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意味・対訳 柱細胞、柱状細胞

JST科学技術用語日英対訳辞書での「pillar cell」の意味

「pillar cell」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 22



例文

PILLAR PHASE CHANGE MEMORY CELL例文帳に追加

ピラー相変化メモリセル - 特許庁

STONE PILLAR FOR SOLAR CELL PANEL INSTALLATION例文帳に追加

太陽電池パネル設置用の石柱 - 特許庁

In a region that includes the boundary between the cell portion and the termination portion and includes three or more pillar layers among the n pillar layer 3, the p pillar layer 4, the n pillar layers 21, and the p-pillar layers 22 that are arranged in a row, the impurity concentration of each pillar layer is lower as approaching the pillar layer arranged at the termination portion side.例文帳に追加

セル部と終端部との境界を含み、nピラー層3、pピラー層4、nピラー層21、pピラー層22のうち、連続して配列された3層以上のピラー層を含む領域において、各ピラー層の不純物濃度は、終端部側に配置されたピラー層ほど低い。 - 特許庁

In a vertical MOSFET composed of a cell portion and a termination portion, a super-junction structure in which an n pillar layer 3 and a p pillar layer 4 are provided in the cell portion and n pillar layers 21 and p pillar layers 22 are provided in the termination portion is formed.例文帳に追加

セル部及び終端部からなる縦型MOSFETにおいて、セル部にnピラー層3及びpピラー層4を設け、終端部にnピラー層21及びpピラー層22を設けたスーパージャンクション構造を形成する。 - 特許庁

To provide a pillar phase change memory cell that allows conditions, in which the pillar cell of a phase change memory becomes structurally unstable due to uneven etching, to be controlled.例文帳に追加

エッチング処理の不均一により、層変化メモリのピラーセルが構造的に不安定となる状況を制御可能にするピラー相変化メモリセルを提供する。 - 特許庁

A vertical MOSFET comprising a cell and a termination has a superjunction structure formed by providing the cell with an (n) pillar layer 3 and a (p) pillar layer 4 alternately in a lateral direction.例文帳に追加

セル部及び終端部からなる縦型MOSFETにおいて、セル部にnピラー層3及びpピラー層4を横方向に交互に設け、スーパージャンクション構造を形成する。 - 特許庁

例文

The first electrode, the storage location, and the second electrode constitute a pillar phase change memory cell.例文帳に追加

上記第1の電極、上記記憶場所、および上記第2の電極は、ピラー相変化メモリセルを形成している。 - 特許庁

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英和医学用語集での「pillar cell」の意味

pillar cell


ライフサイエンス辞書での「pillar cell」の意味

日英・英日専門用語辞書での「pillar cell」の意味

pillar cell

「pillar cell」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 22



例文

The bag body 43 includes: a pillar cover portion 47 covering the front surface 1a of the front pillar 1 when the expansion is completed; and a fitting cell portion 50 arranged below the pillar cover portion 47 to fit into a gap between the door mirror 27 and the side surface of the vehicle.例文帳に追加

バッグ本体43が、膨張完了時に、フロントピラー1の前面1aを覆うピラーカバー部47と、ピラーカバー部47の下方に配設されてドアミラー27と車両の側面との間の隙間に嵌合させるように配置される嵌合セル部50と、を備える。 - 特許庁

The lighting post is divided into a base pillar part 2 housing a power storage devices 5 such as battery, power controller, and the like, and a middle pillar part 3 equipped with a lighting device 6, and an upper pillar part 4 equipped with a solar cell 7 and a wind power device 8, and those parts are joined vertically.例文帳に追加

バッテリー及び発電コントローラ等の蓄電装置5を収納してなる基礎柱部2と、照明器具6を備えた中間柱部3と、太陽電池7及び風力発電装置8を備えた上部柱部4とに分割し、これらを上下に連結する。 - 特許庁

The memory unit has a laminated structure, a semiconductor pillar, a storage layer, an inner insulating film, an outer insulating film and a memory cell transistor.例文帳に追加

メモリ部は、積層構造体と、半導体ピラーと、記憶層と、内側絶縁膜と、外側絶縁膜と、メモリセルトランジスタと、を有する。 - 特許庁

To provide a high-density cross point resistor memory array which is self-aligned to a bottom electrode and has a separated PCMO cell pillar.例文帳に追加

底部電極に対して自己整合された、分離PCMOセルピラーを有する高密度クロスポイント抵抗体メモリアレイを提供すること。 - 特許庁

After the cap 5 is heat-welded to an electrolytic cell 4, and an O-ring 12 is fitted into a gap part between the outer part of a pole pillar 9 and the inner side of the fitting member 17a, the pole pillar 9 and the cap 5 are fixed by filling an epoxy adhesive 16.例文帳に追加

電槽4に蓋5を熱溶着し、極柱9の外側と、嵌合部材17aの内側の隙間部分に、Oリング12をはめ込んだ後に、エポキシ系接着剤16を充填して極柱9と蓋5とを固定する。 - 特許庁

That is, there is no cell at a portion between the headrest 34A and the C pillar garnish 24 in the airbag 16 and it is made into the non-expansion part 65.例文帳に追加

即ち、エアバッグ16におけるヘッドレスト34AとCピラーガーニッシュ24との間に入る部位にはセルがなく非膨張部65となっている。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes first and second memory cells each including a variable resistance element 19 and a diode D and having a pillar shape, and an insulating layer 20 provided between the first memory cell and the second memory cell and including a void 21.例文帳に追加

半導体記憶装置は、可変抵抗素子19及びダイオードDを有し、かつピラー状の第1及び第2のメモリセルと、第1のメモリセル及び第2のメモリセル間に設けられ、かつボイド21を有する絶縁層20とを含む。 - 特許庁

例文

This is the metal oxide film and the dye-sensitized solar cell, which are composed by having a dense metal oxide layer (1) and a metal oxide layer provided with a pillar shaped structure (2) on a substrate.例文帳に追加

基材上に、緻密な金属酸化物層(1)と、柱状構造を有する金属酸化物層(2)を有してなる金属酸化物膜および色素増感太陽電池である。 - 特許庁

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※この記事は「北里大学医療衛生学部 医療情報学研究室」ホームページ内の「医学用語集」(2001.06.10. 改訂)の情報を転載しております。
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