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oxygen vacancyとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 酸素空孔; 酸素空格子点

JST科学技術用語日英対訳辞書での「oxygen vacancy」の意味

「oxygen vacancy」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 19



例文

The semiconductor substrate 20 includes a first region 90A in which a density of oxygen-vacancy defects is greater than a density of vacancy cluster defects, and a second region 80A in which the density of vacancy cluster defects is greater than the density of oxygen-vacancy defects.例文帳に追加

半導体基板20は、酸素・空孔欠陥の濃度が複空孔欠陥の濃度よりも高い第1領域90Aと、複空孔欠陥の濃度が酸素・空孔欠陥の濃度よりも高い第2領域80Aを有する。 - 特許庁

An oxygen vacancy serving as a donor can be effectively formed in the oxide semiconductor layer by introducing the oxygen-vacancy-inducing factors into the oxide semiconductor layer.例文帳に追加

酸化物半導体層に酸素欠陥誘起因子を導入することによって、酸化物半導体層にドナーとして機能する酸素欠陥を効果的に形成することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a semiconductor layer in which oxygen-vacancy defects are formed.例文帳に追加

酸素・空孔欠陥が形成された半導体層を有する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a piezoelectric actuator suppressed in the formation of oxygen vacancy on side faces of a laminate (piezoelectric layer) and short-circuited thereby.例文帳に追加

積層体(圧電体層)の側面に酸素空孔が形成され、短絡してしまうのを抑制された圧電アクチュエータを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is reduced in oxygen vacancy and is improved in reliability, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明では、酸素欠損を低減させ、信頼性を改善した半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This way, defects caused by oxygen vacancy (defects of generating excessive electron donors) in the oxide semiconductor film 14, in the insulation films 12 and 18, or in the interface therebetween can be controlled.例文帳に追加

酸化物半導体膜14や絶縁膜12,18、あるいはこれらの界面における酸素空孔起因の欠陥(過剰電子ドナーを生成する欠陥)を制御できる。 - 特許庁

例文

An SOI substrate is manufactured by performing first thermal treatment for forming an atomic vacancy and second thermal treatment for implanting oxygen ions with which an oxygen ion implanted layer is formed, and for changing the oxygen ion implanted layer into a buried oxide film on a single crystal silicon substrate.例文帳に追加

単結晶シリコン基板に対し、少なくとも、基板内に原子空孔を発生させる第1の熱処理と、酸素イオン注入層を形成する酸素イオン注入と、前記酸素イオン注入層を埋め込み酸化膜層に変化させる第2の熱処理を行なうことによりSOI基板を製造する。 - 特許庁

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「oxygen vacancy」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 19



例文

In a transistor including an oxide semiconductor, oxygen-vacancy-inducing factors are introduced (added) into an oxide semiconductor layer, thereby the resistance of source and drain regions is selectively reduced.例文帳に追加

酸化物半導体を有するトランジスタにおいて、酸化物半導体層に酸素欠陥誘起因子を導入(添加)することによってソース領域及びドレイン領域を選択的に低抵抗化する。 - 特許庁

Preferably, the oxygen-vacancy-inducing factors to be introduced are introduced by an ion implantation method using one or more metal elements selected from among titanium, tungsten, and molybdenum.例文帳に追加

導入する酸素欠陥誘起因子としては、チタン、タングステン、及びモリブデンのいずれか一または複数から選択される金属元素を用いてイオン注入法によって導入することが好ましい。 - 特許庁

To specify an appropriate process as an approach to defects, which can not be handled by heat treatment, such as vacancy-oxygen complex defects, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device thereby.例文帳に追加

「空孔−酸素複合欠陥」のような熱処理では対応することができない欠陥についてのアプローチとして適切な処理を特定し、それに基づく半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent abnormal growth and oxygen vacancy generated when forming the upper electrode of a ferroelectric capacitor with a conductive oxide film having a low degree of oxidation and a conductive oxide film having a high degree of oxidation.例文帳に追加

強誘電体キャパシタの上部電極を低酸化度の導電性酸化物膜と高酸化度の導電性酸化物膜で形成する時生じる異常成長や、酸素空位を防止する。 - 特許庁

The packaging laminated material includes a deoxidation layer containingan deoxidation composition formed of a rare earth metal oxide having an oxygen vacancy, or preferably, a cerium oxide of 0.05 pts.wt. to 10 pts.wt., and a water- or moisture-degraded oxygen barrier resin of 100 pts.wt.例文帳に追加

酸素欠陥を有する希土類金属酸化物、好ましくは、酸化セリウム0.05重量部〜10重量部と、水分又は水劣化性の酸素バリア樹脂100重量部とからなる脱酸素組成物を含む脱酸素層を有することを特徴とする包装用積層材料。 - 特許庁

To make it possible to crystalize a ferroelectric superior in crystal orientation when crystallizing a ferroelectric that contains oxygen and is formed an amorphous manner and to prevent the generation of oxygen vacancy in the crystallized ferroelectric as much as possible.例文帳に追加

酸素を含みアモルファスで形成された強誘電体の結晶化処理であって、結晶配向性の良好な強誘電体の結晶化を可能とするとともに、結晶化後の強誘電体において酸素空孔の発生を可及的に抑制し強誘電体の特性を向上させる。 - 特許庁

Anatase or rutile titanium oxide particles and amorphous titanium oxide are wet-dispersed and disintegrated, to form a photocatalyst being in the form of microparticles, and surfaced with lower titanium oxide (oxygen-vacancy-containing layer).例文帳に追加

アナターゼ型またはルチル型酸化チタン粒子と無定形酸化チタンを湿式分散し、解砕することで、光触媒を微粒化するとともに、その表面に低次酸化チタン(酸素欠陥を有する層)を形成する。 - 特許庁

例文

The organic/inorganic composite includes a cross-linkage structure due to metal-oxygen bond and carbon atoms covalently bonded with the structure, and has a closed vacancy structure in which vacancies are formed in a closed manner.例文帳に追加

そこで本発明の有機無機複合体は、金属−酸素結合による架橋構造体と、これに共有結合した炭素原子とを含み、空孔が独立して形成された独立空孔構造を有することを特徴とする。 - 特許庁

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