pillar cellsとは 意味・読み方・使い方

Four cells of the power MOSFET can be adjacently formed by alternately disposing an n^+-type pillar layer 16 and a p-type pillar layer 18.例文帳に追加

ｎ^＋型ピラー層１６とｐ型ピラー層１８を交互に配置することにより、パワーＭＯＳＦＥＴの４つのセルを隣接して形成することができる。 - 特許庁

By repeating the process with other cells of partitions of other groups, six cells are connected in series by resistance welding the electrode pole pillar parts 5 for welding.例文帳に追加

この工程を他のグループの区画の単電池についても繰り返した後、溶接用極柱部分5を抵抗溶接することによって６セルの単電池を直列に接続する。 - 特許庁

After inserting bottom part alone of a laminated body for three cells in a partition of a battery case 4 of adjoining group, a welding electrode pillar 5, a cast-on welding part 8 and an electrode pillar 2 are formed on an ear part of the laminated body 6.例文帳に追加

隣接グループの電槽4の区画に、３セル分の積層体6の下部のみを挿入した後、前記積層体6の耳部1にキャストン方式により溶接用極柱5、キャストン溶接部分8及び極柱2を形成する。 - 特許庁

The viruses are selected from the group consisting of bacteria, bacteriophages, plant cells, animal cells, plant viruses and animal viruses, and the hydrophobic solid support is selected from the group consisting of various kinds of structures such as a plane, a pillar, a bead and a sieve.例文帳に追加

ウイルスは、バクテリア、バクテリオファージ、植物細胞、動物細胞、植物ウイルス、および動物ウイルスから構成される群から選択、疎水性固体支持体は、平面構造、ピラー構造、ビーズ構造、および篩構造から構成される群から選択。 - 特許庁

And moreover, each of the memory cells 20 contains at least one lower dielectric layer adjoining in the vertical direction with the substrate 22 and adjoining in the horizontal direction with the pillar 40, and at least one upper dielectric layer arranged in the vertical direction and with a space at the upper part of at least one lower dielectric layer and adjoining in the horizontal direction with the pillar 40.例文帳に追加

更に、各メモリセル２０は、垂直方向に基板２２に隣接し横方向にピラー４０に隣接する、少なくとも１つの下部誘電体層と、垂直方向に少なくとも１つの下部誘電体層の上方に間隔を空けて配置され、横方向にピラー４０に隣接する、少なくとも１つの上部誘電体層と、を含む。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes first and second memory cells each including a variable resistance element 19 and a diode D and having a pillar shape, and an insulating layer 20 provided between the first memory cell and the second memory cell and including a void 21.例文帳に追加

半導体記憶装置は、可変抵抗素子１９及びダイオードＤを有し、かつピラー状の第１及び第２のメモリセルと、第１のメモリセル及び第２のメモリセル間に設けられ、かつボイド２１を有する絶縁層２０とを含む。 - 特許庁

The fuel cell stack 10 is formed in polygonal pillar shape as a whole by arranging current collectors 13, 13a, insulating plates 14, 14a, and end plates 15, 15a toward outside at the both ends of a fuel cell laminated body 12 in which a plurality of fuel battery cells 11 of polygonal shape are laminated.例文帳に追加

燃料電池スタック１０を、多角形状の燃料電池セル１１を複数積層した燃料電池積層体１２の両端に外方に向かって集電板１３，１３ａ、絶縁板１４，１４ａおよびエンドプレート１５，１５ａを配置して全体として多角柱状に形成する。 - 特許庁