phosphorus fractionとは 意味・読み方・使い方

To provide a hydrodesulfurization catalyst for a gas oil fraction, which is obtained by supporting nickel-molybdenum-phosphorus onto a carrier comprising a silica-alumina and/or boria-alumina and high in desulfurization activity.例文帳に追加

シリカ−アルミナ及び／又はボリア−アルミナからなる担体にニッケル−モリブデン−リンを担持した脱硫活性が高い軽油留分の水素化脱硫触媒を提供する。 - 特許庁

The catalyst for hydrodesulfurization of the gas oil fraction is obtained by supporting nickel and molybdenum as active metals and phosphorus as an other component on a carrier comprising silica-alumina and/or boria- alumina, and the catalyst has an average pore diameter of ≥80 Å and a pore volume of ≥0.2 cc/g.例文帳に追加

シリカ−アルミナ及び／又はボリア−アルミナからなる担体に、活性金属としてニッケル、モリブデン、及びその他の成分としてリンを担持した触媒であって、触媒の平均細孔径が８０Å以上で、かつ細孔容量が０．２ｃｃ／ｇ以上である軽油留分の水素化脱硫触媒。 - 特許庁

The method for hydrogenation treatment comprises a hydrogenation treatment of the crude oil or the naphtha fraction-removed crude oil in the presence of a catalyst supporting at least one kind selected from group 6, 8-10 metals with an alumina-phosphorus carrier, an alumina-alkaline earth metal carrier, an alumina-titania carrier or an alumina-zirconia carrier.例文帳に追加

原油又はナフサ留分を除いた原油を、アルミナ−リン担体，アルミナ−アルカリ土類金属化合物担体，アルミナ−チタニア担体又はアルミナ−ジルコニア担体に、周期律表第６，８〜１０族の金属から選ばれる少なくとも一種を担持した触媒の存在下で水素化処理する水素化処理方法である。 - 特許庁

In the method for manufacturing a positive electrode active material substance for a lithium secondary battery, the particle surface of a lithium transition metal phosphorus complex oxide of olivine structure is partly or entirely covered with conductive carbon, and the conductive carbon is a pyrolysate of natural asphalt and a purified fraction thereof.例文帳に追加

前記課題は、オリビン構造を有するリチウム遷移金属リン複合酸化物の粒子表面の一部または全部が導電性炭素で被覆されてなり、前記導電性炭素が、天然アスファルト及びその精製画分の加熱分解物であることを特徴とするリチウム二次電池用正極活物質材料の製造方法をとることにより解決される。 - 特許庁

The group III-V nitride semiconductor laser element comprises a substrate, a light emitting layer provided on the substrate, a clad layer provided on the light emitting layer, and a buried layer provided on the substrate in contact with the opposite side faces of the light emitting layer or the clad layer wherein the buried layer contains phosphorus atoms or arsenic atoms by an atomic fraction of ≤20%.例文帳に追加

基板と、前記基板上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられたクラッド層と、前記基板上であってかつ前記発光層またはクラッド層の両側面に接して設けられた埋め込み層とを有し、前記埋め込み層がリン原子またはヒ素原子を２０％以下の原子分率で含むＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体レーザ素子とする。 - 特許庁

In the group III-V nitride semiconductor element comprising a substrate, a warp suppression layer provided on the substrate and a nitride semiconductor layer provided on the warp suppression layer, the warp suppression layer is a nitride semiconductor layer containing phosphorus atoms or arsenic atoms by an atomic fraction of ≤20% and having a thickness of 25-100 nm.例文帳に追加

基板と、前記基板上に設けられた基板反り抑制層と、前記基板反り抑制層上に設けられた上部窒化物半導体層とを少なくとも有するＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子であって、前記基板反り抑制層は、リン原子またはヒ素原子が２０％以下の原子分率で含まれている窒化物半導体層であり、かつその層厚が２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるＩＩＩ−Ｖ族系窒化物半導体素子とする。 - 特許庁