「oxidizing interface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A silicon oxide film as an interface layer 3 is formed by oxidizing the surface of the silicon substrate 1, when the metallic oxide film 2 is formed.例文帳に追加

金属酸化膜２の形成時に、シリコン基板１の表面を酸化させることにより、界面層３となるシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

Since the deuterium resembles hydrogen chemically, an oxidizing process always occurs, and a silicon-silicon oxide interface is saturated with the deuterium at the same time.例文帳に追加

重水素は化学的に水素に似ているので、酸化プロセスは通常に起こり、シリコン−酸化珪素界面は同時に重水素で飽和される。 - 特許庁

To provide an oxide sliding interface-coated silicon carbide-based fiber having an interfacial layer capable of stably existing in a high temperature oxidizing atmosphere, and to provide a ceramic-based composite material reinforced with the fibers and capable of being used in the high temperature oxidizing atmosphere.例文帳に追加

高温の酸化雰囲気で安定して存在できる界面層を有する酸化物摺動界面被覆炭化ケイ素系繊維、及びこの繊維で強化された高温酸化雰囲気で使用可能なセラミックス基複合材料を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of forming a uniform film for improving film characteristics by reducing defects of a film interface in such a way that an oxide film may be formed by oxidizing a base surface with an oxidizing fluid, and the thin film may be formed on the oxide film.例文帳に追加

酸化性を有する液体によって基体表面を酸化することで酸化膜を形成し、その酸化膜上に薄膜を形成することで、膜界面の欠陥を少なくして膜特性を向上させた均一な成膜を可能とする。 - 特許庁

To provide an oxide film of atom layer level wherein entrance of impurities into an oxidizing process of a silicon crystal surface is suppressed for flatter and evener interface between the oxide film and a semiconductor.例文帳に追加

シリコン結晶表面の酸化工程での不純物混入を抑制し、且つ酸化膜と半導体の界面をより平坦で均一にした原子層レベルの酸化膜を提供すること。 - 特許庁

To stabilize electrical characteristics of an interface between an electrode and an insulating film, and to prevent gate leakage current from generating, in a semiconductor device having a gate insulating film made by oxidizing a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体が酸化されてなるゲート絶縁膜を有する半導体装置において、電極・絶縁膜界面の電気的特性を安定化させると共にゲートリーク電流の発生を防止する。 - 特許庁

This method has a stage, where the trench 200 is formed in the substrate 24, a stage where a nitride interface layer 1250 covering at least part of the sidewall 32 of the trench 200 is formed, a stage where an amorphous layer covering the nitride interface layer 1250 is formed, and a stage where an oxide layer 160 is formed by oxidizing the amorphous layer.例文帳に追加

基板２４にトレンチ２００を形成する工程、トレンチ２００の側壁３２の少なくとも一部を覆う窒化物界面層１２５０を形成する工程と、窒化物界面層１２５０を覆うアモルファス層を形成する工程と、アモルファス層を酸化して酸化物層１６０を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

An HDPO process generally generates plasma using an inductively and/or capacitively coupled RF energy transmitting device, controls the plasma generated on a substrate, and injects a gas containing an oxidizing source to grow an interface layer.例文帳に追加

ＨＤＰＯ処理は、一般的に、誘導及び／又は容量結合ＲＦ伝達デバイスを用いてプラズマを発生し、基板上で発生したプラズマを制御し、また酸化源を含有するガスを注入して界面層を成長させる。 - 特許庁

When an oxide insulator is formed as a protective film on an oxide semiconductor layer, a film is formed in an atmosphere containing an oxidizing gas, and the carrier density around an interface of the oxide semiconductor is made lower than that of an insulation layer side.例文帳に追加

酸化物半導体層上に保護膜として酸化物絶縁体を形成する際に、酸化性ガスが含まれる雰囲気で成膜し、酸化物半導体の界面付近のキャリア密度を絶縁層側のキャリア密度より小さくする。 - 特許庁

The method utilizes atomic layer deposition technology, by which nitric acid metal base precursor (for example, nitric acid hafnium or nitric acid zirconium) can be incorporated, without introducing hydroxylating agent or oxidizing agent (for example, water), while the interface layer is formed.例文帳に追加

これらの方法は、界面層の形成の間、硝酸金属ベースプリカーサ（例えば、硝酸ハフニウムまたは硝酸ジルコニウム）を水酸化剤または酸化剤（例えば、水）を導入することなく組み込む原子層堆積技術を利用する。 - 特許庁

To provide equipment and a method of depositing a thin film by chemical vapor deposition which enable obtaining a material having high permittivity (High-k) constituted of a metal oxide thin film on an Si substrate without oxidizing the interface with the Si substrate by small-sized equipment and at a low cost.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に金属酸化薄膜からなる誘電率の高い材料（High-k）をＳｉ基板との界面を酸化することなく小型で、かつ、コスト安に得ることができる化学気相成長法による薄膜堆積装置および堆積方法を提供すること。 - 特許庁

An epitaxial layer 2 is grown on a high-resistance semiconductor substrate 1 containing high-concentration interstitial oxygen and thereafter, the substrate 1 is heat treated at a high temperature in an oxidizing atmosphere, and an SiO2 layer type region 3 is deposited in the interface between the substrate 1 and a layer 2.例文帳に追加

高濃度の格子間酸素を含んだ高抵抗の半導体基板１にエピタキシャル層２を成長させたのち、半導体基板１を酸化性雰囲気中で高温で熱処理し、半導体基板１とエピタキシャル層２との界面にＳｉＯ_2の層状領域３を析出させる。 - 特許庁

An Ni layer 32 and a Cr layer 33 are formed to touch each other by wet plating method and heat treated in non-oxidizing atmosphere so that Ni and Cr are diffused mutually and alloyed on the interface of the Ni layer 32 and the Cr layer 33 thus forming an NiCr alloying layer 34.例文帳に追加

Ｎｉ層３２とＣｒ層３３とが互いに接するようにそれぞれ湿式めっき法により形成し、非酸化性雰囲気中で熱処理することによりＮｉ層３２とＣｒ層３３の界面においてＮｉとＣｒを相互拡散させて合金化し、ＮｉＣｒ合金化層３４を形成する。 - 特許庁

The oxidation step includes heating the base wafer to a temperature in a range of 800 to 1,300°C, at a rate of temperature increase in the range from 1 to 300°C under an oxidizing atmosphere; and the lamination step is carried out so as to arrange the oxide film formed in the oxidation step, at an interface of the two wafers.例文帳に追加

前記酸化工程は、前記ウェーハを、酸化性雰囲気下で１〜３００℃／秒の昇温速度で８００〜１３００℃の範囲の温度に加熱することを含み、前記貼り合わせ工程は、２枚のウェーハの界面に前記酸化工程において形成された酸化膜が配置されるように行われる。 - 特許庁