部を覆う窒化物界面層１２５０を形成する工程と、窒化物界面層１２５０を覆うアモルファス層を形成する工程と、アモルファス層を酸化して酸化物層１６０を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

An HDPO process generally generates plasma using an inductively and/or capacitively coupled RF energy transmitting device, controls the plasma generated on a substrate, and injects a gas containing an oxidizing source to grow an interface layer.例文帳に追加

ＨＤＰＯ処理は、一般的に、誘導及び／又は容量結合ＲＦ伝達デバイスを用いてプラズマを発生し、基板上で発生したプラズマを制御し、また酸化源を含有するガスを注入して界面層を成長させる。 - 特許庁

When an oxide insulator is formed as a protective film on an oxide semiconductor layer, a film is formed in an atmosphere containing an oxidizing gas, and the carrier density around an interface of the oxide semiconductor is made lower than that of an insulation layer side.例文帳に追加

酸化物半導体層上に保護膜として酸化物絶縁体を形成する際に、酸化性ガスが含まれる雰囲気で成膜し、酸化物半導体の界面付近のキャリア密度を絶縁層側のキャリア密度より小さくする。 - 特許庁

The method utilizes atomic layer deposition technology, by which nitric acid metal base precursor (for example, nitric acid hafnium or nitric acid zirconium) can be incorporated, without introducing hydroxylating agent or oxidizing agent (for example, water), while the interface layer is formed.例文帳に追加

これらの方法は、界面層の形成の間、硝酸金属ベースプリカーサ（例えば、硝酸ハフニウムまたは硝酸ジルコニウム）を水酸化剤または酸化剤（例えば、水）を導入することなく組み込む原子層堆積技術を利用する。 - 特許庁