parallel growthとは 意味・読み方・使い方

The stripe-shaped openings 12a of the growth mask 12 extend in the direction parallel to the <1-100> direction of the GaN-based semiconductor layers 13.例文帳に追加

成長マスク１２のストライプ状の開口１２ａはＧａＮ系半導体層１３の〈１−１００〉方向に平行な方向に延在している。 - 特許庁

Masks 65, each of which has a growth regulating surface 66 parallel to the c-face, are formed along negative-c axis side faces 62 of the protrusions 60.例文帳に追加

この凸条６０の−ｃ軸側側面６２に沿って、ｃ面に平行な成長規制面６６を有するマスク６０が形成されている。 - 特許庁

At this time, the raw material gas is supplied in one direction so that the flow direction of the raw material gas becomes parallel to the growth direction of the carbon nanotubes.例文帳に追加

このとき、原料ガスの流れ方向がカーボンナノチューブの成長方向と平行となるように、一方向に原料ガスを供給する。 - 特許庁

The selective growth of the semiconductor thin film crystal is carried out by forming a mask pattern for the selective growth into the one obtained by arranging root forms having symmetric properties corresponding to the crystal structure of the substrate in parallel at a proper interval.例文帳に追加

選択成長用のマスクパターンを、基板の結晶構造と一致させた対称性を持つ基本形をある適当な間隔で平行に並べたものとし、半導体薄膜結晶の選択成長を行う。 - 特許庁

The stripe-like windows 12a of the growth mask 12 is extended in a direction parallel to a <1-100> direction of the GaN-based semiconductor layer or layers 13.例文帳に追加

成長マスク１２のストライプ状の開口１２ａはＧａＮ系半導体層１３の〈１−１００〉方向に平行な方向に延在している。 - 特許庁

An upper main electrode region of a 3D pillar SGT includes a selective epitaxial growth semiconductor layer, and at least two adjacent 3D pillar SGTs are connected in parallel by bringing the respective selective epitaxial growth semiconductor layers into contact with each other.例文帳に追加

３Ｄピラー型ＳＧＴの上部主電極領域が選択エピタキシャル成長半導体層を含み、少なくとも２つの隣接する３Ｄピラー型ＳＧＴを、各々の選択エピタキシャル成長半導体層を接触させて並列接続する。 - 特許庁

A substrate is obtained by vapor depositing a GaN single crystal on a substrate and then slicing a GaN single crystal ingot formed by the vapor deposition with a plane parallel to the growth direction.例文帳に追加

基板の上にＧａＮ単結晶を気相成長させ、気相成長でできたＧａＮ単結晶インゴットを成長方向と平行な面でスライス加工して基板とする。 - 特許庁

In a horizontal gas phase growth device that carries out gas phase growth by making material gas flow parallel to the substrate surface set on a susceptor, a heating means is provided in the flow channel and the flow channel is heated after the substrate in which gas phase growth completes is taken out and dirt stuck to the inner wall of the flow channel is remoived by re-evaporation and the following gas phase growth beings.例文帳に追加

サセプタ上に載置した基板面に対して平行に原料ガスを流して気相成長を行う横型気相成長装置において、前記フローチャンネルに加熱手段を設け、気相成長終了後の基板をフローチャンネル内から取出した後、フローチャンネルを加熱することにより、フローチャンネルの内壁に付着した汚れを再蒸発させて除去してから次の気相成長操作を開始する。 - 特許庁