p layersとは 意味・読み方・使い方
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「p layers」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 765件
The anode electrode 9 is formed on the n-layers 3 and the p-layers 5.例文帳に追加
アノード電極9はn層3およびp層5上に形成される。 - 特許庁
The p+ collector layers 16 and p+ emitter layers 17 are arranged alternately in the X direction.例文帳に追加
p^+コレクタ層16及びp^+エミッタ層17は、X方向に交互に配置される。 - 特許庁
P-type buried layers 35 are formed on the bottom of the conduits.例文帳に追加
溝の底部には、p埋め込み層35が形成されている。 - 特許庁
Over them, n-type GaN light-guide layers 3a and 3b, InGaN active layers 4a and 4b, p-type GaN light-guide layers 5a and 5b, p-type AlGaN clad layers 7a and 7b, and p-type contact layers 8a and 8b, are sequentially formed.例文帳に追加
これらの上に、n型GaN光導波層3a,3b、InGaN活性層4a,4b、p型GaN光導波層5a,5b、p型AlGaNクラッド層7a,7b、p型コンタクト層8a,8bが順次形成される。 - 特許庁
The p-type cap layer 11 includes an alternate stack of m+1 p-type GaAs layers and m p-type GaInP layers.例文帳に追加
p型キャップ層11はm+1層のp型GaAs層とm層のp型GaInP層とが交互に積層されている。 - 特許庁
Mg is doped into the first and second p-type cladding layers 7 and 9 and the p-type band-discontinuity relaxation layer 10, and Zn is doped into the m+1 p-type GaAs layers and the m p-type GaInP layers.例文帳に追加
第1,第2のp型クラッド層7,9及びp型バンド不連続緩和層10にはそれぞれMgが、m+1層のp型GaAs層及びm層のp型GaInP層にはそれぞれZnがドープされている。 - 特許庁
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「p layers」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 765件
The p-type AlGaAs layer 18 is isolated by etching, and this etching is stopped in the undoped AlGaAs resistive layer 17 between the p-type AlGaAs layers 18.例文帳に追加
p型AlGaAs層18の分離はエッチングにて行われており、このエッチングがp型AlGaAs層18間のアンドープAlGaAs抵抗層17で止まっている。 - 特許庁
The silicon nanowire has a structure of alternately layering p-type layers and n-type layers.例文帳に追加
シリコンナノワイヤーはp型層とn型層とが交互に積層された構造を有する。 - 特許庁
To arrange p^+ type diffusion layers and n^+ type diffusion layers finely without bringing into contact with each other.例文帳に追加
p^+型拡散層とn^+型拡散層を接触させずに細かく配置する。 - 特許庁
The shape steel layers P are arranged between a pair of upper and lower steel plates 1 so as to form two upper and lower layers.例文帳に追加
上下一対の鋼板1の間に、形鋼層Pを上下二重の層を成すように配設する。 - 特許庁
By this setup, P-type layers 117a and 117b are formed on the surface of the P-type semiconductor substrate 111.例文帳に追加
これにより、P型半導体基板111表面にp型層117a,117bが形成される。 - 特許庁
Subsequently, P+ layers 15, 16 are formed by diffusing P type impurities.例文帳に追加
次に、P型不純物を拡散させて、P^+層15とP^+層16を形成する(c)。 - 特許庁
On the surface of the P well 4, n- and p-type diffusion layers 2, 3 are formed.例文帳に追加
Pウェル4の表面には、n型拡散層2とp型拡散層3が形成されている。 - 特許庁
The graded composition superlattice layer 20 is formed by laminating p-type ZnTe layers 20a, 20c, 20e, 20g, 20i and p-type ZnSe layers 20b, 20d, 20f, 20h, 20j alternately.例文帳に追加
組成傾斜超格子層20はp型ZnTe層20a,20c,20e,20g,20iとp型ZnSe層20b,20d,20f,20h,20jとを交互に積層して形成する。 - 特許庁
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