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plug maskとは 意味・読み方・使い方
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「plug mask」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 31件
MASK WITH NASAL PLUG FOR PREVENTING MALODOR例文帳に追加
悪臭防止用鼻栓付きマスク - 特許庁
MASK FOR LANDING PLUG CONTACT HOLE AND PLUG FORMATION METHOD USING IT例文帳に追加
ランディングプラグコンタクトホールのマスク及びこれを用いたプラグ形成方法 - 特許庁
The mask pattern and spacer are removed to expose the sidewall of the insulating film plug.例文帳に追加
マスクパターンとスペーサを除去して絶縁膜プラグの側壁を露出させる。 - 特許庁
To provide a mask with a nasal plug for preventing malodor which releases a worker completely from the malodor with a simple device in the work accompanied with the malodor and is not distinguished from a general mask in a wearing state, and surrounding persons do not know that the mask is deodorizable mask.例文帳に追加
悪臭を伴う作業をするとき、手軽な装置で作業者を悪臭から完全に開放して、なおかつ装着した状態は一般的なマスクと区別がつかず、周囲には防臭マスクであることを、知られないこと。 - 特許庁
Thereafter the photoresist mask on the p-type diffused layer 14 is removed to form a contact plug 16 in the contact hole.例文帳に追加
その後、ｐ型拡散層１４上のフォトレジストマスクを除去して、コンタクトホールにコンタクトプラグ１６を形成する。 - 特許庁
The resist pattern for machining a conductive plug is formed in the lower layer wiring 4, and is used as a mask for etching the lower layer wiring 4 to form a conductive plug 6.例文帳に追加
下層配線４に導電プラグを加工するためのレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして下層配線４をエッチングして導電プラグ６を形成する。 - 特許庁
The upper conductive film and the sacrificial mask pattern are removed for planarization until an upper surface of the recessed mask pattern is exposed, thereby a plug 850 surrounded by the spacer is formed.例文帳に追加
リセスされたマスクパターンの上部面が露出されるまで上部導電膜及び犠牲マスクパターンを除去平坦化してスペーサーによって囲まれたプラグ８５０を形成する。 - 特許庁
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「plug mask」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 31件
To provide a landing plug contact forming method of a semiconductor element capable of preventing a step between a poly-silicon film and a gate hard mask nitride film in a CMP process for forming a landing plug contact.例文帳に追加
ランディングプラグコンタクト形成のためのＣＭＰ工程時、ポリシリコン膜とゲートハードマスク窒化膜との間の段差を防止できる半導体素子のランディングプラグコンタクト形成方法を提供すること。 - 特許庁
The interlayer insulation film 31 on the plug 11 is etched with a silicon nitride film 32 used for pattern etching of the bit lines 12 as a hard mask to make the plug 11 salient in a groove 40.例文帳に追加
ビットライン１２のパターンエッチングに用いたシリコン窒化膜３２をハードマスクとして用いてプラグ１１上の層間絶縁膜３１をエッチングし、プラグ１１を溝４０内に突出させる。 - 特許庁
The top surface of the hard mask layer 12 is substantially flush with those of the plug conductive layers 23a and 23b.例文帳に追加
ハードマスク層１２の上面とプラグ導電層２３ａ、２３ｂの各上面とは実質的に同一の平面を構成している。 - 特許庁
SAC etching is performed to a bit line 3 without changing the mask so as to form a contact hole to the conductive plug 2.例文帳に追加
マスクを変えることなくビット線３に対してＳＡＣエッチングを行って導電性プラグ２へのコンタクトホールを形成する。 - 特許庁
A conductive hydrogen barrier film 6 is formed on the contact plug 5, and a mask 7 made of an oxidation-resisting material is formed thereon.例文帳に追加
次に、コンタクトプラグ上に導電性水素バリア膜６を形成し、その上に耐酸化材料からなるマスク７を形成する。 - 特許庁
Subsequently, the aluminum film 15a is subjected to etching treatment using the via plug 17 as a mask with reference to the position of the via plug 17, so that an unnecessary region in the aluminum film 15a is removed and lower layer aluminum wiring 15 is formed.例文帳に追加
そのあと、ビアプラグ１７の位置を基準に、ビアプラグ１７をマスクとしてアルミ膜１５ａにエッチング処理を施し、アルミ膜１５ａにおける不要な領域を除去して下層アルミ配線１５を形成する。 - 特許庁
The mask 10 includes a plug 12 formed in dimension and shape suited for insertion to the opening 24 adjacent to the corner part 28 for covering it during peening work.例文帳に追加
マスク（１０）は、ピーニング加工中にコーナ部（２８）を覆うためにコーナ部（２８）に隣接する、開口（２４）に挿入するのに適した寸法と形状に作られたプラグ（１２）を含む。 - 特許庁
Upper layer wiring 21a for a bottom electrode formed on top of the hard mask film 19 is electrically connected to a bottom electrode 14 via a plug 22a for a bottom electrode.例文帳に追加
ハードマスク膜１９上に設けられた下部電極用上層配線２１ａを、下部電極用プラグ２２ａを介して下部電極１４に電気的に接続する。 - 特許庁
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